【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本说明书涉及半导体系统、工艺和装备。
技术介绍
1、等离子体蚀刻可用于半导体处理以制造集成电路。集成电路可由包括多个(例如，两个或更多个)层组成物的层结构形成。不同蚀刻气体化学物质(例如，不同气体混合物)可用于在处理环境中形成等离子体，使得给定蚀刻气体化学物质可对待蚀刻的层组成物具有增加的精度和更高的选择性。随着集成电路的规模不断趋于更小的特征和增加的深宽比，对精确地蚀刻层结构的需要渐增。
技术实现思路
1、本说明书描述了用于差分基板背侧冷却的技术。
2、这些技术大体涉及实施包括多个设计参数的静电吸盘设计，以产生静电吸盘，该静电吸盘被配置用于差分基板背侧冷却，以在制造工艺期间(例如，在等离子体蚀刻期间)产生改进的基板温度均匀性和可调谐性。
3、如本说明书所使的，基板是指晶片或另一种载体结构，例如玻璃板。晶片可包括半导体材料，例如硅、gaas、inp或另一种基于半导体的晶片材料。晶片可包括绝缘体材料，例如绝缘体上硅(silicon-on-insulator,soi)、...
【技术保护点】
1.一种静电吸盘(ESC)，所述静电吸盘包括：
2.如权利要求1所述的ESC，所述ESC进一步包括一个或多个加热元件，所述一个或多个加热元件布置在所述陶瓷主体内并且被配置为当所述基板由所述静电吸盘保持时加热所述基板的所述表面的至少一部分。
3.如权利要求1所述的ESC，其中所述三个或更多个区域中的每个区域包括所述多个支撑结构的均匀密度。
4.如权利要求3所述的ESC，其中所述三个或更多个区域中的每个区域包括布置在所述区域内的所述多个支撑结构的不同密度。
5.如权利要求1所述的ESC，其中所述三个或更多个区域中的至少一个区...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种静电吸盘(esc)，所述静电吸盘包括：
2.如权利要求1所述的esc，所述esc进一步包括一个或多个加热元件，所述一个或多个加热元件布置在所述陶瓷主体内并且被配置为当所述基板由所述静电吸盘保持时加热所述基板的所述表面的至少一部分。
3.如权利要求1所述的esc，其中所述三个或更多个区域中的每个区域包括所述多个支撑结构的均匀密度。
4.如权利要求3所述的esc，其中所述三个或更多个区域中的每个区域包括布置在所述区域内的所述多个支撑结构的不同密度。
5.如权利要求1所述的esc，其中所述三个或更多个区域中的至少一个区域包括所述多个支撑结构的非均匀密度。
6.如权利要求5所述的esc，其中所述多个支撑结构的所述非均匀密度包括密度梯度，所述密度梯度在限定所述区域的外边缘的所述保持环邻处具有较高密度，并且在所述区域的中心点处具有较低密度。
7.如权利要求1所述的esc，其中所述三个或更多个区域中的至少一个区域包括台面，所述台面的中心高度趋势不同于所述三个或更多个区域中的一个或多个其他区域的中心高度趋势。
8.如权利要求1所述的esc，所述esc进一步包括具有相应的第二直径和第三直径的第二表面和第三表面，其中所述三个或更多个区域中的每个区域被限定在相应表面上。
9.如权利要求1所述的esc，其中所述三个或更多个区域中的至少一个区域内的所述多个支撑结构的密度为接触主导式冷却的阈值密度。
10.如权利要求1所述的esc，其中所述三个或更多个区域中的至少一个区域内的所述多个支撑结构的密度为气体主导式冷却的阈值密度。
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【专利技术属性】
技术研发人员：Y·萨罗德维舍瓦纳斯，A·库马，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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