非易失性存储单元结构及反铁电存储阵列结构制造技术

本技术提供一种非易失性存储单元结构及反铁电存储阵列结构，包括反铁电层而非铁电层。反铁电层可基于程序化状态及擦除状态操作，其中反铁电层分别处于完全极化对准及非极化对准(随机极化状态)。此使得FeFET中的反铁电层能够相对于基于在两个相反的完全极化状态之间切换而操作的铁电材料层为FeFET的擦除操作(例如，其中FeFET自程序化状态切换或转换至擦除状态)提供更陡/更大的电压降。

【技术实现步骤摘要】

本技术实施例涉及半导体组件，且尤其是有关一种非易失性存储单元结构及反铁电存储阵列结构。

技术介绍

1、半导体组件用于多种电子应用中，诸如个人计算机、蜂巢式电话、数字摄影机以及其他电子设备。半导体组件通常通过在半导体衬底上方形成各种材料层(例如，绝缘层或介电层、导电层及/或半导体层)且使用光刻及刻蚀技术图案化各种材料层以在其上形成电路构件及组件来制造。半导体行业继续通过连续降低最小特征大小来改良各种电子构件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的整合密度，从而允许更多构件整合至给定区域中。

技术实现思路

1、依据本技术的实施例，一种非易失性存储单元结构，包括：位线导电结构、选择线导电结构、沟道层、反铁电层以及字线导电结构。所述沟道层在所述位线导电结构与所述选择线导电结构之间延伸。反铁电层邻近于所述沟道层。所述沟道层位于所述反铁电层与所述位线导电结构之间以及所述反铁电层与所述选择线导电结构之间。字线导电结构，邻近于所述反铁电层。所述反铁电层位于所述字线导电结构与所述沟道层之间。

2、依据本技术的实施例，一种反铁电存储阵列结构，包括多个字线导电结构、多个位线导电结构、多个选择线导电结构、反铁电层以及多个氧化物半导体层。所述多个字线导电结构，配置于第一方向上。所述多个位线导电结构及多个选择线导电结构，配置于大致垂直于所述第一方向的第二方向上。所述反铁电层，位于所述多个字线导电结构与所述多个位线导电结构之间以及所述多个字线导电结构与所述多个选择线导电结构之间。所述多个氧化物半导体层，位于所述反铁电层与所述多个位线导电结构之间及所述反铁电层与所述多个选择线导电结构之间。

3、为让本技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

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【技术保护点】

1.一种非易失性存储单元结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的非易失性存储单元结构，其特征在于，所述反铁电层为包括多种材料的单层结构；以及

3.根据权利要求2所述的非易失性存储单元结构，其特征在于，所述沟道层邻近于所述介电区。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储单元结构，其特征在于，所述非易失性存储单元结构经组态以选择性地在程序化状态与擦除状态之间转换；

5.根据权利要求4所述的非易失性存储单元结构，其特征在于，其中，在所述擦除状态下，所述非易失性存储单元结构经组态以在所述反铁电层具有随机极化对准的第二极化状态下操作。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储单元结构，其特征在于，所述反铁电层的厚度包括于2纳米至20纳米的范围内。

7.一种反铁电存储阵列结构，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的反铁电存储阵列结构，其特征在于，所述反铁电存储阵列的多个反铁电场效应晶体管中的每一者包括：

9.根据权利要求7所述的反铁电存储阵列结构，其特征在于，所述反铁电层的厚度包括于2纳米至20纳米的范围内。

10.根据权利要求7所述的反铁电存储阵列结构，其特征在于，还包括：

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【技术特征摘要】

1.一种非易失性存储单元结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的非易失性存储单元结构，其特征在于，所述反铁电层为包括多种材料的单层结构；以及

3.根据权利要求2所述的非易失性存储单元结构，其特征在于，所述沟道层邻近于所述介电区。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储单元结构，其特征在于，所述非易失性存储单元结构经组态以选择性地在程序化状态与擦除状态之间转换；

5.根据权利要求4所述的非易失性存储单元结构，其特征在于，其中，在所述擦除状态下，所述非易失性存储单元结构经组态以在所述反铁电层...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕俊颉，林佑明，张志宇，施昱全，黄怀莹，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：