【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
1.本公开的各方面整体涉及包括去耦电容器的设备，并且更具体地但不排他地涉及包括硅(si)电容器、硅中介体的设备及其制造技术。2.相关技术描述由于对瞬时地供应大电流的大需求，因此在先进技术节点中电源噪声减轻是一个关键挑战。功率分配网络与地分配网络之间的去耦电容器用于减小逻辑电路所经历的电压波动。去耦电容器的两倍增大(例如，250nf对500nf)可将pdn阻抗减小十倍(例如，从400mω到40mω)。然而，为了增大电容，使用大电容器，从而增加成本、面积并增大漏过功率消耗。更薄中介体的未来趋势也是对电容密度的挑战。更薄中介体趋势(例如，当前设计是50微米(μm)，其趋向于30μm)可能导致电容器密度降低大约百分之四十，这导致增加的芯片面积和成本。因此，存在对克服常规设计的缺陷的系统、装置和方法(包括本文在以下公开中提供的方法、系统和装置)的需求。
技术介绍
技术实现思路
1、以下给出了与本文所公开的各装置和方法相关联的一个或多个方面和/或示例相关的简化概述。如此，以下概述既不应被视为与所有构想的方面和/或示例相关的详尽纵览，以下概述也不应被认为标识与所有构想的方面和/或示例相关的关键性或决定性要素或描绘与任何特定方面和/或示例相关联的范围。相应地，以下概述的唯一目的是在以下给出的详细描述之前以简化形式呈现与关于本文所公开的装置和方法的一个或多个方面和/或示例相关的某些概念。
2、根据本文所公开的各个方面，至少一个方面包括一种包括金属-绝缘体-金属(mim)电容器的装置。该mim电容器包
3、根据本文所公开的各个方面，至少一个方面包括一种用于制造包括金属-绝缘体-金属(mim)电容器的装置的方法。该方法包括：在硅(si)基板中形成多个沟槽；在该多个沟槽中形成多孔si表面，其中该多孔si表面具有在该多个沟槽的侧壁和底部上的不规则表面；在该多孔si表面上保形地沉积氧化物层；在该氧化物层上保形地沉积第一板；在该第一板上保形地沉积第一电介质层；以及在该第一电介质上保形地沉积第二板，其中该第一板、该第一电介质层和该第二板各自具有大体上与该多孔si表面的该不规则表面适形的不规则表面。
4、基于附图和具体实施方式，与本文所公开的各装置和方法相关联的其他特征和优点对本领域技术人员而言将是明了的。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种装置，包括金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，所述MIM电容器包括：
2.根据权利要求1所述的装置，还包括：
3.根据权利要求1所述的装置，还包括：
4.根据权利要求1所述的装置，还包括：
5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述多个管芯接触件通过铜对铜杂化键耦合到所述MIM电容器的所述电极。
6.根据权利要求4所述的装置，还包括：
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述Si中介体还包括至少一个穿硅过孔(TSV)，其中所述至少一个TSV通过所述多个管芯接触件中的至少一个管芯接触件电耦合到所述管芯。
8.根据权利要求7所述的装置，其中所述多个管芯接触件通过铜对铜杂化键耦合到所述MIM电容器的所述电极。
9.根据权利要求7所述的装置，还包括：
10.根据权利要求9所述的装置，还包括：
11.根据权利要求10所述的装置，其中所述管芯和所述第二管芯通过铜对铜杂化键耦合到所述Si中介体。
12.根据权利要求1所述的装置，其中所述MIM电容器具有小于30
13.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置选自：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、物联网(IoT)设备、膝上型计算机、服务器、接入点、基站以及机动车辆中的设备。
14.一种用于制造包括金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的装置的方法，所述方法包括：
15.根据权利要求14所述的方法，还包括：
16.根据权利要求14所述的方法，还包括：
17.根据权利要求14所述的方法，还包括：
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述多个管芯接触件通过铜对铜杂化键耦合到所述MIM电容器的所述电极。
19.根据权利要求17所述的方法，还包括：
20.根据权利要求19所述的方法，其中形成所述Si中介体还包括形成至少一个穿硅过孔(TSV)，其中所述至少一个TSV通过所述多个管芯接触件中的至少一个管芯接触件电耦合到所述管芯。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述多个管芯接触件通过铜对铜杂化键耦合到所述MIM电容器的所述电极。
22.根据权利要求20所述的方法，还包括：
23.根据权利要求22所述的方法，还包括：
24.根据权利要求23所述的方法，其中所述管芯和所述第二管芯通过铜对铜杂化键耦合到所述Si中介体。
25.根据权利要求14所述的方法，其中所述MIM电容器具有小于30微米的厚度。
26.根据权利要求14所述的方法，其中所述装置选自：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、物联网(IoT)设备、膝上型计算机、服务器、接入点、基站以及机动车辆中的设备。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种装置，包括金属-绝缘体-金属(mim)电容器，所述mim电容器包括：
2.根据权利要求1所述的装置，还包括：
3.根据权利要求1所述的装置，还包括：
4.根据权利要求1所述的装置，还包括：
5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述多个管芯接触件通过铜对铜杂化键耦合到所述mim电容器的所述电极。
6.根据权利要求4所述的装置，还包括：
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述si中介体还包括至少一个穿硅过孔(tsv)，其中所述至少一个tsv通过所述多个管芯接触件中的至少一个管芯接触件电耦合到所述管芯。
8.根据权利要求7所述的装置，其中所述多个管芯接触件通过铜对铜杂化键耦合到所述mim电容器的所述电极。
9.根据权利要求7所述的装置，还包括：
10.根据权利要求9所述的装置，还包括：
11.根据权利要求10所述的装置，其中所述管芯和所述第二管芯通过铜对铜杂化键耦合到所述si中介体。
12.根据权利要求1所述的装置，其中所述mim电容器具有小于30微米的厚度。
13.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置选自：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、物联网(iot)设备、膝上型计算机、服务器、接入点、基站以及机动车辆中的设备。
14.一种用于制造包...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·达塔，金钟海，JH·兰，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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