一种方法包括以下步骤：接收与由制造设备所生产的第一基板相关联的第一计量数据。该方法进一步包括以下步骤：利用包括该第一计量数据的数据输入训练第一机器学习模型，以产生第一经训练的机器学习模型。该第一经训练的机器学习模型能够降低与由第二制造设...

一种电子器件制造系统，包括：传输腔室、位于该传输腔室内的工具站、与该传输腔室耦合的处理腔室、以及传输腔室机器人。该传输腔室机器人被配置为向该处理腔室传输基板和从该处理腔室传输基板。该传输腔室机器人被进一步配置为耦合至包括一个或多个传感器...

描述了半导体组件和其制造方法。提供硅晶片，并在硅晶片上形成埋入式蚀刻终止层。然后，使晶片接受组件和前端工艺。在前端工艺后，晶片经历了混合键结，然后晶片被薄化。为了薄化晶片，具有起始第一厚度的硅基板层被研磨成第二厚度，第二厚度比第一厚度小...

一种系统，包括：处理设备，与该存储器设备可操作地耦接，以执行包括以下步骤的操作：获得与在工艺腔室中依据配方执行的用以在基板的表面上沉积膜的沉积工艺相关联的多个传感器值；基于该多个传感器值来产生制造数据图；经由用户界面接收对该制造图上的数...

一种间隙填充基板上的特征的方法通过使用卤化钨浸泡处理来减小特征到特征间隙填充高度变化。在一些实施例中，所述方法可包括将基板加热至大约350摄氏度到大约450摄氏度的温度，在大约5托至大约25托的工艺压力下将基板暴露于卤化钨气体，用卤化钨...

描述了支座组件、用于支座组件的冲洗环、及用于增加边缘冲洗气体在加热的支座组件中的停留时间的处理方法。冲洗环具有限定冲洗环的厚度的内直径面和外直径面、限定冲洗环的高度的顶部表面和底部表面、和热膨胀特征。冲洗环包括延伸穿过厚度并与基板支撑件...

本文提供处理配件及包含此处理配件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理配件包括沉积环，所述沉积环被配置而设置在基板支撑件上，所述基板支撑件被设计为用于支撑具有给定宽度的基板，所述沉积环包含：环形带，所述环形带被配置为搁置在所述基板...

形成组件的方法包括在基板上形成介电层，该介电层包含至少一个特征结构，该至少一个特征结构界定包含侧壁及底部的间隙。在间隙的底部上形成自组装单层(SAM)，及在阻挡层上选择性沉积金属衬垫之前在SAM上形成该阻挡层。在阻挡层上选择性沉积金属衬...

本文揭示的实施方式包括一种用于确定高温计的温度误差的方法。在一实施方式中，该方法包含用该高温计的第一传感器测量第一信号及用该高温计的第二传感器测量第二信号。在一实施方式中，该方法进一步包含根据该第一信号及该第二信号确定反射板的反射率，及...

本文公开了传递腔室机器人及其使用方法的实施方式。在一个实施方式中，一种用于电子器件制造系统的处理工具包含传递腔室、耦接到传递腔室的处理腔室、及传递腔室机器人。传递腔室机器人经配置为将基板传递到处理腔室及从处理腔室传递基板，并且包含经配置...

示例性浆料递送组件可包括浆料流体源。组件可包括具有管腔入口和管腔出口的浆料递送管腔。管腔入口可与浆料流体源的输出流体耦接。组件可包括与管腔出口流体耦接的解块管。解块管可包括管入口和管出口。组件可包括与解块管耦接的一个或多个超声波换能器。

本文提供的实施例包括一种用于使用刷子转盘组件清洁基板的第一表面的系统和方法。在一个实施例中，刷子转盘组件包括一个或多个可旋转刷子安装组件，所述一个或多个可旋转刷子安装组件耦合到可旋转托架，具有被配置成围绕托架轴线旋转的托架支撑结构。刷子...

公开了用于形成硅化物膜的方法。公开了在被进一步处理以形成硅化物膜的硅表面上选择性地沉积含金属膜的方法。本公开的具体的实施方式涉及在FinFET结构上形成硅化物膜而不在电介质上形成金属层。

本公开内容提供一种用于在真空沉积工艺中在基板上进行材料沉积的设备。所述设备包括：靶材支撑件；两个或更多个靶材分段，所述两个或更多个靶材分段由所述靶材支撑件支撑，其中在所述两个或更多个靶材分段的相邻靶材分段之间设有第一间隙；和两个或更多个...

示例性半导体处理方法可包括形成含氟前驱物的等离子体。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中执行腔室清洁。处理区域可被至少部分地限定在面板与基板支撑件之间。方法可包括在腔室清洁期间产生氟化铝。方法可包括使处理区域内的表面与含碳前驱物接触。...

一种用于清洁基板的清洁装置，包括：灯，所述灯用于在照射区域中发射紫外线辐射；外壳，所述外壳容纳灯；水偏转器，在外壳下方间隔开来，水偏转器具有用于接收臭氧水的供应的水入口及用于将通过灯照射的臭氧水排放至水偏转器下方的基板处理区域中的水出口...

本文的本公开的实施例包括用于处理基板的设备。更具体地，本公开的实施例提供基板支撑组件，所述基板支撑组件包括静电卡盘(ESC)组件。ESC组件包括：冷却基底，所述冷却基底具有顶部表面和外直径侧壁；ESC，所述ESC具有基板支撑表面、底部表...

描述了高像素密度LED结构的制造方法。方法可包括形成底板基板及LED基板。可将底板基板与LED基板接合在一起，且接合后的基板可包含LED像素阵列。LED像素中的每一者可包括一组隔离的子像素。可在LED像素中的每一者中的隔离子像素中的至少...

本文描述了一种腔室部件，所述腔室部件包括包含镍的金属层和在金属层之上的氧化镍阻挡层。氧化镍阻挡层可通过用包含氢氟酸和/或硝酸的氧化剂处理腔室部件来形成。

一种用于控制电子装置上的噪声的方法可包括以下步骤：确定与在第一配置中且包括在电子装置上的天线相关联的测量特性违反预定阈值。该方法也可包括识别第二配置中的干扰源，该干扰源可以是电子装置上的部件。干扰源可发射导致测量特性违反预定阈值的电磁(...