本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器诸如有机发光二极管(OLED)显示器中的子像素电路和形成子像素电路的方法。装置包括多个子像素，所述多个子像素的每个子像素由相邻像素限定层(PDL)结构限定，所述PDL结构具有设置在所述PDL结构上的...

描述了半导体设备（例如环绕式栅极（GAA）设备）、用于制造GAA设备的工艺工具和制造GAA设备的方法以及用于GAA设备的内部间隔件衬垫和内部间隔件。所述方法包括：在半导体基板的顶表面上形成的超晶格结构内形成内部间隔件衬垫。所述超晶格结构...

本公开内容的实施例涉及通过将基板表面暴露于在小于或等于450℃的温度的含钼前驱物与有机硅烷还原剂而直接在基板表面(例如，低κ介电材料)上沉积钼膜的方法。含钼前驱物包括五氯化钼(MoCl5)、二氯二氧化钼(MoO2Cl2)、四氯氧化钼(M...

描述了涉及依据用于基板处理的预测冷却参数来冷却流动的技术。在一些实施方式中，一种方法包括：接收第一数据，所述第一数据表明用于在基板处理系统的处理腔室中处理基板的工艺配方。所述方法进一步包括：将所述第一数据输入模型。所述模型包括数字孪生体...

本公开内容的实施例涉及用于逻辑器件的具有较低电阻率的金属间隙填充的方法。特定实施例提供了利用等离子体蚀刻的集成式单独钨PVD工艺，以解决由钨PVD导致的悬伸问题和由成核导致的高电阻率。

提供半导体封装和用于制造半导体封装的非导电表面的金属化的方法。在一个实施例中，该方法包括通过无电镀沉积工艺来在聚合物表面上沉积粘附层。该聚合物表面限定穿通孔的侧壁，并且该粘附层包含钴合金或镍合金。该方法进一步包括通过浸没镀覆工艺来在该粘...

本文描述了一种包括金属氟氧化物涂层的腔室部件，此金属氟氧化物涂层包括YF3、ZrF4或其组合以及由Y2O3及ZrO2组成的金属氧化物。此金属氟氧化物涂层包括5莫耳％至90莫耳％的YF3或ZrF4及10莫耳％至95莫耳％的此金属氧化物。此...

描述了用于形成半导体结构的方法和半导体结构。该方法包括图案化基板以形成第一开口和第二开口，该基板包括n型晶体管和p型晶体管，该第一开口在n型晶体管上方，并且该第二开口在p型晶体管上方。预清洁该基板。在该p型晶体管和该n型晶体管中的一者或...

一种用于处理具有包括氟化铝的涂层的基板的设备的部件，所述涂层安置在所述部件的表面的至少一部分上。也公开一种涂覆部件的方法、一种修复部件上的涂层的方法、及一种处理基板的方法。

在基板处理系统中使用的示例性阻热板可包括板，所述板界定穿过所述板的第一孔及穿过所述板的第二孔。所述第二孔可与所述第一孔横向偏移。所述板可包括界定净化入口的凸缘。所述板可包括界定多个净化出口的边缘，所述净化出口与所述净化入口流体耦接。所述...

描述了一种用于识别基板上的缺陷的方法，所述基板具有位于所述基板上的显示器的多个像素。所述方法包括：提供时钟信号以用于利用设置在所述基板上的驱动器电路来驱动所述显示器的一部分；与时钟信号同步地对所述驱动器电路的至少一个部分进行成像以获得所...

一种方法包括识别与经由在处理腔室中进行的工艺配方的一个或多个基板处理操作沉积的材料量相关联的沉积厚度性质数据。该方法进一步包括基于该沉积厚度性质数据以及该工艺配方的可变清洁时间关系来确定清洁操作参数。该方法进一步包括基于该清洁操作参数来...

一种半导体结构，所述半导体结构包括：第一层级，所述第一层级包括金属层，所述金属层在形成于基板上的第一介电层内；第二层级，所述第二层级形成于所述第一层级上，所述第二层级包括在第二介电层内的互连件以及形成于所述互连件周围的阻挡层；及金属覆盖...

描述了用于半导体制造前体的安瓿及其使用方法。所述安瓿包括具有进气口埠和出气口埠的容器。所述安瓿包括位于所述进气口埠和所述腔之间的进气口气室和位于所述出气口埠和所述腔之间的出气口气室。流动路径由多个管状壁和与所述管状壁的底部边缘相邻的所述...

提供了用于处理基板的方法及装置。在一些实施方式中，用于处理基板的方法包括：对在相距设置于处理腔室的处理容积中的多个磁体一距离处设置的靶材通电；以及基于使用三阶多项式确定的反靶材电压曲线使所述多个磁体移动远离或靠近所述靶材预定距离。

本公开涉及用于基板处理腔室的升降组件、以及相关方法及部件。在个实施方式中，一种用于关于基板处理腔室设置的升降组件包括第一马达、耦接到所述第一马达的第一驱动组件及耦接到所述第一驱动组件的第一支撑块。所述第一马达被配置为使用所述第一驱动组件...

本文提供了用于处理腔室的基板支撑件的实施例。在一些实施例中，用于处理腔室的基板支撑件包括：基座，其具有用于支撑基板的支撑表面、安置在其中的一个或多个加热元件和安置在其中的射频(RF)电极；中空轴，其耦接到基座下表面；和射频杆，其延伸穿过...

方法和装置提供用于确定基板和其上的膜的质量的经相位解析的光学计量。利用振幅和相位信息耦合透射和反射信号，以改进从基板上的膜层获得的计量信息。

一种形成半导体结构的方法，所述方法包括执行预处置处理，所述预处置处理包括在氢气(H<subgt;2</subgt;)环境中对基板的表面进行退火；执行界面形成处理，所述界面形成处理包括热氧化基板的预处置表面以形成界面层；以及执...

本案描述半导体元件(如，全包围栅极(GAA)元件)、用于制造GAA元件的处理工具，及制造GAA元件及用于GAA元件的多层内间隔物的方法。多层内间隔物包含形成在基板的顶表面上的超晶格结构内的内层、中间层及外层。超晶格结构具有交替排列成多个...