本技术包括用于减少在镀覆系统或其表面中形成不溶性沉积物的方法。所述方法包括：将镀覆槽中具有第一pH的镀覆溶液的体积从第一体积减少至第二体积，以及且向所述镀覆溶液添加补充剂以将所述镀覆溶液的所述体积从所述第二体积增加至所述第一体积。所述补...

一种方法包括：确定与用于训练机器学习模型以产生经训练的机器学习模型的特征相关联的参考分布数据。所述方法进一步包括：向与基板处理装备相关联的边缘设备提供所述参考分布数据。所述方法进一步包括：响应于在所述边缘设备处使用所述经训练的机器学习模...

形成器件的方法包括在基板上形成电介质层，所述电介质层包括至少一个限定间隙的特征，所述间隙包括侧壁和底部。所述方法包括在间隙底部上选择性沉积自组装单层(SAM)。SAM包含烃，所述烃具有化学式H‑C≡C‑R，其中R是包含1至20个碳原子的...

本公开涉及半导体核心组件及其形成方法。本文所述的半导体核心组件可以用于形成半导体封装组件、PCB组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如，用于图形卡)等。在一个实施例中，通过直接激光图案化来构造硅基板核心。一个或多个导电...

本技术包括在通道区中具有改良应力的半导体元件。所述半导体元件包括基板、源极区、漏极区、包括位于所述源极与所述漏极之间的至少一个通道的通道区、第一栅极区及第二栅极区。所述第一栅极区包括自对准单扩散截断，而所述第二栅极区包括包围所述源极区与...

描述了用于清洁介电管的方法及设备。所述介电管曝露于包含含氟化合物的清洁气体，并产生微波等离子体。清洁所述介电管以恢复透明度，并透过所述介电管增大所述微波波导与所述等离子体之间的电子耦合。

本文的多个实施方式包括薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管包括具有不同迁移率的层的沟道层堆叠物。由于高迁移率沟道层和/或多个高迁移率沟道层中的载流子密度更高，本文公开的TFT通过低迁移率和高迁移率沟道层传输更高的总电流，这样增加了TFT...

一种方法包括识别与配方的基板处理操作相关联的材料。所述方法进一步包括在所述基板处理操作之后确定预计总残余厚度值。所述方法进一步包括基于预计总残余厚度值来确定与所述基板处理操作相关联的所述材料的预计材料厚度值。所述方法进一步包括基于所述材...

一种静电吸盘(ESC)，所述静电吸盘具有陶瓷主体，所述陶瓷主体包括嵌入电极并且具有第一直径。三个或更多个区域被限定在表面上并同心地布置在所述表面上，每个区域包括布置在所述表面上并限定所述区域的外边缘的保持环以及布置在所述表面上并在所述区...

示例性半导体处理系统可包括具有主体的腔室，主体具有侧壁和基座。腔室可包括位于主体顶部的泵送衬垫和位于泵送衬垫顶部的面板。腔室可包括基板支撑件。基板支撑件可包括板和轴。腔室可包括密封板，密封板与板下方的轴耦接。密封板可具有比板更大的直径。...

本文公开一种包括开关晶体管(ST)和驱动晶体管(DT)的装置。该装置包括设置在缓冲层上方的底部GI层和设置在基板上方的ST和DT。DT包括设置在缓冲层上方的DT底部栅极电极、设置在底部GI层上方的DT沟道结构、设置在DT沟道结构上方的D...

本文提供晶粒堆叠的方法的实施方式。在一些实施方式中，一种利用晶粒至晶片键合的晶粒堆叠的方法包含：通过混合键合工艺将多个第一晶粒键合至基板；执行选择性硅(Si)薄化工艺，以减少经键合的所述多个第一晶粒的厚度，以形成多个薄化的第一晶粒；将所...

一种数字平板印刷系统包括相邻扫描区域、在所述扫描区域之上定位的曝光单元、内存、及操作地耦合到所述内存的处理装置。所述曝光单元包括与第一扫描区域相关联的第一曝光单元及与第二扫描区域相关联的第二曝光单元。所述处理装置用于发起数字平板印刷工艺...

本公开是将静电吸盘结合到温度控制基部的方法。根据实施方式，在包括静电吸盘的介电主体与温度控制基部之间形成结合层。流孔延伸穿过介电主体并且与温度控制基部中的流孔对准。结合层还配置有开口，开口与介电主体和温度控制基部中的孔对准。在一个方面中...

可通过减小P型区域的宽度及增加掺杂浓度而同时亦增加整个元件的高度来形成具有增加的额定电压的超级结元件。可针对所述P型区域及相邻的N型区域蚀刻沟槽。此允许增加所述整个元件的高度，而同时维持所述沟槽的可行深宽比。所述P型材料可接着形成为所述...

一种用于处理腔室的腔室部件包括陶瓷主体，所述陶瓷主体由烧结陶瓷材料组成，所述烧结陶瓷材料基本上由Y2O3‑ZrO2的一个或多个相组成。所述陶瓷材料基本上由55摩尔％‑65摩尔％的Y2O3和35摩尔％‑45摩尔％的ZrO2组成。

本技术包括在通道区具有改进应力的半导体元件。所述半导体元件包括基板、源极区、漏极区、包括位于所述源极和所述漏极之间的至少一个通道的通道区、第一栅极区和第二栅极区。所述第一栅极区包括自对准的单扩散断口，所述第二栅极区包括包围所述源极区和所...

本文所公开的实施方式包括一种图案化基板的方法。在实施方式中，所述方法包括在基板之上沉积金属氧代层，并在所述金属氧代层之上涂覆化学放大抗蚀剂(CAR)。在实施方式中，所述方法进一步包括曝光所述CAR，并显影所述CAR以在所述CAR中形成图...

所公开的系统和技术涉及减轻基板对基板的键合工艺中的应力。所公开的技术包括：获得支撑传送特征(TF)的第一基板；以及将TF从所述第一基板传送到第二基板；将TF从所述第一基板传送到所述第二基板；以及对目标基板应用应力减轻。所述目标基板可以是...

一种在基板上形成结构的方法包括在基板上形成粘附层。方法进一步包括与粘附层一起原位形成含钨层。含钨层通过一次性浸泡工艺形成，所述一次性浸泡工艺包括将基板浸泡在第一气体中一次且仅一次，净化第一气体和将基板浸泡在第二气体中一次且仅一次。方法进...