本申请的课题在于提供一种因加热导致的暗电流值的上升得到抑制的光电转换元件。本发明专利技术涉及一种光电转换元件，其包括一对电极、设于所述一对电极间的含有p型半导体(P)的活性层、以及设于所述一对电极中的任一电极与所述活性层间的含有电介质(D)的缓冲层，所述电介质(D)的带隙为4eV以上且相对介电常数为20以上，所述元件满足下述式(1)。Ec‑E(L)>0.8eV(1)(在式(1)中，Ec表示所述电介质(D)所具有的导带的底端中的能级，E(L)表示所述p型半导体(P)的LUMO能级)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光电转换元件。
技术介绍
1、例如，从节能、降低二氧化碳的排放量的观点出发，光电转换元为一种极其有用器件，备受瞩目。
2、光电转换元件即使为未被光照射的黑暗状态，也存在产生光电转换、电流流动的情况。将光电转换元件用作光检测元件(opd)时，由于施加的暗电流产生噪声，使光检测的s/n比下降，因此可实现暗电流值的降低。例如，在非专利文献1的技术中，为了获得电子阻挡效果，而使用氧化镍、氧化钼、氧化钒、氧化钨等金属氧化物半导体。
3、现有技术文献
4、非专利文献
5、非专利文献1：nanomaterials，2021，11(6)，1404
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、光电转换元件存在形成于基板等后的工序中例如在被安装至成像装置的工序中被加热的情况。非专利文献1中记载的光电转换元件存在因加热导致暗电流值大幅上升的问题。
3、因此，寻求一种可由加热引起的暗电流值的上升被抑制的光电转换元件。
4、用以解决问题的手段
5、本专利技术人为解决上述问题而进行深入研究，从而完成了本专利技术。
6、本专利技术提供如下内容。
7、[1]一种光电转换元件，包括
8、一对电极、
9、设于所述一对电极间、含有p型半导体(p)的活性层、
10、以及设于所述一对电极中的任一电极与所述活性层间、含有电介质(d)的缓冲层，
>11、所述电介质(d)的带隙为4ev以上且相对介电常数为20以上，12、所述元件满足下述式(1)，
13、ec-e(l)>0.8ev (1)
14、(在式(1)中，ec表示在所述电介质(d)所具有的导带(conduction band)的底端中的能级，e(l)表示所述p型半导体(p)的lumo能级。)
15、[2]根据[1]所述的光电转换元件，所述电介质(d)为含有由铪氧化物、锆氧化物以及钽氧化物构成的群中选择的1种以上的氧化物。
16、[3]根据[1]或[2]所述的光电转换元件，所述p型半导体(p)为共轭系高分子化合物。
17、[4]根据[1]～[3]中任一项所述的光电转换元件，所述p型半导体(p)为含有下述式(i)所示的结构单元和/或下述式(ii)所示的结构单元的高分子化合物。
18、[化1]
19、
20、(在式(i)中，ar1和ar2各自相互独立地表示可具有取代基的3价芳香族杂环基，z表示下述式(z-1)～式(z-7)中的任意1个所示的基团。
21、[化2]
22、
23、(在式(z-1)～(z-7)中，r表示
24、氢原子、
25、卤素原子、
26、可具有取代基的烷基、
27、可具有取代基的环烷基、
28、可具有取代基的烯基、
29、可具有取代基的环烯基、
30、可具有取代基的炔基、
31、可具有取代基的环炔基、
32、可具有取代基的芳基、
33、可具有取代基的烷氧基、
34、可具有取代基的环烷氧基、可具有取代基的芳氧基、
35、可具有取代基的烷硫基、
36、可具有取代基的环烷硫基、
37、可具有取代基的芳硫基、
38、可具有取代基的1价杂环基、
39、可具有取代基的取代氨基、
40、可具有取代基的亚胺残基、
41、可具有取代基的酰胺基、
42、可具有取代基的酰亚胺基、
43、可具有取代基的取代氧基羰基、
44、氰基、
45、硝基、
46、-c(＝o)-rc所示的基团或
47、-so2-rd所示的基团，
48、rc和rd各自独立地表示
49、氢原子、
50、可具有取代基的烷基、
51、可具有取代基的环烷基、
52、可具有取代基的芳基、
53、可具有取代基的烷氧基、
54、可具有取代基的环烷氧基、
55、可具有取代基的芳氧基或
56、可具有取代基的1价杂环基。
57、在式(z-1)～式(z-7)中，r有2个时，2个r可以相同也可以不同。)
58、[化3]
59、-ar3- (ii)
60、(在式(ii)中，ar3表示2价芳香族杂环基。)
61、[5]根据[1]～[4]中任一项所述的光电转换元件，其用于光检测元件。
62、专利技术的效果
63、根据本专利技术，可以提供一种由加热引起的暗电流值的上升得到抑制的光电转换元件。
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【技术保护点】
1.一种光电转换元件，包括：
2.根据权利要求1所述的光电转换元件，所述电介质(D)为含有由铪氧化物、锆氧化物以及钽氧化物构成的群中选择的1种以上的氧化物。
3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，所述p型半导体(P)为共轭系高分子化合物。
4.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，所述p型半导体(P)为含有下述式(I)所示的结构单元和/或下述式(II)所示的结构单元的高分子化合物，
5.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，所述光电转换元件用于光检测元件。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种光电转换元件，包括：
2.根据权利要求1所述的光电转换元件，所述电介质(d)为含有由铪氧化物、锆氧化物以及钽氧化物构成的群中选择的1种以上的氧化物。
3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，所述p型半导体(p)为共轭系高分...
【专利技术属性】
技术研发人员：鬼塚裕也，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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