提供了用于控制使用射频(RF)源功率组件所形成等离子体的均匀性的设备及方法，所述射频源功率组件包括耦接至多电极源组件内安置的两个或多个电极的一或多个谐振调谐电路。通过消除多个RF产生器及单独为所述多个电极供电的匹配器达成改进的等离子体均...

提供了一种基板清洁装置，所述基板清洁装置包括：轴，所述轴具有外部主体和内部容积，所述轴具有在第一方向上的长度；以及垫载体组件，所述垫载体组件包括：壳体，所述壳体在相对于所述轴的所述外部主体的固定位置连接至所述外部主体，所述壳体具有内部容...

一种监测处理腔室中的基于等离子体的制程的方法包括：在基于等离子体的制程期间量测与处理腔室相关联的第一位置处的第一温度；以及基于第一温度来决定表示与基于等离子体的制程相关联的第一自由基物质通量的值。方法包括经训练的机器学习模型以决定表示自...

静电夹盘(ESC)包括具有第一表面的陶瓷主体，其中在所述第一表面上界定的两个或多个区域在所述第一表面上相对于彼此同心地布置。每个区域包括在所述第一表面上布置并且界定所述区域的外边缘的保持环、及在所述第一表面上并且在所述区域内布置的结构，...

一种方法包括将平面化层形成到在电子元件的基础结构的上部晶体管元件区域下方且在所述基础结构的下部晶体管元件区域上方的位置。所述基础结构包括多个特征。所述方法进一步包括：沿着所述基础结构和所述平面化层形成间隔物材料；修改沿着所述基础结构的底...

半导体处理的例示性方法可包括将蚀刻剂前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。结构可设置在处理区域内。结构可包括第一含硅材料。结构可包括第二含硅材料、含氧材料、或两者。方法可包括使结构与蚀刻剂前驱物接触。与蚀刻剂前驱物的接触可从结构蚀刻第二...

一种形成互补式场效晶体管(CFET)的半导体结构包括第一共同金属栅极；第二共同金属栅极；底部场效晶体管(FET)模块，所述底部FET模块包括一对底部共同源极/漏极(S/D)触点，所述对底部共同源极/漏极(S/D)触点通过第一底部S/D外...

提供了具有改进的稳定性及字线电阻率的垂直单元动态随机存取内存(DRAM)数组及形成数组的方法。此等数组包括在第一水平方向上布置的复数个位线及在第二水平方向上布置的复数个字线。此等数组包括在与此第一方向及此第二水平方向大致上正交的垂直方向...

一种方法包括以下步骤：由处理设备，经由图形用户界面（GUI），接收用于以第一腔室数据模式检视与第一工艺腔室相关联的数据的第一用户输入。该第一腔室数据模式的数据包括在该第一工艺腔室中执行的工艺操作的数据。该方法进一步包括以下步骤：回应于接...

描述了沉积纳米晶体钻石膜的方法。此方法可用于集成电路的制造。方法包括用等离子体处理基板以形成经处理基板表面，用富碳等离子体孵育所述经处理基板以使钻石颗粒在此经处理基板表面上成核，随后用等离子体处理此基板以形成纳米晶体钻石膜。在此纳米晶体...

一种内存装置，所述内存装置包括至少一个具有双栅极结构的晶体管，所述双栅极结构包括第一栅极金属及第二栅极金属，其中所述第一栅极金属具有小于4.55 eV的功函数，且所述第二栅极金属具有大于4.55 eV的功函数。亦提供了一种形成所述内存装...

一种用于处理腔室的磁控管的磁体组件包括支撑构件。多个磁道安装到所述支撑构件。每个磁道包括一对磁极。部分磁道安装到所述支撑构件。所述部分磁道包括单一不成对磁极。所述部分磁道安装得接近所述支撑构件的旋转中心。

本文的实施方式大体系针对一种波导显示组件及一种合并该波导显示组件的近眼显示系统。在实施方式中，波导显示器包括光引擎、波导组合器、输入耦合光栅及暴露于波导显示组件的周围环境的一或多个耦合光栅。波导组合器相对于波导平面以环绕角跨使用者的眼睛...

本文公开了一种用于在半导体处理腔室中蚀刻高深宽比结构的方法和系统。在一个示例中，图案化基板的方法包括蚀刻基板以形成凹槽，在凹槽的侧壁上沉积钝化层，处理钝化层，以及蚀刻凹槽至第二深度。基板蚀刻形成凹槽至第一深度，基板具有安置在其上的掩模层...

本公开内容的实施例总体上涉及外延膜堆叠及用于制备外延膜堆叠的气相沉积工艺。在一个或多个实施例中，所生产的经碳掺杂的硅‑锗和硅微型堆叠具有相对较低的缺陷或晶体瑕疵。将含有多个经碳掺杂的硅‑锗和硅微型堆叠的多层外延堆叠沉积在基板上。各多层外...

一种方法包括以下步骤：由处理设备获得包括外延膜的基板的第一图像数据。所述方法进一步包括以下步骤：向所述第一图像数据应用频域过滤器以获得经过滤的图像数据。所述方法进一步包括以下步骤：通过对所述经过滤的图像数据执行特征检测，确定所述第一图像...

描述了制造电子器件的方法。本公开的实施例有利地提供了制造电子器件（例如，互补场效应晶体管(CFET)）的方法，该电子器件满足减小的厚度、减少的泄漏、较低的热预算、及Vt要求（包括多Vt），并且具有改进的器件效能及可靠性。方法的一些实施例...

公开了一种波导。该波导包括设置在基板上方的一个或多个光栅。这些光栅包括具有光栅节距的光栅结构。该波导包括在每个光栅与基板的边缘之间设置在基板上方的波导区域。该波导区域包括具有小于光栅节距的辅助节距的辅助结构。

本公开内容的实施例针对选择性蚀刻工艺。工艺包括使前驱物流入含有基板的半导体处理腔室中，前驱物包括卤素间化合物、含卤素物质、伪卤素物质中的一者或多者、卤素间化合物、含卤素物质或伪卤素物质中的一者或多者与胺或膦的混合物，或卤素间化合物、含卤...

本公开案涉及一种通过使用多步沉积工艺在高深宽比结构中选择性形成硅化物的方法。将第一前体气体输送至设置在维持在第一工艺压力下的工艺腔室的处理区域内的表面，其中所述基板在第一温度下维持持续第一时间段。在所述第一时间段已经过去后输送所述净化气...