【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请案请求2024年2月19日提交的美国专利申请案第18/581,290号的优先权，所述美国专利申请案请求2023年5月16日提交的美国专利申请案第63/466,897号及2023年3月20日提交的美国专利申请案第63/453,410号的权益，其全部内容据此以引用方式并入本文。本公开案的实施方式关于半导体处理领域，且特定言之是涉及一种化学放大抗蚀剂(car)，其设置在金属氧化物（亦即，金属氧代）底层之上以用于改良图案转移。
技术介绍
1、平板印刷术已在半导体行业中使用了数十年，用于在微电子元件中产生2d及3d图案。平板印刷工艺涉及膜的旋涂沉积（光刻胶），通过能源用选定的图案照射膜（曝光），及通过溶解在溶剂中去除（显影）膜的已曝光（正色调）或非曝光（负色调）区域。将进行烘烤以驱除其余的溶剂。
2、光刻胶应为辐射敏感材料，且在照射时，在膜的已曝光部分中发生化学转化，此使得已曝光区域及非曝光区域之间的溶解度发生变化。利用此种溶解度变化，去除光刻胶的已曝光或非曝光区域。现在光刻胶被显影，且图案可通过蚀刻转移至下伏的薄膜或基板上。转...
【技术保护点】
1.一种图案化基板的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括：
3.如权利要求2所述的方法，其中所述处理工艺包括热处理。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述热处理处于大约70摄氏度与大约250摄氏度之间的温度。
5.如权利要求2所述的方法，其中所述处理工艺包括紫外线(UV)辐射处理。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述UV辐射处理是在包括氮、氧及氩中的一或更多者的气氛中完成。
7.如权利要求2所述的方法，其中所述处理包括化学处理。
8.如权利要求7所述的...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种图案化基板的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括：
3.如权利要求2所述的方法，其中所述处理工艺包括热处理。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述热处理处于大约70摄氏度与大约250摄氏度之间的温度。
5.如权利要求2所述的方法，其中所述处理工艺包括紫外线(uv)辐射处理。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述uv辐射处理是在包括氮、氧及氩中的一或更多者的气氛中完成。
7.如权利要求2所述的方法，其中所述处理包括化学处理。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述化学处理包括六甲基二硅烷(hmds)。
9.如权利要求1所述的方法，其中通过干式显影工艺将所述图案转移至所述底层中。
10.如权利要求1所述的方法，其中显影所述euv敏感抗蚀剂以在所述euv敏感抗蚀剂中形成图案并且将所述图案转移至所述底层中是通过单个湿式显影工艺或干式显影工艺完成。
【专利技术属性】
技术研发人员：韩振兴，马杜尔·萨尚，郝瑞英，南希·冯，汪立坤，加布里埃拉·阿尔瓦，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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