一种自动生成标准单元的方法可包括接收标准单元的电路的定义。所述定义可包括一个或多个半导体装置。所述方法亦可以包括识别实现一个或多个半导体装置中的装置的多个切片。多个切片中的每个切片可包括所述装置的部分布局。所述方法可进一步包括将多个切片...

描述钼(0)前体及在基板表面上形成含钼膜的方法。以莫耳计，所述钼(0)前体具有大于或等于90％的钼(Mo)的纯度。将所述基板暴露于钼(0)前体及反应剂，以形成含钼膜，以原子计，所述含钼膜具有大于或等于80％的钼(Mo)。在一些实施方式中...

一种在基板上执行抛光工艺的方法可包括在抛光站的承载头中以已知对准方式接收基板以用于抛光工艺。抛光工艺可使承载头中的基板在压板上被抛光垫抛光，使得基板沿着相对于基板的已知对准的一个或多个预定传感器路径通过压板中的一个或多个传感器。所述方法...

碳化硅晶体管可以形成有沟道，所述沟道包括位于n掺杂源极区域和漏极区域之间的p掺杂区域。可以在栅极氧化物正下方的沟道的顶部处形成反掺杂区域。替代使用用于p掺杂区域的常规掺杂水平，掺杂浓度可以增加至大于约1e18cm3。晶体管也可以包括在沟...

一种用于将来自单个射频(RF)功率产生器的RF功率空间地切换到耦合到相关联的RF电极的两个或多个阻抗匹配网络中的选定一者以在等离子体腔室中形成等离子体的方法及设备。全RF功率可在微秒内切换到两个或多个阻抗匹配网络中的选定一者。所述两个或...

在此描述水平环绕式栅极元件及制造的方法。hGAA元件包括所述元件的源极区域和漏极区域之间的半导体材料。所述方法包括在第一材料上形成包覆材料，随后在所述包覆层上形成拉伸膜。所述应变拉伸膜造成均匀的SiGe通道。

一种在基板上形成结构的方法，包括在处理腔室内的所述基板的开口内形成成核层。所述方法进一步包括通过将自由基处置引入所述处理腔室中来在所述成核层的至少一部分上形成钝化层。所述方法进一步包括在所述开口内的所述钝化层和所述成核层上方形成钨填充层...

本文提供了用于改善物理气相沉积(PVD)工艺中的膜均匀性的设备和方法，在一些实施例中，一种磁控管平移组件，包括：第一线性致动器组件，具有第一轨道，第一轨道在第一方向上对准，和第一致动器，第一致动器被配置成沿第一轨道定位第一安装件；磁体组...

示例性半导体处理方法可以包括使蚀刻剂前体流入半导体处理腔室的处理区域。基板可容纳在所述处理区域内。所述基板可以限定含钛材料的暴露区域。此方法可以包括使所述基板与所述蚀刻剂前体接触。所述方法可以包括去除所述含钛材料的至少一部分。

提供了用于处理光学装置的模块(300)、系统(500)和方法。模块(300)包括运输装置(302)、第一制造单元(310)、第二制造单元(312)和定位装置(308)。系统(500)包括两个按顺序排列的模块(300’、300”)。

一种方法包括：在设置在第一层间介电(ILD)层中的至少一个第一导电层上选择性形成至少一个钝化层；在至少一个钝化层上选择性形成至少一个催化剂层，其中至少一个钝化层防止在第一导电层上形成至少一个催化剂层；以及使用至少一个催化剂层选择性形成至...

范例半导体处理方法可包括在安置于半导体处理腔室的处理区内的基板上沉积金属掺杂含硼材料。所述金属掺杂含硼材料可包括包含钨的金属掺杂物。所述基板可包括含硅材料。所述方法可包括在所述金属掺杂含硼材料上方沉积一或多个额外材料。所述一或多个额外材...

所公开的系统和技术涉及通过以下操作来改正基板的平面外(OPD)变形：使应力补偿层(SCL)沉积在所述基板上；使用光学检验数据获得所述基板的所述OPD的轮廓。所述技术进一步包括：获得数据集，所述数据集具有对所述基板的影响函数的表示，所述影...

一种用于在具有耦合器内光栅的波导上涂覆光学反射层的方法(500)，所述方法包括：‑通过网版印刷在所述波导的所述耦合器内光栅上沉积(502)油墨。

本文的实施例总体上涉及电子器件制造，并且更具体地，涉及用于在热处理腔室中的灯加热的系统和方法。在一个实施例中，一种可调整反射器组件包括：多个元件，所述多个元件包括至少一个固定元件和至少一个旋转元件，其中所述多个元件中的每一者的第一表面是...

本公开内容的具体实施例包括用于对基板进行等离子体处理的设备和方法。一些具体实施例涉及等离子体处理腔室。等离子体处理腔室大抵包括：包含多个平面线圈的平面线圈区域；耦合到多个平面线圈中的至少两个线圈的第一电源电路；至少部分地围绕平面线圈区域...

本公开内容的实施方式一般涉及用于光学器件制造的方法及材料。更具体而言，本文描述的实施方式提供了光学膜沉积方法及材料，其经由通过在沉积期间抑制光学材料的晶体生长来掺入掺杂原子，从而扩大非晶光学膜沉积的处理窗口。通过使非晶膜能够在更高温度下...

本案提供了在每侧的PVD溅射之间在真空中翻转基板以提高产量的设备和方法。在本案所公开的一些实施方式中，提供了一种用于在真空中翻转基板的处理系统的模块。此模块包括用于固定所述基板的夹具组件、耦接至所述基板夹具组件以用于旋转所述夹具组件的马...

一种方法包括执行干式蚀刻工艺以移除在交替层堆叠的第二层上设置的第一层的一部分。所述第一层包括第一材料且所述第二层包括与所述第一材料不同的第二材料，并且所述干式蚀刻工艺在所述第二材料的表面上形成包括副产物的钝化层。所述第一层的所述部分的一...

可通过形成加衬有P型内衬并用被动填充材料快速填充的狭窄沟槽来形成具有增加的制造产量的超结元件。并非蚀刻具有足够大深宽比的沟槽以可靠地用经掺杂的P型材料来填充，而是可减小所述沟槽的深宽比以缩减所述元件的大小。此较小沟槽可接着加衬有相对薄（...