【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种光电器件及其制备方法、显示装置。
技术介绍
1、有机电致光电器件(oled)和量子点电致光电器件(qled)等光电器件得到越来越广泛的应用和关注。oled和qled等光电器件主要包括阳极、空穴功能层、发光层、电子功能层及阴极形成的多功能层结构，当收到电或光刺激时，电子和空穴分别从阴极和阳极注入，两者在发光层中复合发光。
2、当阴极和阳极为金属电极时，由于金属表面具有较大的张力，与相邻的空穴功能层或电子功能层之间的结合力较差，尤其是在光电器件持续通电过程中，膜层之间结合力会逐渐下降，可能会导致膜层之间分离和失去接触，从而导致电子或空穴等载流子无法传输至发光层中复合形成激子发光，从而导致光电器件的发光性能不佳。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种光电器件及其制备方法、显示装置，旨在提高光电器件的发光性能。
2、本申请实施例是这样实现的，提供一种光电器件的制备方法，包括：提供第一电极，所述第一电极包括一金属表面，对所述第一电极的所述金属表面进行棕化处理；在所述棕化处理之后的所述金属表面形成层叠的第一载流子功能层、发光层以及第二电极，得到光电器件。
3、可选的，在本申请的一些实施例中，所述棕化处理，包括：将所述第一电极浸泡在棕化液中进行浸泡处理，其中，所述棕化液中包含过氧化物、酸、有机添加剂以及溶剂。
4、可选的，在本申请的一些实施例中，所述过氧化物选自过氧化氢、过氧化钠、过氧化钾中的一种或多种；和/或所述
5、可选的，在本申请的一些实施例中，所述将所述第一电极浸泡在棕化液中进行浸泡处理之前，还包括：对所述第一电极的所述金属表面进行预处理，其中，所述预处理包括酸洗、碱洗和/或预浸处理
6、可选的，在本申请的一些实施例中，所述酸洗包括：在所述第一电极的所述金属表面设置酸洗液，其中，所述酸洗液选自盐酸水溶液或硫酸水溶液，所述酸洗液的浓度小于等于5mol/l；和/或所述碱洗包括：在所述第一电极的所述金属表面设置碱洗液，其中，所述碱洗液选自氢氧化钠水溶液、氢氧化钾水溶液、碳酸钠水溶液中的一种或多种，所述碱洗液的浓度小于等于5mol/l；和/或所述预浸处理包括：将所述第一电极浸泡在预浸液中，其中，所述预浸液通过对所述棕化液稀释得到，稀释的倍数为10～20；和/或所述预浸处理的时间为5～15min。
7、可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述棕化处理之后的所述金属表面形成层叠的第一载流子功能层、发光层以及第二电极，得到光电器件，包括：在所述棕化处理之后的所述金属表面形成层叠的第一载流子功能层、发光层以及第二电极，得到初始光电器件；对所述初始光电器件进行施压处理，得到所述光电器件。
8、可选的，在本申请的一些实施例中，所述施压处理的压强为0.1～0.5mpa；和/或所述施压处理的时间为5～30min。
9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一载流子功能层选自空穴功能层或电子功能层，其中，所述电子功能层包括电子传输层和/或电子注入层，所述电子功能层包括所述电子传输层和所述电子注入层时，所述电子传输层靠近所述发光层一侧设置，所述电子注入层靠近所述第一电极一侧设置；所述空穴功能层包括空穴传输层和/或空穴注入层，所述空穴功能层包括所述空穴传输层和所述空穴注入层时，所述空穴传输层靠近所述发光层一侧设置，所述空穴注入层靠近所述第一电极一侧设置。
10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述制备方法还包括：在所述发光层与所述第二电极之间形成第二载流子功能层；其中，所述第一载流子功能层和所述第二载流子功能层中的一者为所述空穴功能层，另一者为所述电子功能层。
11、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电极选自纯金属电极以及金属复合电极中的至少一种，其中，所述纯金属电极选自al、ag、cu、mo、au、pt、ba、ca以及mg中的至少一种，所述金属复合电极选自ag/azo/ag、al/azo/al、ag/ito/ag、al/ito/al、ag/zno/ag、al/zno/al、ag/tio2/ag、al/tio2/al、ag/zns/ag以及al/zns/al中的至少一种；和/或所述发光层的材料选自有机发光材料或量子点发光材料；所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpa荧光材料、tbrb荧光材料及dbp荧光材料中的至少一种；所述量子点发光材料选自单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的至少一种，所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自cds、cdte、cdsete、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种光电器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述棕化处理，包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述将所述第一电极浸泡在棕化液中进行浸泡处理之前，还包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述棕化处理之后的所述金属表面形成层叠的第一载流子功能层以及第二电极，得到光电器件，包括：
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一载流子功能层选自空穴功能层或电子功能层，其中，
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在所述第一载流子功能层以及所述第二电极之间形成发光层。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在所述发光层与所述第二电极之间形成第二载流子功能层；
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极选自纯金属电极以及金
11.一种光电器件，其特征在于，由权利要求1-10任一项所述的光电器件的制备方法制得。
12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求11所述的光电器件。
...【技术特征摘要】
1.一种光电器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述棕化处理，包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述将所述第一电极浸泡在棕化液中进行浸泡处理之前，还包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述棕化处理之后的所述金属表面形成层叠的第一载流子功能层以及第二电极，得到光电器件，包括：
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一载流子功能层选自空穴功能层或电子功能层，其中，
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在所述第一载流子功能层以及所述第二电极之间形成发光层。
【专利技术属性】
技术研发人员：罗强，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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