一种沉积后处理的方法包括在自由基处理腔室中执行预热工艺，所述预热工艺包括将其上形成有金属层的基板暴露于净化气体，并且在400托与535托之间的压力下净化所述净化气体；以及在所述自由基处理腔室中执行自由基处理工艺，所述自由基处理工艺包括将...

描述了半导体元件及其制造方法。此方法包括组合牺牲层的选择性凹陷及硅层的各向同性蚀刻，以形成保护帽，此保护帽将允许在不影响此牺牲层的情况下蚀刻此基板的此硅层。

本公开案的实施方式大体上涉及LED像素及制造LED像素的方法。所述装置包括层压模块。所述层压模块包括经配置以将聚合物膜供应到所述层压模块的聚合物膜辊、底部衬里回收辊、顶部衬里回收辊、切割机制、基板源、输送装置系统及多个膜辊。所述聚合物膜...

示例性的半导体部件组装平台包括基架；所述基架具有从第一端延伸到第二端的框架主体。所述部件组装平台包括可移动地连接到所述基架的伸缩架，及可移动地连接到所述伸缩架的部件支撑件。半导体部件组装平台呈现压缩位置和完全延伸位置。在压缩位置中，将所...

本发明涉及具有减少占地面积的半导体处理工具平台配置。基板处理系统包括具有受控环境的工厂接口和传送腔室。传送腔室包括四个第一小平面和三个第二小平面，其中三个第二小平面的每一个具有比四个第一小平面的每一个的宽度窄的宽度。第一处理腔室附接到四...

一种用于自动检测及测量经切割晶片上的破裂缺陷的方法、设备及系统包括接收经切割晶片的至少一部分的影像，对准经切割晶片的至少所述部分的所接收影像，确定在对准的所接收影像中描绘的经切割晶片的至少所述部分的边缘，自已确定的边缘自动确定至少一个基...

本文描述的实施方式涉及一种具有嵌入其中的微透镜及微镜的光子元件以及制造此种元件的方法。示例光子元件包含：基板；埋入氧化物(BOX)层，所述埋入氧化物(BOX)层在所述基板上方设置；波导层，所述波导层在所述BOX层上方设置，所述波导层包含...

本公开案总体上包括一种用于形成发光二极管(LED)元件的方法，所述方法包括：使用激光照射从所述LED元件移除载体基板；通过将所述LED元件浸泡在经加热的去离子水中来氧化通过所述激光照射形成的残留液态金属层；冲洗掉所述LED元件上的所述去...

本发明描述包括间隔开的上臂的机器人。机器人包括可环绕肩部轴线旋转的第一上臂与第二上臂，其中第二上臂与第一上臂间隔开。其他机器人部件(第一前臂与第二前臂、第一腕部构件与第二腕部构件、及第一终端受动器与第二终端受动器)交错位于第一上臂与第二...

本技术包括用于改进基板处理的方法及系统。方法及系统包括将基板设置在包括多个加热区的基座上，每个加热区具有独立的加热器，根据包括初始基座温度的初始基板处理配方处理此基板，收集一或多个基板性质的初始基板反馈，及提供数据作为基板控制算法的第一...

一种形成互补场效应晶体管(CFET)的半导体结构包括：金属栅极；底部场效应晶体管(FET)模块，所述底部FET模块包括在第一方向上延伸穿过金属栅极的多个沟道层、和经由底部外延(epi) S/D和底部界面电气连接到多个沟道层的底部源极/漏...

本文公开的实施方式包括一种静电吸盘(ESC)。在一实施方式中，所述ESC包含具有第一表面的基板，其中所述第一表面具有第一表面粗糙度。所述ESC可进一步包含从所述第一表面向上延伸的多个台面。在一实施方式中，所述多个台面各自包括第二表面，其...

一种用于在处理站中支撑基板的支撑组件包括外壳、销、多个轴承元件及保持构件。所述外壳包括孔、形成在所述外壳外表面上的凹槽，及安置在所述凹槽中与所述孔相交的多个窗口。所述销安置在所述孔中并可在缩回位置与伸出位置之间移动。所述销包括轴，所述轴...

一种在半导体结构中用同时衬垫沉积选择性地填充通孔的方法，包括选择性地在导电层上方形成的介电层中形成的通孔内的导电层的暴露表面上形成钝化层，选择性地在所述通孔和在所述介电层中形成的沟槽的内侧壁上形成阻挡层，至少部分地用第一导电材料选择性地...

本公开案的实施方式一般涉及使用于半导体制造的流体喷嘴。所述流体喷嘴包括：喷嘴主体，所述喷嘴主体设置于入口面及出口面之间。所述主体包括：螺纹区域、中心对称轴及端口。所述螺纹区域设置于所述入口面及所述出口面之间。所述中心对称轴沿着端口轴延伸...

化学机械抛光(CMP)系统包括用于清洁用于洗涤基板的刷的设备及方法，包括使用周期性化学处理进行刷清洁。一或多个实施方式包括一种方法，所述方法操作所述CMP系统以：旋转第一一或多个洗涤刷，与此同时使所述第一一或多个洗涤刷与第一基板接触；在...

本技术一般涉及半导体处理系统及方法。系统及方法包括具有多个腔室部件的腔室，所述腔室部件诸如基座、盖叠层、面板、电极及喷淋头。所述面板由所述盖叠层支撑并限定多个第一孔，而所述喷淋头位于所述面板与所述基座之间并限定多个第二孔。在系统及方法中...

在非常薄的层中形成的二维(2D)材料改进了半导体元件的操作。然而，在2D材料上形成触点倾向于损坏及穿透所述2D材料。已经开发了相对温和的蚀刻工艺，所述蚀刻工艺对所述2D材料具有非常高的选择性，并且允许将垂直孔向下蚀刻到所述2D材料，而不...

本文公开的实施方式包括一种半导体处理工具。在一实施方式中，所述半导体处理工具包含腔室、及与所述腔室整合的诊断装置。在一实施方式中，所述诊断装置包含板、所述板上的光谱仪、及所述板周围的外壳。

描述了在半导体基板的金属层上形成保护性覆盖层的方法。使用金属前驱物和脉冲的反应物沉积金属层，以形成具有反应表面的金属层。循环数目可以在1至10个循环或2至5个循环或2至100个循环的范围内。将金属层接着暴露于长链前驱物(例如一级胺、醇、...