公开一种使与基板接合的晶粒薄化的方法，所述方法利用包括氟的等离子体干蚀刻所述晶粒的顶表面，以相对于所述基板的顶表面选择性地去除所述晶粒的所述顶表面。并且一种使粘接至晶片基板的芯片薄化的方法包括：在处理腔室中，用由SF<subgt;...

本文公开的实施例可包括一种用于显影光图案化金属氧光刻胶的方法。在一个实施例中，所述方法可包括利用预处理工艺预处理光图案化金属氧光刻胶，利用热干法显影工艺显影光图案化金属氧光刻胶以选择性地移除所述光图案化金属氧光刻胶的一部分并且形成抗蚀剂...

物理气相沉积(PVD)腔室在电子器件制造工艺中在具有穿过其形成的过孔(TV)的基板上沉积薄膜。更具体地，设备和方法在TV具有高深宽比或另外以可减少溅射材料的沉积的方式成形时改进膜沉积均匀性。除了常规自顶向下溅射之外，牺牲板以材料从下方沉...

用于控制基板温度的方法及设备包括：测量经受沉积处理的基板；分析所述基板的测量以检测所述基板的缺陷；及基于若检测到缺陷的所述分析，发送反馈信号以修改使用于在所述沉积处理中控制所述基板的温度的温度控制器的温度控制参数，且若未检测到缺陷，不发...

此处所披露的实施方式包括用于减排系统的颗粒收集捕捉器，用于减排在半导体处理中产生的化合物。颗粒收集捕捉器包括用于在颗粒收集捕捉器中产生螺旋气体流动的装置。螺旋气体流动造成比气体更重的颗粒行进至其中气体速度较慢的流动路径的外径，且掉落离开...

一种间隙填充方法可包括在特征的开口中及在基板的一区域上沉积牺牲Si层。此外，此方法可包括在开口中及区域上沉积金属层，其中牺牲Si层的至少一部分被金属层取代。此方法也可包括在开口中及区域上直接在金属层上方沉积金属间隙填充材料，其中金属间隙...

本公开内容大体涉及用于在基板上形成氮化硅层和氮化硅结构的方法。在一个实施例中，该方法包括：将其上具有至少一个特征的基板定位在处理腔室中；在基板和至少一个特征上沉积第一硅层；氮化第一硅层以在基板和至少一个特征上形成第一氮化硅层；选择性抑制...

本文所述的实施方案也涉及电子及光子集成电路，以及用于在电、光电与光子元件之间制造集成互连的方法。本文所述的一或多个光学硅光子元件可在单个封装基板上与一或多个光电集成电路(光电芯片)结合使用以形成共封装光学及电气元件。本文所述的方法使得能...

本公开内容的实施例涉及一种形成压电器件的方法。形成压电器件的所述方法包括在一个操作处，将底部电极安安置在在基板上方，并且经由物理气相沉积以大于3kW的靶材偏置功率将高功率籽晶层安置在所述底部电极上方。所述方法进一步包括将压电层安置在所述...

一种用于形成装置的方法和设备，包括在表面的第一部分上沉积掩模层，所述掩模层在表面上形成特征，在特征内在表面的第二部分上沉积镜层，以及从表面移除掩模层。

本公开提供了直接字线接触形成的方法，适用于3‑D NAND组件。一种方法可能包括提供包含多个交替的第一层和第二层的膜堆叠，并在膜堆叠中形成多个接触开口，其中每个接触开口的蚀刻深度相对于膜堆叠的上表面都不同。所述方法可能进一步包括在膜堆叠...

本公开内容涉及计量测量系统和相关方法。在一个或多个实施例中，一种系统包括：基板支撑件；以及光学臂。所述光学臂包括光源，所述光源可操作以在第一光路上投射第一束。所述光学臂还包括：第一透镜，第一分束器，第二透镜，第一检测器，以及光阑。所述第...

本公开案的实施方式大体上涉及等离子体处理设备。等离子体处理设备包括处理腔室，处理腔室包括可操作以保持基板的基板支撑件、与处理腔室耦合的主等离子体源、板、空腔和边缘等离子体产生器。空腔容纳在板内，并从主等离子体源的介电侧壁径向向外间隔开。

本公开内容涉及用于传输与半导体制造的基板处理操作有关的基板的传输装置以及相关的部件和方法。在一个实施方式中，一种用于移动与半导体制造有关的基板的传输装置包括：主体；以及多个基板支撑件，至少部分地插入到所述主体中。所述多个基板支撑件中的每...

本文提供了用于处理基板的方法和设备。例如，一种匹配网络包括第一传感器和第二传感器，第一传感器可操作地连接到匹配网络的输入端和可操作在第一频率下的RF发生器，第二传感器可操作地连接到匹配网络的输出端和等离子体处理腔室。第一传感器和第二传感...

本公开的实施方式大体涉及用于原位膜生长速率监测的装置及系统，且包括用于监测基板上的膜生长的系统，此系统包括光源、准直仪、双色镜，及滤光片，所有这些均沿着传播路径且沿着此传播路径进行光通信。此传播路径在此双色镜处分裂为第一子路径及第二子路...

本公开内容的实施例涉及用于具有较低电阻率的金属间隙填充的方法。特定实施例提供了形成没有高电阻成核层的钨间隙填充的方法。本公开内容的一些实施例利用成核底层来促进金属间隙填充的生长。

本文中像素包括色彩面板、发光二极管(LED)面板及设置在色彩面板与LED面板之间的粘合剂层。色彩面板包括透明层、多个子像素隔离结构及设置在这些子像素隔离结构与透明层之间的多个黑基质结构。这些子像素隔离结构界定多个子像素的多个色彩转换孔。...

本文公开的实施方式包括现场调整多个RF阻抗匹配的校准因子以控制多个等离子体腔室的方法。在实施方式中，所述方法包含自多个RF阻抗匹配的操作收集数据并将其存储于内存中，以及针对多个RF阻抗匹配中的每一者自所收集的数据寻找调节空间。在实施方式...

本公开涉及用于在基板处理腔室中吸附的方法和系统。在一个实施方式中，一种在基板处理腔室中吸附一个或多个基板的方法包括：将吸附电压施加到基座。将基板设置在基座的支撑表面上。所述方法还包括：从施加的电压斜变吸附电压；在斜变吸附电压时检测阻抗偏...