用于增加产量的硅超结结构制造技术

可通过形成加衬有P型内衬并用被动填充材料快速填充的狭窄沟槽来形成具有增加的制造产量的超结元件。并非蚀刻具有足够大深宽比的沟槽以可靠地用经掺杂的P型材料来填充，而是可减小所述沟槽的深宽比以缩减所述元件的大小。此较小沟槽可接着加衬有相对薄（例如，约1 µm至约2 µm）的P型内衬，而非用P型材料完全填充所述沟槽。用所述被动填充材料填充所述沟槽可在相对高的温度下在几分钟内进行，藉此很可能导致在所述被动填充材料内形成空隙或接缝。然而，因为所述被动填充材料不会影响所述元件的操作，所以此种类型的缺陷可存在于所述元件中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本技术涉及半导体系统、工艺及设备。更具体而言，本技术涉及用于改进高深宽比功率元件的缩放的工艺及系统。

技术介绍

1、通过在基板表面上产生错综复杂图案化的材料层的工艺而使得集成电路成为可能。在基板上生产图案化材料需要形成及去除材料的受控方法。随着元件大小继续减小，集成电路内的特征可能变得更小，且结构的深宽比可能增加，并且在处理操作期间维持此些结构的尺寸可能受到挑战。一些处理可能导致材料中的凹陷特征，由于处理期间暴露增加，该等特征可能具有不均匀或锥形的侧壁。开发具有直侧壁的材料可能变得更困难。此外，通过无任何接缝及/或空隙的材料回填凹陷特征亦可能变得更困难。

2、因此，需要能够用于产生高质量元件及结构的改进的系统及方法。此些及其他需要通过本技术来解决。

技术实现思路

1、在一些实施方式中，一种超结元件可包括自基板正交向上延伸的第一n型区域。该基板可形成用于该元件的第一接触区域。该元件亦可包括自基板正交向上延伸至元件的第二接触区域的第二n型区域。该元件可进一步包括在第一n型区域与第二n型区域之间的沟槽。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种超结元件，所述超结元件包括：

2.如权利要求1所述的超结元件，其中所述P型内衬的高度大于或约为40 µm。

3.如权利要求1所述的超结元件，其中所述P型内衬的宽度小于或约为200 nm。

4.如权利要求1所述的超结元件，其中：

5.如权利要求4所述的超结元件，其中所述超结晶体管具有大于或约为650 V的击穿电压。

6.如权利要求1所述的超结元件，其中所述沟槽的宽度小于或约为2 µm。

7.如权利要求1所述的超结元件，其中所述P型内衬的掺杂浓度高于所述第二N型区域的掺杂浓度。

8.一种超结元件，所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种超结元件，所述超结元件包括：

2.如权利要求1所述的超结元件，其中所述p型内衬的高度大于或约为40 µm。

3.如权利要求1所述的超结元件，其中所述p型内衬的宽度小于或约为200 nm。

4.如权利要求1所述的超结元件，其中：

5.如权利要求4所述的超结元件，其中所述超结晶体管具有大于或约为650 v的击穿电压。

6.如权利要求1所述的超结元件，其中所述沟槽的宽度小于或约为2 µm。

7.如权利要求1所述的超结元件，其中所述p型内衬的掺杂浓度高于所述第二n型区域的掺杂浓度。

8.一种超结元件，所述超结元件包括：

9.如权利要求8所述的超结元件，其中所述空隙或接缝距所述被动填充材料的底部至少1 µm，且所述空隙或接缝距所述被动填充材料的顶部至少1 µm。

10.如权利要求8所述的超结元件，其中所述p型区域及所述被动填充材料所占据的区域的深宽比大于或约为20。

11.如权利要求8所述的超结元件，其中所述p型区域及所述被动填充材料所占据的区域的深宽比大于或约为40。

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【专利技术属性】
技术研发人员：阿米尔哈桑·努尔巴赫什，拉曼·盖尔，罗杰·奎恩，西达斯·克里希南，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：