本公开是使用成形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一个实施例中，一种方法包括：向处理腔室的电极施加负跳变电压来为晶片设定晶片电压，调制所述晶片电压的振幅以产生具有不同振幅的脉冲串组序列，以及重复调制所述晶片电压的所述...

在半导体结构中形成电触点的方法包括对具有用于p型金属氧化物半导体（p‑MOS）装置的p型半导体区的半导体结构执行孔穴成形工艺，孔穴成形工艺包含在p型半导体区的暴露表面中形成第一孔穴，执行第一选择性沉积工艺以选择性在第一孔穴中形成第一孔穴...

本文提供的实施例总体包括用于产生对处理腔室中的基板进行等离子体处理的波形的设备、等离子体处理系统和方法。一个实施例包括波形产生器，所述波形产生器具有电压源电路系统、耦合在电压源电路系统与波形产生器的第一输出节点之间的第一开关、以及耦合在...

纳米粉末包含纳米粒子，该纳米粒子具有带有薄膜涂层的核心粒子。核心粒子与薄膜涂层独立地由含稀土金属氧化物、含稀土金属氟化物、含稀土金属氟氧化物或其组合中的至少一个所形成。可使用诸如原子层沉积(ALD)的非直视性技术形成薄膜涂层。本文也公开...

公开了选择性沉积期间的表面预处理方法。本公开内容的一个或多个实施方式提供了有助于去除阻隔层的表面预处理。本公开内容的一些实施方式包括表面预处理，其包括暴露具有第一表面和第二表面的基板以修改第一表面，在经修改第一表面上沉积阻隔层，相较于阻...

提供一种用于在由处理滚筒(170)支撑的柔性基板(160)上沉积材料的蒸发设备(100)。所述蒸发设备包括第一组蒸发坩埚(110)和气体供应管(130)。第一组蒸发坩埚(110)沿第一方向排列在第一线(120)中，以产生将沉积于柔性基板...

一种方法包括获得一组串联太阳能电池器件，并在该组串联太阳能电池器件中的每个串联太阳能电池器件上，通过沉积处理形成离散的封装层，该封装层位于串联太阳能电池器件的上表面及侧表面上。

提供了用于远程等离子体源使用点的方法和设备。在实施例中，远程等离子体设备包括：壳体，所述壳体围绕空腔；第一导体，所述第一导体围绕所述壳体的第一部分；第二导体，所述第二导体围绕所述壳体的第二部分，其中所述壳体的所述第一部分与所述壳体的所述...

一种方法包括：在波导上方沉积第一前驱物，所述第一前驱物沉积在所述波导的第一光栅、第二光栅和所述第一光栅与所述第二光栅之间的中间区域上方，并且沉积至具有第一厚度。所述方法进一步包括：执行第一臭氧固化工艺，所述第一臭氧固化工艺固化所述第一前...

一些实施例涉及一种调谐电路。调谐电路通常包括：第一阻抗；第二阻抗，耦合到第一阻抗；变压器，具有初级绕组及磁性耦合到初级绕组的次级绕组，其中初级绕组耦合到调谐电路的控制输入；以及信号路径，与第一阻抗或第二阻抗并联耦合，其中次级绕组系与第一...

本揭示案之实施例有利地提供了半导体组件，尤其系鳍式场效晶体管(FinFET)，以及制造具有提高的有效电容(Ceff)的此类组件的方法。FinFET包括闸极结构，其中藉由使安置在闸极结构与间隔物层之间的高介电常数材料层凹入来提供气隙，藉此...

本文公开的实施例包括对金属氧化物光刻胶进行干式显影的方法。在一实施例中，一种对金属氧化物光刻胶（诸如Sn基光刻胶）进行图案化的方法，包括在基板上沉积金属氧化物光刻胶，利用极紫外(EUV)曝光来曝光金属氧化物光刻胶以形成曝光区和未曝光区，...

本技术包括具有改进位线和存储节点触点电阻率和自对准的垂直单元动态随机存取存储器（DRAM）阵列，以及制造这种阵列的方法。该阵列包括在第一水平方向上布置的多条位线和在第二水平方向上布置的多条字线。该阵列包括多个沟道，在与第一方向和第二水平...

化学机械抛光系统包括：第一抛光站，所述第一抛光站包括第一工作台以支撑第一抛光垫；传送站，所述传送站用于从机器人接收基板；承载头，所述承载头可在预定路径上从抛光站移动到传送站；气体流量调节器，所述气体流量调节器具有用于载体气体的输入；液体...

半导体处理的示例性方法可包括在半导体基板上形成氮化硅层。所述氮化硅层可由第一粗糙度表征。所述方法可包括在所述氮化硅层上执行沉积后处置。所述方法可包括降低所述氮化硅层的粗糙度，使得所述氮化硅层可由小于所述第一粗糙度的第二粗糙度表征。

本公开内容的多个实施方式一般涉及富氮氮化硅和多个用以沉积富氮氮化硅的方法，和包含富氮氮化硅的多个晶体管和其他装置。在一个或多个实施方式中，一种钝化膜堆叠物包含氧化硅层，氧化硅层设置于工件上；和富氮氮化硅层，富氮氮化硅层设置于氧化硅层上。...

描述了可变孔阀，所述可变孔阀包括第一固定板、第二固定板和它们之间的可移动板。所述可移动板通过密封元件连接至所述第一固定板和所述第二固定板。所述可移动板通过致动器环的旋转而移动得更靠近或更远离所述第一固定板，所述致动器环旋转连接至所述可移...

本文所描述的实施例通常涉及基板处理设备。在一个实施例中，本文公开了一种用于基板处理腔室的处理套件。处理套件包括具有第一环部件和第二环部件的环、滑动环、和致动机构。第一环部件与第二环部件相连接，使得第二环部件可相对于第一环部件移动，从而在...

公开了使用掺杂膜层来制造存储器装置通道孔的方法。一种方法可包括提供基板及在基板上方形成垂直堆叠，其中垂直堆叠包括多个交替材料层。方法可进一步包括形成通过垂直堆叠的通道孔，沿着通道孔的侧壁形成氧化物‑氮化物‑氧化物层，在氧化物‑氮化物‑氧...

在本文中本公开的实施例包括一种用于处理基板的设备。更特定地，本公开的实施例提供了一种包括静电卡盘(ESC)组件的基板支撑组件。所述ESC组件包括冷却基底，所述冷却基底具有顶表面以及外径侧壁；ESC，所述ESC具有基板支撑表面、底表面以及...