形成含硅及碳的材料的示例性方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前体。基板可容纳在所述半导体处理腔室的所述处理区域内。所述方法可包括向所述处理区域提供含氢前体。所述方法可包括在所述处理区域中产生所述含硅前体的等离子体流出物及所述含...

可用于显示器诸如有机发光二极管（OLED）显示器中的子像素电路和形成子像素电路的方法。在一个示例中，一种设备包括：基板；像素限定层（PDL）结构，所述像素限定层（PDL）结构设置在所述基板上方并且限定所述设备的子像素；和多个悬伸结构。所...

通过在多个位置获得校准基板的顶层的地表实况厚度测量结果来训练神经网络以用于基板厚度测量系统，每一位置为在基板上制造的管芯的定义位置。获取校准基板的多个彩色图像，每一彩色图像对应于在基板上制造的管芯的区域。训练神经网络以将来自直列式基板成...

一种用于预接合检查的光学检查系统，包括：台，具有在其上置放待检查样本的表面，所述样本的表面具有二维(2D)周期图案及缺陷；光纤；透射式空间光调制器(SLM)；测量透镜，被配置为透射经由透射式SLM透射的光束；照相机，被配置为检测来自测量...

本文描述的实施方式涉及一种光学装置及形成光学装置的方法。所述光学装置包括基板、照射源、覆盖层、封装层、及钝化层。所述封装层包括第一原子层沉积(ALD)层、化学气相沉积(CVD)层、及第二ALD层。所述方法包括：在照射层上方设置覆盖层，所...

用于处理站的处理套件组件，包括盖环和遮蔽装置。该遮蔽装置包括配置为与盖环交错的下遮蔽部分。该遮蔽装置还包括上遮蔽部分，上遮蔽部分包含从上遮蔽部分的内侧延伸到外侧的遮蔽口。上遮蔽部分进一步包括在内侧形成的阴影表面，阴影表面配置为避免遮蔽口...

在一些实施方式中揭露了一种用超薄电气耗散材料涂覆以提供从涂层到接地的耗散路径的腔室部件(例如终端受动器主体)。所述涂层可以经由化学前驱物沉积来沉积以用高成本效益的方式提供均匀、保形、且不含孔隙的涂层。在所述腔室部件包括终端受动器主体的一...

本文揭示了一种用于处理来自处理腔室的流出物的方法及系统。在一个实施例中，藉由使碳氢化合物处理气体流入在其中设置有基板的处理腔室中、使用会产生有机副产物的碳氢化合物处理气体在基板上执行工艺、将有机副产物自处理腔室排放至具有减量反应区域的前...

用于检查扩散器的自动化光学检查工具包括一或多个照明来源，以照亮扩散器中的开口结构，以及影像显微镜单元（VMU），该单元包括固定镜头，以放大来自开口结构的反射光。该自动化光学检查工具进一步包括光学装置，该光学装置包含变焦镜头，该变焦镜头设...

描述了包括用于在半导体基板上形成介电膜的半导体处理方法的实施方式。所述方法可包括将含硅前体及含氮前体提供到半导体处理腔室的处理区域。基板可在所述处理区域内设置。所述方法可包括将惰性前体提供到所述半导体处理腔室的所述处理区域。所述方法可包...

方法包括通过处理装置获得工艺腔室的经校准的反馈控制装置的测量值。方法进一步包括通过处理装置基于经校准的反馈控制装置的测量值来确定工艺腔室的等离子体产生设备的第一性能指示。方法进一步包括自工艺腔室的第一传感器获得等离子体产生设备的第二性能...

本文所述的实施例系关于具有分离输入耦合器的波导组合器。在一个实施例中，提供了一种装置。该装置包括第一滤色片以从光的第一部分过滤出第一色光。该第一滤色片与第一输入耦合器对准。第一波导层设置在该第一滤色片的下方，该第一输入耦合器设置在该第一...

一种方法包括：接收基板的光谱数据以及与基板的光谱数据对应的计量数据。方法进一步包括：确定多个特征模型中的每一者的多个特征模型配置，多个特征模型配置中的每一者包括一或更多个特征模型条件。方法进一步包括：确定多个特征模型组合，其中多个特征模...

一种用于形成半导体结构的欧姆触点的方法利用物理气相沉积膜。在一些实施方式中，此方法可包含在基板上的III‑V族半导体材料中形成至少一个凹部，在此半导体材料上形成掩模，其中至少此凹部未经遮蔽，使用物理气相沉积(PVD)工艺在此凹部中沉积金...

本文公开了用于形成浮体效应减弱的3D动态随机存取内存元件的方法。在一个示例中，一种方法可以包括形成在第一方向上堆叠的多个层，所述多个层包括在第一氧化层上形成的栅极层，以及在一组栅极氧化层之间的源极/漏极(S/D)层。所述组栅极氧化层可以...

本文所披露的实施方式包括金属氧化物光刻胶的后显影处理的方法。在实施方式中，一种方法包括在基板之上沉积金属氧化物光刻胶，通过极紫外线(EUV)曝光来暴露金属氧化物光刻胶以形成已暴露区域及未暴露区域，使已暴露的金属氧化物光刻胶显影，及对经显...

公开了包括增材制造工艺的基板支撑件和相关部件。一个基板支撑组件包括静电卡盘；以及冷却基座，具有第一表面，第一表面用金属粘合材料粘合到此静电卡盘的第一表面，冷却基座包括：陶瓷主体，具有与静电卡盘基本上相同的热膨胀系数；一个或多个冷却通道，...

本公开内容的实施方式包括薄化元件结构及形成薄化元件结构的方法。本文提供的发明的实施方式包括使用形成在基底基板上的工程设计外延(Epi)层。工程设计外延层包括两个或更多个外延层，其各自包括容许两个或更多个外延层的至少一层从其他层被选择性移...

本公开的实施例包括一种在半导体基板上形成环绕式栅极(GAA)接触结构的方法。方法将包括：从在包括多个特征的基板的表面中形成的特征的表面移除材料，多个特征各自包括多个源极/漏极接触表面；在多个源极/漏极接触表面中的每一者的表面上方选择性地...

本文提供了三维(3D)存储器结构及其形成方法。在一些实施方式中，3D存储器制造结构包括：基底硅(Si)层；硅锗(SiGe)层，其设置在基底Si层上方；以及经掺杂的硅(Si)层，其设置在SiGe层的至少一侧上，其中经掺杂的Si层含有掺杂剂...