一种半导体结构包括在基板上形成的交替的被掺杂半导体磊晶层及帽磊晶层的叠层。每个被掺杂半导体磊晶层包括具有载流子掺杂剂的硅，且每个帽磊晶层包括未掺杂载流子掺杂剂的硅及碳。

描述半导体元件及其制造方法。方法包括形成与基板上的超晶格结构相邻的源极区域及漏极区域。源极区域及漏极区域包括金属硅化物材料。在一些实施方式中，首先沉积牺牲材料且接着移除，以在源极及漏极区域中形成金属硅化物材料。

在一个实施例中，一种适合于半导体处理中使用的处理腔室包括封闭内部容积的腔室主体。基座设置在内部容积中，并且内部容积包括基座下方的净化内部容积和基板支撑件上方的处理容积。衬垫设置在基座的径向外侧。处理腔室还包括预热环。预热环配置成当基座为...

本文中所公开的实施方式包括基板处理模块及移动工件的方法。基板处理模块包括遮件堆叠及两个处理站。遮件堆叠设置在处理站之间。移动工件的方法包括以下步骤：在第一方向上将支撑部分从第一位置移动到遮件堆叠，从遮件堆叠取回工件，及将支撑部分移动至第...

本文描述了一种反射器和一种具有反射器的处理腔室。在一个示例中，提供了一种反射器，所述反射器包括圆柱形主体、冷却通道和反射涂层。圆柱形主体具有上表面和下表面。下表面具有多个凹面反射器结构，所述多个凹面反射器结构围绕圆柱形主体的中心线设置。...

本文所述的实施例涉及电子和光子集成电路，以及用于在电、光电和光子装置之间制造集成互连的方法。本文所述的一个或多个光学硅光子装置可在单个封装基板上与一个或多个光电集成电路（光电芯片）结合使用以形成共封装光学和电气装置。本文所述的方法使得能...

本公开内容提供了用于选择性地沉积外延层的方法。在一些实施方式中，选择性外延沉积工艺包括提供氯硅烷前驱物与含锑前驱物和含磷前驱物中的至少一者的共流。该方法利用多种氯硅烷前驱物的共流，以使得能够使用低温选择性工艺将硅与磷和锑中的至少一者组合...

本公开内容的实施方式涉及使用转移腔室的设备、系统和方法。在一个或多个实施方式中，气态杂质在转移腔室中被减少。在一个实施方式中，一种方法包括：通过用户接口接收用户输入，用户输入指示基板处理系统根据一组参数进行维护恢复操作，维护恢复操作包括...

提供了一种形成半导体器件的方法。在一些实现方式中，所述方法包括将基板定位到处理腔室中，基板具有暴露的非结晶表面和暴露的结晶表面。所述方法进一步包括将处理腔室加热到用于沉积的温度。所述方法进一步包括将预处理气体注入到处理腔室中。预处理气体...

本公开内容示出了用于制造包括中空外延沟道的3D NAND快闪存储器结构的方法。一种用于制造3D NAND存储器结构的方法可包括在基板上形成多个交替的材料层，这些交替的材料层以竖直堆叠的方式布置，刻蚀沟道孔，该沟道孔穿过多个交替的材料层延...

描述了用于在高度共线响应空间中的规范性分析的方法、系统和非瞬态计算机可读介质。方法包括：接收与制造设备的制造参数相关的膜性质数据。方法进一步包括：确定膜性质数据是相关的并且与目标数据不同。方法进一步包括：选择与目标数据正交的膜性质数据的...

描述了用于在高度共线响应空间中的规范性分析的方法、系统和非瞬态计算机可读介质。方法包括：接收与制造设备的制造参数相关的膜性质数据。方法进一步包括：确定膜性质数据是相关的并且与目标数据不同。方法进一步包括：选择与目标数据正交的膜性质数据的...

一种方法包括获得三维(3D)内存装置的基底结构，在基底结构上形成包括高k介电材料的阻障层，以及在阻障层上使用原子层沉积(ALD)工艺形成用于3D内存装置的包括钼的字线。

本公开案的实施方式大体涉及具有表面涂层的基板支撑件，所述表面涂层减少了基板处理期间的缺陷形成及背侧金属污染。支撑体包括具有外表面的主体及由非金属或还原金属材料形成的表面涂层，所述表面涂层安置在主体的外表面的至少一顶表面上。在一实施方式中...

提供了用于处理基板的方法和装置。在一些实施例中，一种方法包括：在基板上以及设置在所述基板的介电层中的特征内沉积金属缓冲层。使用第一物理气相沉积(PVD)工艺在小于500 mTorr的腔室压力下沉积所述缓冲层，同时如果所述腔室压力小于或等...

本文公开的实施方式大体提供了对处理腔室中的气体流的改进控制。在至少一个实施方式中，圆盘及衬垫组件包括具有外径的石英圆盘、在石英圆盘中形成的多个孔洞或槽、及内径小于石英圆盘的外径的石英环。

化学机械抛光系统的控制器被配置为使载体头根据扫动轮廓在抛光垫上扫动。控制器也被配置为选择多个控制参数的值以便最小化目标去除轮廓与预期去除轮廓之间的差。多个控制参数包括多个停留时间参数。多个控制参数与去除速率之间的关系被存储在表示第一矩阵...

提供一种光学基板接口修改的方法。为了达到理想的光学特性，必须去除接口层中的表面缺陷。在一个例子中，基板会暴露于离子束下，然后进行高温烘烤或激光退火以修正接口层。在另一个例子中，可以使用高能量离子束来去除接口层，然后在高温烘烤或激光退火过...

一种处理套组外壳系统，包括：用以封围内部容积的表面、包括第一鳍片的第一支撑结构、包括第二鳍片的第二支撑结构、以及用于将处理套组外壳系统与晶圆处理系统的装载端口接合的前接口。第一鳍片和第二鳍片被设置大小和间隔以在内部容积中保持处理套组环载...

本公开的实施方式大致上涉及用于增强碳硬掩模以具有改善的蚀刻选择性及轮廓控制的方法。在一些实施方式中，提供一种加工碳硬掩模层的方法，所述方法包括：将工件定位在处理腔室的处理区域内，其中工件具有设置在底层上或上方的碳硬掩模层；以及通过将工件...