【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体存储器与集成电路，尤其涉及一种独立双栅铁电场效应晶体管存储器和抗单粒子效应反相器。
技术介绍
1、随着大规模集成电路集成度的不断提高和特征尺寸的不断微缩，氧化铪基铁电场效应晶体管存储器(hfo2-fefet)因其具有低功耗、高读写速度、非破坏性读取能力、良好的微缩特性和与cmos工艺相兼容等优点，被认为是最有前途的非易失性存储技术之一。
2、fefet通常显示出由铁电极化方向决定的低阈值电压态(lvt)和高阈值电压态(hvt)，从而实现信息的存储。在许多应用中，晶体管被设计成在特定的阈值电压下工作。但在一段时间内，由于编程/擦除持久循环或辐照暴露，阈值电压将转移到与最初所设计的工作值不同的值。尽管目前已经提出了优化操作方案和插入种子层等有效策略来解决该问题，但其性能仍不能满足高可靠性应用的要求。
技术实现思路
1、(一)专利技术目的
2、有鉴于此，本申请的目的在于提供一种独立双栅铁电场效应晶体管存储器和抗单粒子效应反相器，解决晶体管阈值电压漂移问...
【技术保护点】
1.一种独立双栅铁电场效应晶体管存储器，其特征在于，包括由下至上依次设置的：衬底、埋氧层、底栅、沟道层、缓冲层、铁电层、顶栅；所述顶栅位于所述底栅正上方，所述沟道层的两端分别设有源极区和漏极区；所述缓冲层、所述铁电层和所述顶栅的侧壁上设有侧墙，对所述顶栅施加电压来实现存储器的“编程/擦除”和“读”操作，对所述底栅施加偏置电压来实现存储器的动态阈值电压控制。
2.如权利要求1所述的独立双栅铁电场效应晶体管存储器，其特征在于，所述底栅位于所述埋氧层的部分上表面，且所述沟道层位于所述底栅上，所述缓冲层位于所述沟道层上，所述铁电层位于所述缓冲层上，所述顶栅位于所述
<...【技术特征摘要】
1.一种独立双栅铁电场效应晶体管存储器，其特征在于，包括由下至上依次设置的：衬底、埋氧层、底栅、沟道层、缓冲层、铁电层、顶栅；所述顶栅位于所述底栅正上方，所述沟道层的两端分别设有源极区和漏极区；所述缓冲层、所述铁电层和所述顶栅的侧壁上设有侧墙，对所述顶栅施加电压来实现存储器的“编程/擦除”和“读”操作，对所述底栅施加偏置电压来实现存储器的动态阈值电压控制。
2.如权利要求1所述的独立双栅铁电场效应晶体管存储器，其特征在于，所述底栅位于所述埋氧层的部分上表面，且所述沟道层位于所述底栅上，所述缓冲层位于所述沟道层上，所述铁电层位于所述缓冲层上，所述顶栅位于所述铁电层上。
3.如权利要求1所述的独立双栅铁电场效应晶体管存储器，其特征在于，所述源极区和所述漏极区位于所述沟道层两端，且向下延伸至所述埋氧层上表面，向上形成有抬高层。
4.如权利要求1所述的独立双栅铁电场效应晶体管存储器，其特征在于，所述顶栅为金属栅，所述底栅为掺杂半导体，所述沟道层的材料包括但不限于：硅、锗、硅锗、碳化硅以及其他半导体。
5.如权利要求1所述的独立双栅铁电场效应晶体管存储器，其特征在于，所述底栅与所述沟道层掺杂类型相反形成pn结，且所述底栅掺杂半导体的掺杂浓度远高于所述沟道层掺杂半导体的掺杂浓度；所述底栅与所述源极区、所述漏极区掺杂类型相反分别形成pn结，且所述底栅掺杂半导体的掺杂浓度与所述源极区...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭强祥，王振国，曾斌建，廖敏，杨琼，
申请(专利权)人：湘潭大学，
类型：发明
国别省市：
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