【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文描述的实施方式总体涉及显示器。更具体地，本文描述的实施方式涉及子像素电路和形成子像素电路的方法，子像素电路可用于诸如有机发光二极管(oled)显示器的显示器中。
技术介绍
1、包括显示装置的输入装置可以用在各种电子系统中。有机发光二极管(oled)是一种发光二极管(led)，其中发射电致发光层是响应于电流而发射光的有机化合物的膜。如果发射的光穿过透明或半透明底部电极和基板(在所述底部电极和基板上制造面板)，则oled装置被分类为底部发射装置。顶部发射装置根据从oled装置发出的光是否通过在装置制造后添加的盖射出而分类。oled现今用于制造许多电子产品中的显示装置。现时的电子产品制造商正在推动这些显示装置缩小尺寸，同时提供比几年前更高的分辨率。
2、oled像素图案化目前基于限制面板尺寸、像素分辨率和基板尺寸的工艺。使用光刻来对像素进行图案化，而不是使用精细金属掩模。目前，oled像素图案化需要在图案化工艺后剥离(lift off)有机材料。当被剥离，有机材料留下影响oled性能的颗粒问题。相应地，本领域需要的是子像素电路和形成子像素电路的方法以增加每英寸的像素并且提供改进的oled性能。
技术实现思路
1、在一个实施方式中，提供了子像素。子像素包括阳极、悬伸结构、有机发光二极管(oled)材料和阴极。阳极由相邻的第一像素隔离结构(pis)和相邻的第二pis限定。悬伸结构设置于第一pis上。悬伸结构包括设置在第一结构上方的第二结构和设置在第二结构与第一结构之间的中间结
2、在另一个实施方式中，公开了一种装置。装置包括多条子像素线。每条子像素线至少包括第一子像素和第二子像素。第一子像素和第二子像素各自包括阳极、悬伸结构、分隔结构、有机发光二极管(oled)材料和阴极。阳极由相邻的第一像素隔离结构(pis)和相邻的第二pis限定。悬伸结构设置于第一pis上。悬伸结构包括设置在第一结构上方的第二结构和设置在第二结构与第一结构之间的中间结构。第二结构的底表面横向延伸超过第一结构的上表面。第一结构设置在第一pis上方。分隔结构设置于第二pis上方。分隔结构中的一者分隔第一像素与第二像素。oled材料设置在阳极和分隔结构的上表面上方。第一子像素和第二子像素的oled材料发射第一颜色。阴极设置在oled材料和分隔结构的上表面上方。
3、在另一个实施方式中，公开了一种形成装置的方法。方法包括以下步骤：在基板上方沉积阳极和pis层；去除pis层的部分以形成第一pis和第二pis；在基板上方沉积第一结构层、中间层和第二结构层；在第二结构层上方沉积并且图案化第一抗蚀剂；使用离子束研磨来去除第二结构层和中间层的一部分，以形成第二结构和中间结构；从第二结构去除第一抗蚀剂；在第一结构层上方沉积并且图案化第二抗蚀剂；干法蚀刻并且去除第一结构层的一部分以形成第一结构；沉积有机发光二极管(oled)材料、阴极和封装层；在第一子像素中沉积并且图案化第三抗蚀剂；灰化并且去除oled材料、阴极和封装层的一部分；和去除第三抗蚀剂。第二结构层通过溅射沉积来沉积。
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1.一种子像素，包括：
2.如权利要求1所述的子像素，其中所述第一PIS和所述第二PIS具有与所述阳极的所述上表面对准的上表面。
3.如权利要求1所述的子像素，其中所述第一结构的底表面具有第一端点和第二端点，所述第一端点延伸至或超过所述第一PIS的第一边缘，所述第二端点延伸至或超过所述第一PIS的第二边缘。
4.如权利要求1所述的子像素，其中所述分隔结构的底表面具有第一端点和第二端点，所述第一端点延伸至或超过所述第二PIS的第一边缘，所述第二端点延伸至或超过所述第二PIS的第二边缘。
5.如权利要求1所述的子像素，其中所述中间结构为粘附层。
6.如权利要求5所述的子像素，其中所述粘附层包括铬材料。
7.如权利要求1所述的子像素，其中所述中间结构为种晶层。
8.如权利要求7所述的子像素，其中所述种晶层包括钛材料。
9.如权利要求1所述的子像素，其中所述第一结构包括非晶硅(a-Si)、钛(Ti)、氮化硅(Si3N4)、氧化硅(SiO2)、或氮氧化硅(Si2N2O)。
10.如权
11.如权利要求1所述的子像素，其中所述第一PIS和所述第二PIS设置在基底层上方，所述基底层设置在基板上。
12.一种装置，包含：
13.如权利要求12所述的装置，其中所述第一PIS和所述第二PIS具有与所述阳极的所述上表面对准的上表面。
14.如权利要求12所述的装置，其中所述第一结构的底表面具有第一端点和第二端点，所述第一端点延伸至或超过所述第一PIS的第一边缘，所述第二端点延伸至或超过所述第一PIS的第二边缘。
15.如权利要求12所述的装置，其中所述分隔结构的底表面具有第一端点和第二端点，所述第一端点延伸至或超过所述第二PIS的第一边缘，所述第二端点延伸至或超过所述第二PIS的第二边缘。
16.如权利要求12所述的装置，其中所述中间结构为粘附层。
17.如权利要求16所述的装置，其中所述粘附层包括铬材料。
18.如权利要求12所述的装置，其中所述中间结构为种晶层。
19.如权利要求18所述的装置，其中所述种晶层包括钛材料。
20.如权利要求12所述的装置，其中所述第一结构包括非晶硅(a-Si)、钛(Ti)、氮化硅(Si3N4)、氧化硅(SiO2)、或氮氧化硅(Si2N2O)。
21.如权利要求12所述的装置，其中所述第二结构包括铜(Cu)材料。
22.如权利要求12所述的装置，其中所述第一PIS和所述第二PIS设置在基底层上方，所述基底层设置在基板上。
23.如权利要求12所述的装置，其中所述第二结构的所述底表面所具有的宽度大于所述第二结构的上表面的宽度。
24.如权利要求12所述的装置，其中所述第二结构的上表面所具有的宽度大于所述第二结构的所述底表面的宽度。
25.一种形成装置的方法，包括以下步骤：
26.如权利要求25所述的方法，其中所述中间层包括铬材料。
27.如权利要求25所述的方法，其中所述中间层具有小于约50nm的厚度。
28.如权利要求25所述的方法，其中所述第二结构层包括铜(Cu)材料。
29.如权利要求25所述的方法，其中所述第二结构层具有约0.15μm至约0.25μm的厚度。
30.如权利要求25所述的方法，其中所述第一结构层包括非晶硅(a-Si)、钛(Ti)、氮化硅(Si3N4)、氧化硅(SiO2)、或氮氧化硅(Si2N2O)。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种子像素，包括：
2.如权利要求1所述的子像素，其中所述第一pis和所述第二pis具有与所述阳极的所述上表面对准的上表面。
3.如权利要求1所述的子像素，其中所述第一结构的底表面具有第一端点和第二端点，所述第一端点延伸至或超过所述第一pis的第一边缘，所述第二端点延伸至或超过所述第一pis的第二边缘。
4.如权利要求1所述的子像素，其中所述分隔结构的底表面具有第一端点和第二端点，所述第一端点延伸至或超过所述第二pis的第一边缘，所述第二端点延伸至或超过所述第二pis的第二边缘。
5.如权利要求1所述的子像素，其中所述中间结构为粘附层。
6.如权利要求5所述的子像素，其中所述粘附层包括铬材料。
7.如权利要求1所述的子像素，其中所述中间结构为种晶层。
8.如权利要求7所述的子像素，其中所述种晶层包括钛材料。
9.如权利要求1所述的子像素，其中所述第一结构包括非晶硅(a-si)、钛(ti)、氮化硅(si3n4)、氧化硅(sio2)、或氮氧化硅(si2n2o)。
10.如权利要求1所述的子像素，其中所述第二结构包括铜(cu)材料。
11.如权利要求1所述的子像素，其中所述第一pis和所述第二pis设置在基底层上方，所述基底层设置在基板上。
12.一种装置，包含：
13.如权利要求12所述的装置，其中所述第一pis和所述第二pis具有与所述阳极的所述上表面对准的上表面。
14.如权利要求12所述的装置，其中所述第一结构的底表面具有第一端点和第二端点，所述第一端点延伸至或超过所述第一pis的第一边缘，所述第二端点延伸至或超过所述第一pis的第二边缘。
15.如权利要求12所述的装置，其中所述分隔结构的底表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：李汀珉，陈重嘉，郑知泳，林裕新，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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