半导体处理的示例性方法可包括从设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板蚀刻含硅材料的一部分。含硅材料可延伸到由基板上沉积的交替材料层限定的一个或多个凹部中。方法可包括将含碳前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括使剩余的含硅材料与...

本公开涉及计量测量系统及相关方法。在一或多个实施方式中，提供了测量系统。所述测量系统包括可操作以保持物体的工作台，以及位于所述工作台上方的光引擎。所述光引擎包括指向所述物体的光源、可操作以将所述光源的光进行准直或聚焦的第一透镜、位于所述...

一种在半导体结构中形成电触点的方法，包括：在具有n型金属氧化物半导体(n‑MOS)区和p型MOS(p‑MOS)区的半导体结构上执行空腔成形工艺，所述空腔成形工艺包括在所述n‑MOS区的暴露表面中形成n‑MOS空腔以及在所述p‑MOS区的...

本公开的实施例通常涉及蛋白质粉末成分及其制备方法。在一或多个实施例中，方法包括在原子层镀膜(ALC)工艺中，使用氧化铝涂层对含有肌红蛋白的多个蛋白质粉末颗粒进行涂覆，以形成多个涂覆颗粒。这些蛋白质粉末成分相较于对应的未涂覆蛋白质粉末具有...

本公开大体涉及用于半导体制造的气体回收系统、基板处理系统及相关设备及方法。在一或多个实施方式中，来自腔室的未反应的气体可以使用、回收、并且使用额外一或多次。在一个实施方式中，一种气体回收系统包括经配置为流体连接到处理腔室的一或多个出口通...

一种用于将晶粒结合到基板的工艺流程，通过降低流程复杂性，结合了缺陷风险管理和良率提升。在一些实施例中，工艺流程可包括在部件基板上进行辐射工艺，以削弱晶粒与部件基板的表面的粘附结合，在辐射工艺之后在部件基板上进行第一湿法清洁工艺，以清洁晶...

本文所公开的实施例包括一种显影图案化堆叠的方法。在一个实施例中，所述方法包括提供图案化堆叠，其中所述图案化堆叠包括底层和在所述底层上方的光刻胶，并且其中所述底层与所述光刻胶具有第一粘附强度。所述方法可以进一步包括用电磁辐射和显影剂曝光和...

一种方法包括由处理装置接收与第一处理腔室相关联的第一轨迹数据，其中第一处理腔室满足一个或多个性能度量。所述方法进一步包括基于与第一处理腔室相关联的第一轨迹数据来生成目标轨迹数据。所述方法进一步包括接收与第二处理腔室相关联的第二轨迹数据，...

一种方法包括提供与一个或多个基板处理程序相关联的轨迹数据，以作为第一经训练的机器学习模型的输入。所述输入进一步包括与一个或多个基板处理程序相关联的装备常数。所述输入进一步包括第一处理腔室的轨迹数据。所述输入进一步包括第一处理腔室的装备常...

此处提供了在基板上沉积金属硅化物的方法。在一些实施例中，一种在具有含硅表面的基板上沉积金属硅化物的方法，包括：在化学气相沉积（CVD）腔室中的等离子体区域中产生包含第一气体的等离子体，其中等离子体区域设置在盖加热器与喷淋头之间；使第一气...

一种形成内联机用金属衬垫层的方法使用多金属沉积处理以产生缩减厚度衬垫。后段制程封装处理可包括通过沉积带有大约5埃或更小的第一厚度的钌层与沉积带有大约20埃或更小的第二厚度的第一钴层来形成金属衬垫层。在一些实施方式中，钌层可沉积在先前形成...

本文描述与论述的实施方式提供用于在基板上选择性沉积金属氧化物的方法。在一个或多个实施方式中，用于形成金属氧化物材料的方法包括：将基板定位在处理腔室内，其中基板具有钝化与未钝化表面，将基板暴露于第一金属醇盐前驱物以将第一金属氧化物层选择性...

本公开内容的实施例包括用于通过控制基板的中心区域和圆周边缘区域之上的体等离子体中的等离子体密度来控制等离子体均匀性的装置和方法。可在等离子体处理期间通过使用耦接至相对于基板定位的多个电极中的一者的RF调谐电路来控制等离子体均匀性。通过调...

一种方法包括由处理装置接收指示多个处理腔室的性能的数据。所述方法进一步包括向模型提供指示多个处理腔室的性能的数据。所述方法进一步包括接收与多个处理腔室中的第一处理腔室相关联的第一推荐装备常数更新以及与多个处理腔室中的第二处理腔室相关联的...

本说明书的目标可以尤其在方法、系统、计算机可读取存储介质中实施。方法可以包括处理装置存储多个特征向量，所述特征向量表示对应于各种基板处理缺陷的先前处理的影像视框。所述方法进一步包括接收第一影像数据，所述第一影像数据包含指示第一基板处理缺...

一种基板处理的方法包括将多个晶粒附接至第一载体，其中每个晶粒具有第一侧及与第一侧相对的第二侧，其中第一侧被附接到第一载体且其中多个晶粒在第一载体上彼此水平地间隔开；以电介质或金属填充多个晶粒之间的空间且覆盖多个晶粒的第二侧；研磨或抛光覆...

示例性半导体处理腔室面板可以包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的主体。主体可限定延伸穿过第一表面和第二表面中的一个或两个的多个孔。面板可包括设置在主体内部的加热器。面板可以包括设置在加热器和第一表面之间的第一RF网格。面板可以包...

一种在半导体结构中形成电触点的方法，包括：在具有半导体区域和介电层的半导体结构上执行选择性沉积工艺，介电层内具有沟槽，选择性沉积工艺包括在介电层的沟槽内的半导体区域上外延形成接触层，以及执行微波退火工艺以活化外延形成的接触层中的掺杂物。

本文提供的实施例通常包括用于生成用于在处理腔室中对基板进行等离子体处理的波形的设备、等离子体处理系统和方法。一个实施例包括具有三个MOSFET和三个串联连接的电容器的波形发生器。电容器连接在DC电源上，并且根据电容器的值，每个电容器上的...

一种系统包括光学传感器，光学传感器包括发射元件和接收元件。光学传感器被配置为响应于基板支撑件在第一光学传感器的光学路径中支撑基板来检测基板的光透射比(optical transmission ratio)。系统进一步包括通信地耦接到光学...