本公开内容涉及用于半导体制造的分析基板处理的均匀性的方法及相关设备和系统。在一个或多个实施例中，指示不均匀性，并且该不均匀性是温度不均匀性和/或物理不均匀性。在一个或多个实施例中，接受或拒绝信号轮廓。在一个或多个实施例中，一种适用于半导...

示例性半导体处理方法可包括对容纳在第一半导体处理腔室的第一处理区域内的基板执行处置操作。该方法可包括向第一半导体处理腔室的第一处理区域提供含氮前驱物。该方法可包括形成含氮前驱物的等离子体流出物。该方法可包括使基板与含氮前驱物的等离子体流...

本文所述的实施例涉及加工金属氧化物层界面以改善电子器件稳定性。例如，晶体管器件可以包括基底结构和设置在基底结构上的金属氧化物层。金属氧化物层包括至少一个区域，该区域具有关于氧气(O2)组成的梯度剖面。

公开了用于抛光液体传输臂的清洁系统。一种抛光组件包括：用以支撑抛光垫的能够旋转的工作台；抛光液体传输臂，具有在底部处开启的围护件，和一个或更多个端口，以传输抛光液体和清洁流体向下通过围护件的内部空间至抛光垫上；以及传输臂清洁工具，可移除...

本公开内容的实施例提供了一种用于化学机械抛光的具有多个圆盘的垫调节器。所述垫调节器包括：轴承环，所述轴承环连接到轴的下部分；外圆盘组件，所述外圆盘组件连接到所述轴的所述下部分，所述外圆盘组件、外圆盘挠性件、多个外圆盘设置在外圆盘的底表面...

本公开涉及用于制造半导体封装的系统和方法，并且更具体地，用于通过激光烧蚀在半导体封装中形成特征的系统和方法。在一个实施例中，本文描述的激光系统和方法可用于将用作半导体封装的封装框架的基板图案化，所述半导体封装具有穿过其形成的一个或多个互...

本公开内容涉及用于半导体制造的调整基板处理均匀性的方法和相关设备和系统。在一个或多个实施例中，施加至一组一个或多个热源的加热功率通过调整因子来调整。在一个或多个实施例中，一种调整均匀性的方法。该方法包括跨一个或多个区段扫描传感器以获取多...

刷盒清洁模块是作为集成混合结合平台中的预处置工艺流程的一部分引入的。它解决了在晶粒前侧和背侧表面上实现高清洁度水平的技术问题，特别是通过去除由背磨胶带和划片胶带引起的残留物和颗粒。所述刷盒清洁模块以化学方式和机械方式两者高效地去除难除的...

本公开内容涉及增强现实装置和相关方法。在一个或多个实施例中，一种增强现实装置包括投影系统和波导。投影系统包括投影仪和棱镜。投影仪沿着投影仪主轴投射图像。棱镜折射出具有第一光谱、第二光谱和第三光谱的图像。波导与由投影仪的主轴形成的平面成包...

本文公开了一种用于控制处理腔室中颗粒生长的方法。该方法包括在腔室中使用前驱物来执行至少一个等离子体沉积工艺以在基板上形成层。该方法还包括在至少一个等离子体沉积工艺期间向腔室提供功率，以及监测至少一个判据以确定何时将执行至少一次等离子体净...

示例性半导体处理腔室可包括腔室主体。腔室可包括腔室主体内的基板支撑件。基板支撑件可限定基板支撑表面。腔室可包括被支撑在腔室主体顶上的面板。基板支撑件和面板的底表面可至少部分地限定处理区域。面板的底表面可限定位于基板支撑表面的径向外部10...

示例性处理方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。基板可被容纳在所述处理区域中。所述基板可限定特征。所述方法可包括形成所述含硅前驱物的等离子体流出物。所述方法可包括在所述基板上沉积含硅材料。所述方法可包括向所述处理区域提供含...

本文讨论并且提供诸如柔性盖板透镜膜的柔性显示设备。柔性盖板透镜膜具有良好的强度、弹性、光学透明度、耐磨性和热稳定性。盖板透镜膜包括：硬涂层，具有从约5µm至40µm的厚度；冲击吸收层，具有从约20µm至110µm的厚度；和基板层，具有从...

一种基板支撑组件包括：加热器板，所述加热器板包括电介质材料；加热器电极，所述加热器电极嵌入加热器板内；一组分布式净化通道，所述组分布式净化通道在加热器板内形成，其中所述组分布式净化通道提供一组气体流动路径，以均衡来自加热器板内的气流并在...

所公开的系统及技术涉及制造系统中基于干涉测量的样品厚度计量。例如，所公开的技术包括将聚焦射束引导至样品的多个位置并且检测与离开相应位置且在聚焦射束与所述样品相互作用之后产生的光相关联的干涉图案(IP)。所述技术进一步包括基于与离开第一位...

提供了一种处理腔室，包括：腔室主体，封闭内部容积；第一基板支撑件和第二基板支撑件，各自定位在所述内部容积中，所述第一基板支撑件定位在所述第二基板支撑件上方；阻挡层，定位在所述第一基板支撑件与所述第二基板支撑件之间，所述内部容积包括在所述...

描述了在真空处理系统中支撑基板的基板支撑件。所述基板支撑件包括基板支撑主体，其具有用于支撑基板的前侧和与前侧相对的后侧，前侧有至少一个凹槽，有至少一个开口从后侧通往凹槽，有至少一个升举销，其轴的尺寸小于开口，且其头部的尺寸小于凹槽，升举...

本发明涉及用于处理腔室的涂覆材料。本文描述的实施方式涉及控制沉积在大基板上的SiN膜的均匀性的方法。当通过向腔室施加射频(RF)功率来激励所述腔室中的前驱物气体或气体混合物时，流过等离子体的RF电流在电极间间隙中产生驻波效应(SWE)。...

一种基于小芯片的架构可量化或减少人工智能处理器中的数据路径的各个级处的位数量。该架构可利用一起量化多个维度之间的协同作用来大幅度减少存储器使用和数据路径带宽。可在训练程序之后静态量化内部权重。可在推理操作期间动态量化累加器位和激活位。新...

本技术包括具有改进浮体效应的垂直单元阵列晶体管（VCAAT）。这些阵列包括沿第一水平方向排列的一个或多个位元线和沿第二水平方向排列的一个或多个字线。阵列包括在与第一方向和第二水平方向大致正交的垂直方向上延伸的一个或多个通道，使得位元线与...