本发明的实施例关于选择性蚀刻处理。处理包括蚀刻化学(含氟前驱物与第一气体混合物的等离子体)，及钝化化学(含硫前驱物与第二气体混合物的等离子体)。在一实施例中，含硫前驱物与第二气体混合物以含硫前驱物与第二气体混合物的比例在从0.01至5的...

于此提供了基板支撑件的示例。在一些示例中，一种基板支撑件具有陶瓷静电夹盘，所述陶瓷静电夹盘具有主体。所述主体具有第一侧和第二侧，所述第一侧配置为支撑基板，所述第二侧与所述第一侧相对。所述主体具有夹持电极；主动边缘电极，所述主动边缘电极邻...

描述了半导体处理系统及系统部件。所述系统部件包括半导体处理腔室的腔室盖，所述腔室盖包括电介质材料，所述电介质材料具有基本上圆盘形状且将盖部分及气体输送喷嘴部分整合为单个结构。所述腔室盖包括多个气体流动路径，所述气体流动路径各自从所述腔室...

可以控制并且设计混合键合结构中的互连电阻。每个互连的电阻可以藉由过孔的宽度、过孔的数量、及过孔内的衬垫的厚度来控制。尽管在相同的晶片或芯片上，混合键合结构的第一互连及第二互连可以具有不同的互连电阻。本文描述的技术包括设计互连及形成具有特...

一种方法包括确定基板的多个测量目标。所述基板包括多个结构。每个测量目标与所述多个结构中的结构相关联。所述方法进一步包括操作一或多个马达以导致基板支撑件的运动，用于将第一测量目标设置在测量仪器的视场内。所述方法进一步包括导致当所述第一测量...

本揭露的实施例通常涉及在基板上形成电导特征的方法。在一个实施例中，该方法包括在基板的开口处透过物理气相沉积（PVD）形成第一导电层。第一导电层的厚度小于20埃。该方法进一步包括透过PVD在第一导电层上形成第二导电层。第一导电层和第二导电...

本文所公开的实施例描述了用于处理基板的方法。在一个实例中，处理膜堆叠的层的方法包括预处理形成在基板上的膜堆叠的底层的表面，并通过在靠近膜堆叠的处理环境中加热含甲基材料以在膜堆叠的光致抗蚀剂层中形成金属氧化物。膜堆叠包括布置在底层顶部上并...

一种基板支撑基座包括静电吸盘、冷却基部、气流通道、多孔塞和密封构件。静电吸盘包括具有腔的主体。冷却基部经由接合层耦接到静电吸盘。气流通道形成在静电吸盘的顶表面与冷却基部的底表面之间。气流通道进一步包括腔。多孔塞定位于腔内，以控制通过气流...

提供了一种波导组合器。波导组合器包括波导组合器基板。波导组合器提供设置在基板上的多个阶梯结构。每个阶梯结构包括多个阶梯台阶。每个阶梯台阶的阶梯宽度都是相同的。多个阶梯台阶具有从初始阶梯台阶到最终阶梯台阶的修整宽度。多个阶梯台阶包括具有顶...

一种存储器单元阵列包括：在第一方向上堆叠的多个存储器层级，多个存储器层级中的每一者包括单元晶体管及电连接至漏极区域的单元电容器，该单元晶体管具有电连接至在第一方向上延伸的位线的源极区域、漏极区域、字线层、电连接至源极区域及漏极区域并在第...

提供了半导体装置及在半导体装置中进行钼填充的方法。在一个方面，提供了一种处理半导体装置基板的方法。该方法包括将在介电层中形成的至少一个特征暴露于晶粒改性层沉积工艺，以在至少一个特征的部分上沉积晶粒改性层。该至少一个特征由介电层中形成的侧...

公开了用于气体中枢和递送喷嘴的增材制造的示例结构、方法和系统。一个示例结构包括一体式气体中枢和分配喷嘴，所述一体式气体中枢和分配喷嘴包括气体中枢部分和气体递送喷嘴部分。所述气体中枢部分包括多个进气口路径和一个或多个充气腔室。所述多个进气...

本揭示的实施例有利地提供半导体装置，特定言之提供CFET，以及制造此类装置的方法，该等装置具有完全应变的超晶格结构并且沟道层实质上不含缺陷且释放层经保护以在移除中间牺牲层期间免遭材料损耗。本文所描述的CFET包含基板上的竖直堆叠的超晶格...

本案的实施例系关于包括用于温度测量校准的能带间隙材料的测量系统、处理系统以及相关设备及方法。在一或多个实施例中，测量系统包括基板支撑组件，该基板支撑组件包括内部部分及外部部分。内部部分包括第一面、与第一面相对的第二面、形成于第一面中的一...

一种波导组合器，其包括第一基板、第二基板及波长选择性膜，其中此波长选择性膜设置在此第一基板与此第二基板之间，此波长选择性膜系可操作的以反射红光、折射且透射蓝光及折射且透射绿光。

公开了一种用于虚拟感测半导体处理腔室的硬件元件的温度的方法及装置。在一或多个实施例中，一种适用于半导体制造的处理腔室的操作方法包括接收用于制造工艺的工艺配方，及使用感测器监测处理腔室的第一硬件元件的第一温度。该方法进一步包括基于接收到的...

示例性半导体处理方法可包括将含氧前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。基板可容纳在处理区域内。第一层含硅及锗材料、第二层含硅及锗材料、及含硅材料层可设置在基板上。方法可包括使基板与含氧前驱物接触。接触可氧化第二层含硅及锗材料的至少部分。...

于此提供了具有准直器的处理腔室的实施例。在一些实施例中，一种处理腔室包括：腔室主体，具有侧壁和顶板，以在其中界定内部空间，顶板配置为支撑内部空间中的靶材；基板支撑件，设置在与顶板相对的内部空间中；准直器，设置在顶板和基板支撑件之间的内部...

一种处理基板的方法包括在耦接到第一压板的第一垫上抛光基板的前表面。方法进一步包括利用承载头将基板从第一垫传递到耦接到第二压板的第二垫。方法进一步包括将承载头移动到扫描位置以将基板的边缘放置在定向传感器之上，所述定向传感器设置在第二垫的旋...

一种形成全环绕式栅极场效晶体管的一部分的方法包括执行选择性沉积工艺以在基板的通过浅沟槽隔离(STI)隔离的多个部分内形成的接触沟槽的底部处形成选择性封盖层，其中所述接触沟槽各自通过延伸区域与S/D外延(epi)层介接，执行基板成角度蚀刻...