【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种复合材料及其制备方法、发光器件及显示装置。
技术介绍
1、量子点具有由于其光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、量子产额高等优点，加上可利用印刷工艺制备，所以基于量子点的发光二极管(即量子点发光二极管：qled)近来受到人们的普遍关注，其器件性能指标也发展迅速。
2、目前qled器件的电子传输层多采用无机半导体材料，例如zno、znalo、znmgo、znino等，但是这些纳米颗粒表面仍存在较多缺陷，影响了其电子传输性能，另外这些无机半导体颗粒的溶液不能长时间存放，长时间存放过程中溶液中纳米颗粒易发生团聚进而沉淀，从而影响其性能，这样就限制了工业化应用。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种复合材料及其制备方法、发光器件及显示装置，旨在改善现有无机半导体颗粒稳定性差的问题。
2、本申请实施例提供了一种复合材料，所述复合材料包括无机半导体颗粒以及连接在所述无机半导体颗粒表面的修饰材料，所述修饰材料具有式(i)所示的结构：
3、
4、其中，n1为0～4，n2为1～4，且n1+n2为1～5，n1和n2均为整数；
5、r3选自氘、具有1至10个c原子的烷基、具有1至10个c原子的烷氧基、具有1至10个c原子的酮基、具有2至10个c原子的烷氧基羰基、羟基、卤素、具有2至10个c原子的烯基、具有2至10个c原子的炔基或其任意的组合。
6、可选的，在本申
7、n1为1或2，n2为1或2，且r3选自氘、具有1至5个c原子的烷基、卤素或其任意的组合。
8、可选的，在本申请的一些实施例中，所述修饰材料选自2-三氟甲基苯硫醇、3-三氟甲基苯硫醇、4-三氟甲基苯硫醇中的至少一种。
9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述无机半导体颗粒包括非掺杂型金属氧化物颗粒及掺杂型金属氧化物颗粒中的至少一种。
10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述无机半导体颗粒为n-型半导体颗粒；和/或，
11、所述非掺杂型金属氧化物颗粒的材料选自zno、bao、tio2、sno2、ta2o3、zro2中的至少一种；和/或；
12、所述掺杂型金属氧化物颗粒包括掺杂元素和金属氧化物；所述掺杂元素选自铝元素、镁元素、锂元素、锰元素、钇元素、镧元素、铜元素、镍元素、锆元素、铈元素、钆元素中的至少一种；所述金属氧化物选自zno、bao、tio2、sno2、ta2o3、zro2中的至少一种；和/或，
13、所述无机半导体颗粒的平均粒径为6～11nm。
14、相应的，本申请实施例还提供一种复合材料的制备方法，包括：
15、提供无机半导体颗粒、修饰材料及溶剂；
16、将无机半导体颗粒、修饰材料及溶剂混合，反应，得到所述复合材料；
17、其中，所述无机半导体颗粒包括非掺杂型金属氧化物颗粒及掺杂型金属氧化物颗粒中的至少一种；
18、所述修饰材料具有式(i)所示的结构。
19、可选的，在本申请的一些实施例中，所述反应后还包括：加入沉淀剂，以沉淀析出所述复合材料，其中，所述沉淀剂选自庚烷、正己烷、环己烷中的至少一种。
20、可选的，在本申请的一些实施例中，所述无机半导体颗粒、所述修饰材料及所述溶剂形成的溶液体系中，所述无机半导体颗粒的浓度范围为20～40mg/ml；和/或，
21、所述无机半导体颗粒与所述修饰材料的摩尔比为1:0.05～2；和/或，
22、所述溶剂选自甲醇、乙醇、丙醇、正丁醇中的至少一种。
23、相应的，本申请实施例还提供一种发光器件，包括层叠的阳极、发光层、电子传输层及阴极，所述电子传输层的材料包括所述的复合材料。
24、可选的，在本申请的一些实施例中，所述阳极的材料选自掺杂金属氧化物电极、复合电极、石墨烯电极、碳纳米管电极中的至少一种；所述掺杂金属氧化物电极的材料选自ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo及amo中的至少一种；所述复合电极选自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns、zns/al/zns中的至少一种；和/或，
25、所述发光层的材料包括有机发光材料和量子点发光材料，所述有机发光材料选自4,4'-双(n-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-c2,n)合铱(iii)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-c2,n)合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、tbpe荧光材料、ttpx荧光材料、tbrb荧光材料及dbp荧光材料中的至少一种；所述量子点发光材料选自单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的至少一种；所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核材料及核壳结构量子点的壳层材料分别选自所述单一结构量子点的材料选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种；所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种；所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种；所述iii-v族化合物选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的至少一种；所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括无机半导体颗粒以及连接在所述无机半导体颗粒表面的修饰材料，所述修饰材料具有式(I)所示的结构：
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述修饰材料选自2-三氟甲基苯硫醇、3-三氟甲基苯硫醇、4-三氟甲基苯硫醇中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述无机半导体颗粒包括非掺杂型金属氧化物颗粒及掺杂型金属氧化物颗粒中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的复合材料，其特征在于，所述无机半导体颗粒为n-型半导体颗粒；和/或，
6.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述反应后还包括：加入沉淀剂，以沉淀析出所述复合材料，其中，所述沉淀剂选自庚烷、正己烷、环己烷中的至少一种。
8.根据权利要求6～7任一项所述的制备方法，其特征在于，
9.一种发光器件，包括层叠的阳极、发光层、电子传输层及阴极，其特征在于，所述电子传输层的
10.根据权利要求9所述的发光器件，其特征在于，
11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求9～10任一项所述的发光器件。
...【技术特征摘要】
1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括无机半导体颗粒以及连接在所述无机半导体颗粒表面的修饰材料，所述修饰材料具有式(i)所示的结构：
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述修饰材料选自2-三氟甲基苯硫醇、3-三氟甲基苯硫醇、4-三氟甲基苯硫醇中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述无机半导体颗粒包括非掺杂型金属氧化物颗粒及掺杂型金属氧化物颗粒中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的复合材料，其特征在于，所述无机半导体颗粒为n-型半导体颗粒；和/或，
6.一种复合材料的制备方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：李龙基，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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