示例性半导体处理方法可包括使蚀刻剂前驱物流入半导体处理腔室的处理区域。基板可被容纳在处理区域内。基板可界定含金属硬掩模材料的暴露区域和由小于或约4.0的介电常数表征的材料的暴露区域。方法可包括使基板接触蚀刻剂前驱物。方法可包括移除含金属...

在一个实施例中，一种在化学机械抛光(CMP)系统中处理基板的方法包括以下步骤：确定基板相对于第一承载头的定向。方法进一步包括以下步骤：开始对与抛光垫接合的基板的表面的抛光处理。方法进一步包括以下步骤：在抛光处理期间，使用耦接到抛光垫的至...

一种形成多芯片模块的方法，包括在介质中模制一组芯片，以相对于每一其他芯片固定每一芯片，基于设置在所模制的一组芯片内的每一芯片上的对准标记，映射所模制的一组芯片内的芯片的位置和定向，形成互连基板，包括在基底基板上方形成第一互连层，图案化第...

在此提供用于输送具有期望的乙硼烷浓度的处理气体至处理腔室的处理容积的系统与方法。在一实施例中，系统包括硼烷浓度传感器。硼烷浓度传感器包括主体与多个窗口。在此，多个窗口的各窗口安置在主体的相对端且主体与多个窗口共同地界定单元容积。硼烷浓度...

本文公开了用于控制用于半导体处理的处理腔室中的温度的设备。在一个实施方式中，挡板组件经配置以引导空气流从所述处理腔室的盖的中心至所述盖的外边缘。所述挡板组件具有挡板中心，所述挡板中心具有侧表面及底部表面，其中所述底部表面为环形，具有中心...

叙述用于形成低κ介电材料的半导体处理方法。所述方法可包括提供沉积前体至半导体处理腔室的处理区。所述沉积前体可包括含硅碳与氢前体。基板可安置在所述处理区内。所述方法可包括形成所述沉积前体的等离子体流出物。所述方法可包括在所述基板上沉积含硅...

一种用于接合前检查系统的光学检查系统，包括其上放置待检查的样品的平台、传感器、光学组件以及控制器，每个光学组件包括具有将样品视场（FOV）引导到样品的一部分的光学元件的光学头、被配置为以第一倾斜角照射样品的第一光源、被配置为以第二倾斜角...

基板处理系统包括两个或更多个工艺工具，这些工艺工具包括多个处理腔室，以执行对应的基板处理程序，并且还包括基板运输装置，用于在两个或更多个工艺工具之间运输基板。该系统进一步包括控制系统，以使一个或多个第一层在一个或多个第一处理腔室中沉积在...

本公开的实施方式涉及用于基板处理腔室中的包含具有变化尺寸的路径的排气框架，及相关设备及方法。在一或多个实施方式中，处理腔室包括腔室主体、及窗口。所述处理腔室包括一或多个热源、基板支撑件、衬垫、及预热环。所述处理腔室包括一或多个气体入口、...

本技术包括垂直单元阵列晶体管（VCAT），其包括在第一水平方向上布置的位线和在第二水平方向上布置的字线。阵列包括沟道，在与第一方向和第二水平方向大体上正交的垂直方向上延伸，使得位线与多个沟道的源极/漏极区域相交，字线与多个沟道的栅极区域...

本文所提供的本公开的实施例包括一种用于对化学机械研磨系统进行更高效且有效的工具内监控的设备及方法。研磨设备包括耦接至至少一个摄影机的控制器。控制器被配置成自至少一个摄影机接收介质数据串流，将介质数据串流处理成经处理的介质数据，并基于经处...

本公开的方法使得能够形成高导电性触点，所述高导电性触点促进提高器件速度和降低半导体器件的操作电压，所述半导体器件诸如但不限于半导体上金属（MOS）晶体管和类似物。在一个实施方式中，所述方法通过形成金属‑绝缘体‑半导体（MIS）接触结构或...

一种方法包括：使用第一经训练的机器学习模型来处理根据制造处理所处理的基板的测量数据，以预测所述基板的临界尺寸（CD）分布曲线。所述方法进一步包括：基于所述基板的所述预测CD分布曲线来产生CD分布曲线预测图像。所述方法进一步包括：使用第二...

典型的旋转圆锥反应器系统可包括双圆锥腔室。该系统可能包括与双圆锥腔室流体连接的真空源。该系统可能包括旋转组件，用于围绕中央轴旋转双圆锥腔室。该系统可能包括气体注入器，该气体注入器穿过旋转组件并与双圆锥腔室流体连接。气体注入器的轴可能与中...

于此的实施例一般涉及半导体制造，且更特别是用于基板处理腔室的气体扩散器。在一实施例中，气体扩散器包括：至少一个气体扩散器单元，包括：紧固孔口，穿过扩散板主体的顶表面；第一气体入口，设置成距紧固孔口一入口距离；第二气体入口，设置成距紧固孔...

本揭示案的实施例提供了制造满足PMOS晶体管的压应力要求和NMOS晶体管的拉应力要求的电子元件的方法。每个P金属堆叠和P金属堆叠：在位于半导体基板上源极和漏极之间的沟道的顶表面上形成，以及包括纳米片沟道层和每个纳米片沟道层之间的沟槽，并...

本文的实施例提供了一种半导体基板清洁腔室。清洁腔室包括部分限定清洁体积的侧壁、在侧壁内设置的基座、及在基座上方设置的清洁臂。清洁臂包括在清洁臂的喷嘴端上设置的喷嘴组件。喷嘴组件包括外壳、及在外壳内设置并且具有气体端口的主体，该气体端口穿...

本公开的实施例涉及一种实施提升阀以改变喷嘴横截面的面板。在一个实施例中，提供了一种面板。面板包括主体、主体中的多个孔、以及多个提升阀组件。提升阀组件包括提升阀，所述提升阀被配置为在孔的第一部分中行进并且在孔的第二部分中产生可变通路。提升...

形成元件的方法包含在基板上形成介电层，此介电层包含限定包括侧壁及底部的间隙的至少一个特征。此等方法包括在此间隙的此底部上选择性地沉积自组装单层(SAM)。此SAM具有通式I至XIX，其中R、R’、R1、R2、R3、R4，及R5是独立地选...

描述了一种用于处理基本上竖直地取向的基板的真空沉积系统（100）。真空沉积系统（100）包括：多个沉积腔室（150），沿主要运输方向（T）成排地布置，并且容纳用于在所述基板上沉积包含至少一种有机材料的层堆叠的多个真空沉积源（155），其...