本发明总体上提供了一种用于真空腔室的气体扩散器支撑结构的装置和方法。所述气体扩散器支撑结构包括具有中心孔的背板和气体偏转器，所述气体偏转器的长度和宽度不等于透过多个向外紧固件连接到所述背板的长度，所述多个向外紧固件连接到形成在所述背板中...

一种数字光刻系统包括经配置为支撑基板的平台、在平台之上设置的桥接器、及耦合到桥接器的第一光刻处理单元。耦合到桥接器的第一光刻处理单元可以包括扫描单元、光刻曝光单元、和通过扫描单元及光刻曝光单元共享的光学系统。扫描单元在测量操作期间使用光...

本文所公开的实施方式包括远程等离子体源。在实施方式中，所述远程等离子体源包括外壳，其中流体通道自所述外壳的第一端通到第二端。在实施方式中，施用器与所述流体通道相交。在实施方式中，所述施用器包括介电主体，及插入所述介电主体中的孔中的销。

半导体处理的方法可包括提供含氢前驱物至半导体处理腔室的处理区域。基板可设置在处理区域内的基板支撑件上。含硅与氮材料层可设置在基板上。方法可包括形成含氢前驱物的等离子体流出物。方法可包括使含硅与氮材料层接触含氢前驱物的等离子体流出物。此接...

示例性半导体处理方法可包括提供处理前体至半导体处理腔室的远程等离子体系统。所述方法可包括在所述远程等离子体系统中产生所述处理前体的等离子体流出物。所述方法可包括使所述处理前体的等离子体流出物流动到所述半导体处理腔室的处理区域。包括交替材...

本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：环，环具有第一环部件和第二环部件；可调整调谐环；以及致动机构。第一环部件与第二环部件对接，使得第二环部件相对于第一环部...

公开了一种石墨烯阻挡层。一些实施例涉及能够防止从填充层扩散到基板表面中和/或反之亦然的石墨烯阻挡层。一些实施例涉及防止氟从钨层扩散到下面的基板中的石墨烯阻挡层。附加实施例涉及包含石墨烯阻挡层的电子装置。

半导体处理的示例性方法可包括将含硅前体提供到半导体处理腔室的处理区域。基板可设置在所述半导体处理腔室内。所述方法可包括在所述基板上形成含硅材料。所述含硅材料可通过大于或约‑200 MPa的应力表征。所述方法可包括在大于或约700℃的温度...

本公开内容的实施方式涉及与增强现实波导组合器有关的装置及方法。装置包括波导组合器，波导组合器包括输入耦合器，该输入耦合器是可操作的以接收光并且将光输入耦合至波导组合器中；与输入耦合器的光栅相邻的出瞳扩展器（ERE），该ERE具有分级结构...

本公开案的实施方式包括清洁基板的设备及方法。清洁基板的方法包括：通过第一马达来旋转基板桌，输送流体至基板的表面，所述基板放置于清洁模块的所述基板桌的支撑表面上；以清洁速度来旋转清洁垫，且使用控制器来感测由第二马达所产生的初始扭力值；使用...

本文的实例系关于三维(3D)动态随机存取记忆体(DRAM)及对应的方法。在一实例中，提供了堆叠半导体结构，其中此堆叠半导体结构包括形成在基板上的复数个单元堆叠。每个单元堆叠具有半导体层、第一介电层、第一闸电极，及电容器部分的第二介电层。...

示例性基板处理系统可包括传送区域壳体，所述传送区域壳体界定与多个处理区域流体耦接的传送区域。传送区域壳体的侧壁可界定用于提供和接收基板的可密封存取。系统可包括多个基板支撑件，所述多个基板支撑件设置在传送区域内。系统可还包括具有中央毂的传...

半导体处理的范例方法可包括提供沉积前体至半导体处理腔室的处理区。基板可安置在所述处理区内。所述沉积前体可包括含硅前体。所述方法可包括提供掺杂物前体至所述半导体处理腔室的所述处理区。所述掺杂物前体可包括含磷前体。所述方法可包括产生所述沉积...

本文描述了一种用于处理基板的方法及设备。所描述的方法及设备使化学气相沉积(CVD)腔室能够在不同的温度下处理基板（本文也称为晶圆）。该处理腔室包括腔室主体、安置在腔室主体内并具有顶表面的基板支撑件、穿过基板支撑件安置的多个基板升降销及遮...

本公开的实施例提供用于形成子电路（例如子像素电路）的方法。一个示例的子电路大致上包括：设置在基板上方的背板层；设置在所述背板层上方的像素界定层（PDL），所述PDL暴露设置在所述背板层与所述基板上方的阳极；以及设置在所述PDL上方的多个...

一种金属间隙填充的方法，包括通过等离子体增强原子层沉积，在存在于场上和/或特征开口中的介电层上沉积金属层，所述方法使用金属卤化物前驱物和含有氢及惰性气体的等离子体；并在场上和开口中直接在金属层上方沉积金属间隙填充材料，其中金属间隙填充材...

描述了一种用于藉由至少一个电子束柱测试封装基板的方法。方法包括将封装基板放置在真空腔室中的台上；藉由至少一个电子束柱测试真空腔室中的封装基板上的一或多个线路网；以及在测试一或多个线路网的同时使一或多个线路网放电。

所公开的是用于形成3D NAND设备的字线触点的方法。方法可以包括：提供交替的第一层和第二层的薄膜叠层；在所述薄膜叠层上形成第一平板印刷掩模；以及执行交替的平板印刷和蚀刻过程的第一系列，以在所述薄膜叠层中形成触点开口对阵列，其中在每个蚀...

描述了半导体制造处理腔室，其具有在支撑环及喷头之间的RF隔离器、和/或在喷头及气体漏斗之间的RF垫圈。帽插件具有围绕帽插件的帽外壳，所述帽插件在气体漏斗上，且RF馈送件与喷头接触。可包括基板支撑件且基板支撑件可具有引导穿过基板支撑件的R...

本案揭露了用于快速且有效地检测晶片中的缺陷的系统和技术，包括具有耦接到晶片载器和装载闸腔室的工厂接口（FI）的系统。FI包括机器人，机器人从晶片载体取得晶片并将第一晶片移送至对准器装置。对准器装置向晶片施加旋转运动并使用晶片的旋转运动来...