示例性基板支座组件可包括静电吸盘主体，所述静电吸盘主体限定基板支座表面，所述基板支座表面限定基板座。所述静电吸盘主体可限定背侧气体腔，所述背侧气体腔延伸穿过所述基板座的表面。所述组件可包括与所述静电吸盘主体耦合的偏压电极。所述偏压电极可...

本公开内容的实施例大体上涉及用于基板处理腔室中的预热环以及相关方法。包括黑石英(诸如由黑石英形成)的预热环促进材料特性，从而可促进加热。在一个或多个实施例中，适用于半导体处理腔室的预热环包括一个或多个环形段。一个或多个环形段包括限定内尺...

本公开案的实施方式涉及用于形成电互连的方法。其他实施方式提供了形成和处置阻障层和衬垫层以改善膜和材料性质的方法。在一些实施方式中，所得的复合物层提供改善的电阻率、减少空隙形成并改善装置可靠性。

一种用于基板处理的方法，包括：使一种或多种工艺反应性气体流入处理腔室的上容积中；使清洁气体流入该处理腔室的下容积中；测量该处理腔室的该下容积的内表面的温度；以及基于测量的温度来调整该处理腔室的该下容积的该内表面的温度。

外延生长处理腔室具有部件，所述部件具有巨单元支撑结构。所述巨单元支撑结构具有界定流体连接孔的互连实体支撑件。经配置为用于外延生长处理腔室中的部件具有巨单元支撑结构，所述巨单元支撑结构具有界定流体连接孔的互连实体支撑件。所述部件可是下部衬...

范例处理方法可包括提供含硅前体与含碳前体至半导体处理腔室的处理区。基板可被容纳在所述处理区中。所述基板可界定在所述基板内的特征。所述方法可包括形成所述含硅前体与所述含碳前体的等离子体流出物。所述方法可包括在所述基板上沉积含硅与碳材料。所...

本文公开一种用于在化学机械抛光(CMP)系统内分配抛光流体并将其分配到抛光垫上的方法和设备。具体地，本文的实施例涉及一种CMP系统，该CMP系统具有第一流体递送臂和第二流体递送臂，该第一流体递送臂和该第二流体递送臂安置在该抛光垫上方，用...

具有子像素电路的装置和形成子像素电路的方法，可用于诸如有机发光二极管(OLED)显示器之类的显示器中。在一个示例中，装置包括基板、设置在所述基板上的多个像素定义层(PDL)结构，每个PDL结构具有上PDL表面，以及设置在所述多个PDL结...

本公开的方面一般涉及数字平版印刷系统和用于利用数字平版印刷系统对准分辨率的方法。数字平版印刷系统包括被配置为改进平版印刷处理的不同层的重迭对准的计量系统。计量系统包括在线计量系统(IMS)与工具上计量系统(OTM)结合，可实现基板重迭对...

本发明的实施方式有利地提供制造具有在先进GAA节点中的纳米片之间的缩放空间中的多阈值电压能力的半导体装置的方法。一或多个实施方式提供集成方案以有利地降低栅极电阻，通过合并n‑/p‑偶极与带有低电阻的中间能隙金属以达成期望的功函数与低电阻...

本文提供了快速气体交换(FGE)歧管的实施例。在一些实施例中，一种FGE歧管包括：歧管外壳，该歧管外壳具有用于使多种工艺气体从中流过的多个入口和多个出口从中流过，其中该多个出口对应于该工艺腔室中的多个区；多个混合阀，该多个混合阀安置在该...

一种用于使用快速聚焦和获取技术来检测半导体封装处理中的测量数据以确定混合接合的对准测量数据的装置。在一些实施方式中，所述装置可以包括配置为以选自大于1100nm的波长的波长照射焦点的源、当被源照射时形成照明光束的光学透镜，以扫描模式来回...

本公开案涉及用于处理基板的腔室、方法、设备和相关部件。在一个或多个实施方式中，使用紫外光产生原子自由基，并且所述原子自由基用于处理基板。在一个实施方式中，适用于半导体制造的腔室包括至少部分由一个或多个侧壁界定的内部容积、安置在所述内部容...

本文公开了一种用于基板制造的方法和系统。所述方法包括在处置基板之前在腔室中执行第一等离子体增强表面处理，然后，随后，在所述工艺腔室中沉积陈化材料。在所述工艺腔室中沉积多种陈化材料之后，将基板设置在所述腔室中。将所述基板在所述工艺腔室中定...

本公开案的实施方式涉及物品、涂覆腔室部件以及涂覆腔室部件的技术和系统。特定而言，公开了一种腔室部件和形成所述腔室部件的方法，所述腔室部件包括基板和安置在所述基板上的第一层，所述第一层包括具有第一原子浓度的金属。所述腔室部件还包括安置在所...

半导体处理的示例性方法可包括：向半导体处理腔室的处理区域提供含氟前体。基板可容纳在所述处理区域内。所述基板可包括覆盖含碳材料的含硼材料。所述方法可包括：产生所述含氟前体的等离子体流出物。所述方法可包括：使所述基板与所述含氟前体的所述等离...

本文的实施例总体上涉及电子器件制造，并且更具体地，涉及用于在热处理腔室中的灯加热的系统和方法。在一个实施例中，一种可调整反射器包括多个反射器元件。所述多个元件中的每一者具有第一表面、第二表面和多个侧壁。所述第一表面是反射表面并且被配置为...

本文描述了半导体装置(如全环绕式栅极(GAA)装置)、制造GAA装置的工艺工具和制造GAA装置的方法，以及用于GAA装置的内间隔衬垫和内间隔件。这些方法包括执行化学气相沉积(CVD)工艺，以在半导体基板的顶表面上形成的超晶格结构内形成非...

本案的实施方式包括一种用于图案化层状结构的光刻设备、图案化系统及方法。图案化系统包括图像形成装置及反应层。图案化系统允许在单一操作中创建光刻图案。光刻设备包括图案化系统和光学系统。光刻设备与图像形成装置一起使用多个波长的光，以在反应层上...

示例性基板处理系统可包括盖板。所述系统可包括多个处理区域。所述系统可包括至少一个分流器。每个分流器可包括顶表面和侧表面。每个分流器可界定入口和多个出口。每个入口和出口可延伸穿过侧表面。每个分流器可界定从流体入口延伸至毂的入口腔。每个分流...