【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光电转换元件。
技术介绍
1、例如，从节能、降低二氧化碳的排放量的观点出发，光电转换元为一种极其有用器件，备受瞩目。
2、光电转换元件即使为未被光照射的黑暗状态，也存在产生光电转换、电流流动的情况。将光电转换元件用作光检测元件(opd)时，由于施加的暗电流产生噪声，使光检测的s/n比下降，因此可实现暗电流值的降低。例如，在非专利文献1的技术中，为了获得电子阻挡效果，而使用氧化镍、氧化钼、氧化钒、氧化钨等金属氧化物半导体。
3、现有技术文献
4、非专利文献
5、非专利文献1：nanomaterials，2021，11(6)，1404
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、光电转换元件存在形成于基板等后的工序中例如在被安装至成像装置的工序中被加热的情况。非专利文献1中记载的光电转换元件存在因加热导致暗电流值大幅上升的问题。
3、因此，寻求一种可由加热引起的暗电流值的上升被抑制的光电转换元件。
...【技术保护点】
1.一种光电转换元件，包括：
2.根据权利要求1所述的光电转换元件，所述电介质(D)为含有由铪氧化物、锆氧化物以及钽氧化物构成的群中选择的1种以上的氧化物。
3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，所述p型半导体(P)为共轭系高分子化合物。
4.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，所述p型半导体(P)为含有下述式(I)所示的结构单元和/或下述式(II)所示的结构单元的高分子化合物，
5.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，所述光电转换元件用于光检测元件。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种光电转换元件，包括：
2.根据权利要求1所述的光电转换元件，所述电介质(d)为含有由铪氧化物、锆氧化物以及钽氧化物构成的群中选择的1种以上的氧化物。
3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，所述p型半导体(p)为共轭系高分...
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