【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种光电器件的制备方法、光电器件及显示装置。
技术介绍
1、有机电致发光器件(oled)和量子点电致发光器件(qled)等光电器件得到越来越广泛的应用和关注。oled和qled等光电器件的结构主要包括阳极、空穴功能层、发光层、电子功能层及阴极。在电场的作用下，光电器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
2、然而，qled和oled等光电器件在研发及量产过程中依旧存在着很多问题，比如光学性能及电学性能等性能稳定性不佳，而性能稳定性不佳严重影响和制约着qled和oled等显示器件的应用。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种光电器件的制备方法、光电器件及显示装置，旨在提高光电器件性能稳定性。
2、本申请实施例是这样实现的，提供一种光电器件的制备方法，所述制备方法包括：提供预制器件，所述预制器件中包括层叠的界面层和电子功能层；对所述界面层和电子功能层进行电子束辐照退火处理，得到光电器件。
3、可选的，在本申请的一些实施例中，所述预制器件中包括层叠的阳极、发光层、所述电子功能层和所述界面层；所述对所述界面层和电子功能层进行电子束辐照退火处理，包括：从所述界面层远离所述发光层的一侧进行电子束辐照，以对所述界面层和电子功能层进行第一次子电子束辐照退火处理；所述对所述界面层和电子功能层进行第一次子电子束辐
4、可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述界面层上设置阴极之后，包括：从所述阴极远离所述发光层的一侧进行电子束辐照，以对所述阴极、所述界面层和所述电子功能层进行第二次子电子束辐照退火处理。
5、可选的，在本申请的一些实施例中，所述预制器件中包括层叠的阳极、发光层、电子功能层、界面层和阴极；所述对所述电子功能层和界面层进行电子束辐照退火处理，包括：从所述阴极远离所述发光层的一侧进行电子束辐照，以对所述阴极、所述界面层和所述电子功能层进行所述电子束辐照退火处理。
6、可选的，在本申请的一些实施例中，所述预制器件中包括层叠的阴极、界面层和电子功能层；所述对所述电子功能层和界面层进行电子束辐照退火处理，包括：从所述电子功能层远离所述界面层的一侧进行电子束辐照或者从所述阴极远离所述界面层的一侧进行电子束辐照，以对所述阴极、界面层和电子功能层进行所述电子束辐照退火处理；所述对所述界面层和电子功能层进行电子束辐照退火处理之后，包括：在所述电子功能层上设置层叠的发光层和阳极。
7、可选的，在本申请的一些实施例中，所述界面层的材料包括石墨烯、聚甲基丙烯酸甲酯、三芳胺，二苯代乙烯，联苯二胺中的至少一种；和/或所述界面层的厚度为2～10nm。
8、可选的，在本申请的一些实施例中，所述电子束辐照退火处理的电子束斑的平均功率为1×103～1×104w/cm2，电子束的加速电压为1×102～1×103v，时间为1×10-1～1×10-2s。
9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述对所述界面层和电子功能层进行电子束辐照退火处理，包括：在-30～-10℃的处理环境中，对所述石墨烯层和电子功能层进行电子束辐照退火处理。
10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述电子功能层的厚度为30～60nm；和/或所述电子功能层的材料选自掺杂无机纳米晶或未掺杂无机纳米晶，所述未掺杂无机纳米晶选自氧化锌、二氧化钛、二氧化锡、氧化铝、氧化钙、二氧化硅、氧化镓、氧化锆、氧化镍、三氧化二锆、三氧化二钽、三氧化二铝、氟化锂、氟化镁、磷化镁、溴化铷、碳酸铷中的至少一种，所述掺杂无机纳米晶包括所述未掺杂无机纳米晶和掺杂元素，所述掺杂元素选自pb、sn、cu、ni、cd、cr、mn、co、fe、ge、yb、eu、mg、al、li中的至少一种。
11、可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光层的材料选自量子点材料，所述量子点材料选自单一结构量子点、核壳结构量子点、掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体以及有机-无机杂化钙钛矿型半导体中的至少一种，所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、ii-v族化合物、iii-vi化合物、iv-vi族化合物、i-iii-vi族化合物、ii-iv-vi族化合物和iv族单质中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cdse、cds、cdte、znse、zns、cdte、znte、cdzns、cdznse、cdznte、znses、znsete、zntes、cdses、cdsete、cdtes、cdznses、cdznsete及cdznste中的至少一种，所述iii-v族化合物选自inp、inas、gap、gaas、gasb、aln、alp、inasp、innp、innsb、gaalnp及inalnp中的至少一种，所述i-iii-vi族化合物选自cuins2、cuinse2及agins2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自所述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自cds、cdte、cdsete、cdznse、cdzns、cdses、znse、znses和zns中的至少一种；所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为amx3，其中a为cs+离子，m为二价金属阳离子，选自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一种，x为卤素阴离子，选自cl-、br-、i-中的至少一种；所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为bmx3，其中b为有机胺阳离子，选自ch3(ch2)n-2nh3+或nh3(ch2)nnh32+，其中n≥2，m为二价金属阳离子，选自pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的至少一种，x为卤素阴离子，选自cl-、br-、i-中的至少一种；和/或所述阴极和所述阳极各自独立选自金属电极以及掺杂或非掺杂金属氧化物电极中的一种或者多种形成的复合电极；其中，所述金属电极的材料选自al、ag、cu、mo、au、ba、ca以及mg中的至少一种；所述掺杂或非掺杂金属氧化物电极的材料选自ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo以及amo中的至少一种；所述复合电极的材料选自azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2以及tio2/al/tio2中的至少一种。
12、相应的，本申请实施例还提供一种光电器件，所述光电器件通过上述的光电器件的制备方法制备得到。
13、相应的，本申请实施例还提供一种显示装本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种光电器件的制备方法，其特征在于，
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预制器件中包括层叠的阳极、发光层、所述电子功能层和所述界面层；
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述界面层上设置阴极之后，包括：
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预制器件中包括层叠的阳极、发光层、电子功能层、界面层和阴极；
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预制器件中包括层叠的阴极、界面层和电子功能层；
6.如权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述界面层的材料包括石墨烯、聚甲基丙烯酸甲酯、三芳胺，二苯代乙烯，联苯二胺中的至少一种；和/或
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电子束辐照退火处理的电子束斑的平均功率为1×103～1×104W/cm2，电子束的加速电压为1×102～1×103V，时间为1×10-1～1×10-2s。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述界面层和电子功能层进行电子束辐照退火处理，包括：
<...【技术特征摘要】
1.一种光电器件的制备方法，其特征在于，
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预制器件中包括层叠的阳极、发光层、所述电子功能层和所述界面层；
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述在所述界面层上设置阴极之后，包括：
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预制器件中包括层叠的阳极、发光层、电子功能层、界面层和阴极；
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预制器件中包括层叠的阴极、界面层和电子功能层；
6.如权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述界面层的材料包括石墨烯、聚甲基丙烯酸甲酯、三芳胺，二苯代乙烯，联苯二胺中的至少一种；和/或
7.如权利要求1所述的制备方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：敖资通，洪佳婷，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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