本文公开了用于将基板夹持在单极静电吸盘上来沉积光刻胶膜的设备。在一个示例中，一种升降杆组件包括：第一金属弹簧；第一金属，所述第一金属在所述第一金属弹簧上方并耦接到所述第一金属弹簧；第二金属弹簧，所述第二金属弹簧在所述第一金属上方并耦接到...

提供了在目标区域中具有改进掺杂的半导体处理方法及半导体结构。方法包括提供设置在半导体处理腔室内的基板，其中在此基板上形成一或多个未掺杂目标区域。方法包括使此一或多个未掺杂目标区域经受预清洁操作，移除存在于此一或多个未掺杂目标区域上的任何...

一种方法包括由处理装置接收来自处理腔室的一或更多个马达的位置误差数据。该方法进一步包括执行位置误差数据的预处理。该方法进一步包括将位置误差数据转换到频域。该方法进一步包括基于频域位置误差数据来确定与处理腔室相关的振动故障已经发生。该方法...

本文的实施方式描述了一种制造互连结构的方法。所述方法包括在含钨表面上沉积选择性钨层，所述含钨表面在特征内设置，其中所述特征包括包含介电材料的一或多个表面，并且所述沉积所述选择性钨层导致在所述介电材料上形成残留物。所述方法亦包括通过将所述...

一种半导体器件及其制造方法。提供基板。在基板顶部上形成一组或多组层。在至少一组层顶部上形成补偿层。在补偿层顶部上形成至少一个硅层。蚀刻一组或多组层中的一个或多个层的至少一部分。形成半导体器件。

本文提供了制造存储器元件的方法。该方法包括：在基板上形成第一外延层；以及在第一外延层上形成存储器阵列，该存储器阵列包括第一外延层上的氧化物材料和金属材料的交替层的存储器堆叠，从第一外延层延伸穿过存储器堆叠的至少一个存储器单元，以及与至少...

一种表征热处理腔室的方法可包括使用来自现有热处理腔室中的温度变化率数据来训练模型。监督学习过程可基于基板上的沉积轮廓来标记这些变化率数据。经训练模型可用于表征另一腔室，以确定预测性能是否与用于训练该模型的腔室匹配。使用载气的惰性工艺可用...

提供一种基板支撑组件，所述基板支撑组件包括：基座组件，所述基座组件包括：内部部分，所述内部部分具有内部主体、经安置而围绕所述内部主体的外部轮缘，及多个凹陷部分，每个凹陷部分相对于所述内部主体的下表面凹陷；以及经定位而围绕所述内部部分的外...

示例基板处理系统面板可包括板，板以第一表面和与第一表面相对的第二表面为特征。第二表面可限定延伸穿过板的厚度的一部分的多个凹部。板可限定穿过板的厚度的多个孔。每个孔可延伸穿过多个凹部中的一个凹部的底表面。每个凹部可具有比延伸穿过凹部的底表...

一种用于半导体装置的在该结构的顶表面上具有高介电常数介电膜的结构可以用于形成由具有减少的介电表面区域及减少的金属柱的节距的混合接合结构所组成的半导体装置。举例而言，介电膜的介电常数可以是约或大于7或8。可以将结构的介电膜与类似结构的介电...

描述了一种外延生长处理腔室，该处理腔室具有部件，该部件具有宏单元支撑结构，该宏单元支撑结构配置有限定流体连通孔隙的互连实体支撑件。还描述了一种经配置用于在外延生长处理腔室中使用的部件，该部件具有宏单元支撑结构，该宏单元支撑结构配置有限定...

本揭示案的实施例提供了用于形成光学装置结构的方法。一种示例性方法通常包括：在基板上设置第一材料装置层；图案化该第一材料装置层的一部分以在该第一材料装置层中形成第一多个装置结构；在该第一装置材料层的未图案化部分上设置第二材料装置层；在该第...

本文描述的实施方式涉及改善的波导及其形成方法，所述波导利用材料层来改善波导的一或更多个表面区域的光学性质。在一个实施方式中，提供了一种波导。所述波导包括基板；安置在所述基板中或所述基板上的光栅，所述光栅包括由多个沟槽限定的多个结构；安置...

本文的实施方式总体涉及用于太阳能电池应用的基板或晶片的检验系统。所述检验系统被配置为分析基板或晶片的缺口、开裂和其他缺陷。所述系统包括输送机设备，并且所述输送机设备包括一个或多个输送机元件。所述输送机元件被配置为运输宽度在约175mm至...

本技术一般针对垂直动态随机存取存储器（DRAM）单元和阵列，以及形成这种单元和阵列的方法，它们包含两个相邻沟道之间的共享字线。单元包括沿第一水平方向布置的位线、第一沟道、第二沟道以及在第一沟道和第二沟道之间沿第二水平方向布置的共享字线。...

本文提供的实施例总体包括用于控制等离子体引发和维持的设备、等离子体处理系统和方法。一些实施例是针对用于在等离子体处理系统中处理基板的设备。所述设备总体包括：脉冲电压（PV）信号发生器，所述PV信号发生器被配置成向等离子体负载提供偏压信号...

本文描述的具体实施例涉及处理用于形成MIM电容器的高k材料的系统和方法。提供了各种高密度等离子体氮化工艺或高密度等离子体氧化工艺和高密度等离子体氮化工艺的组合。

示例性半导体处理方法可包括将一种或多种沉积前驱物提供到半导体处理腔室的处理区。所述沉积前驱物可为或包括含钨前驱物。基板可安置在所述半导体处理腔室的所述处理区内。所述方法可包括在所述处理区中形成所述一种或多种沉积前驱物的等离子体。所述等离...

范例半导体处理方法可包括：将含硼及卤素前驱物及含氧前驱物提供至半导体制程腔室的处理区域。基板可容置于处理区域中。含金属硬屏蔽材料层可设置于基板上。含硅材料层可设置于含金属硬屏蔽材料层上。所述方法可包括：形成含硼及卤素前驱物及含氧前驱物的...

公开了回收和再使用半导体制造化学品的化学前体回收系统和方法。所述回收系统包括与多个冷阱流体连通的冷阱入口管线和冷阱出口管线。所述多个冷阱配置为冷凝所述化学前体并且基于半导体制造处理条件来布置。