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应用材料公司专利技术
应用材料公司共有6594项专利
碳硬掩模的等离子体增强化学气相沉积制造技术
在一个或多个实施例中,一种用于通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来沉积碳硬掩模材料的方法包括:将容纳在工艺腔室内的基板加热到在从约100℃至约700℃的范围内的温度;以及用发出大于3kW的RF功率的功率发生器产生等离子体。在一些...
水平环绕式栅极器件改善的通道均匀性制造技术
一种在基板上形成多层半导体器件的方法包括:形成多个交替的由一第一材料组成的第一层和由第二材料形成的第二层的超晶格;去除超晶格的第二层;蚀刻第一材料层以由其形成修整的第一层,其中从第一层中的不同第一层去除的材料的数量是不同的量;在第一层上...
光学元件的总厚度或局部厚度变化制造技术
本公开案的实施方式一般涉及用于形成波导的方法。方法可包括:测量波导基板,所述波导具有基板厚度分布;及将折射率匹配层沉积在波导的表面上,所述折射率匹配层具有设置在所述波导基板上的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,其中所述折射率匹配层...
膜失效检测系统技术方案
一种研磨系统,包括压力系统、包括膜的基板载体、第一传感器和控制系统。膜的第一隔室流体耦接至压力系统。第一传感器被配置为监测压力系统并基于在压力系统中检测到的状况产生第一输出。控制系统耦接到第一传感器并且被配置成处理第一输出以产生第一处理...
利用光束宽度调制的晶片点加热制造技术
本公开内容的实施方式提供一种热处理腔室,包含基板支撑件、设置于基板支撑件的上方或下方的第一多个加热元件、及设置于基板支撑件上的点加热模块。点加热模块被用于在处理期间提供设置于基板支撑件上的基板上的区域的局部加热。基板的局部加热改变了温度...
氧化增强的掺杂制造技术
本技术的实施例包括半导体处理方法。所述方法可包括:将含硅前驱物和掺杂剂前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可设置于半导体处理腔室内。可将含硅材料形成于基板上。所述方法可包括:使含硅材料与含硅前驱物和掺杂剂前驱物接触。所述方法可包括...
氧化铝碳混合硬掩模以及制造其的方法技术
本公开的实施方式大致上涉及用于增强碳硬掩模以具有改善的蚀刻选择性及轮廓控制的方法。在一些实施方式中,提供一种加工碳硬掩模层的方法,所述方法包括:将工件定位在处理腔室的处理区域内,其中工件具有设置在底层上或上方的碳硬掩模层;以及通过将工件...
使用基板测量的基板放置最佳化制造技术
计算机可读介质包括指令,所述指令在由处理装置执行时使处理装置执行操作。所述操作包括在第一基板由基板支撑件支撑在第一放置位置的同时,在处理腔室中处理第一基板。第一基板在处理之后包括第一表面轮廓。所述操作还包括使用基板测量系统生成第一表面轮...
基板结构化方法技术
本公开涉及用于结构化半导体基板的方法和装置。在一个实施例中,一种基板结构化方法包括将抗蚀剂层施加到可选地设置在载体上的基板。使用紫外线辐射或激光烧蚀对抗蚀剂层进行图案化。然后,通过微喷砂将抗蚀剂层的图案化部分转印到基板上,以在基板中形成...
具有蚀刻副产物自清洁的干式蚀刻制造技术
一种方法包括:在蚀刻腔室内提供基底结构,所述基底结构包括设置在基板上的目标层和设置在目标层上的蚀刻掩模;在蚀刻腔室内使用亚硫酰氯来干式蚀刻目标层以获得经处理的基底结构;以及之后形成多个特征。经处理的基底结构包括由蚀刻掩模限定的多个特征和...
对处理腔室的区域进行关联的方法,及相关系统及方法技术方案
本公开案涉及对处理腔室的区域进行关联的方法,及相关的系统及方法。在一个实施方式中,对处理腔室的区域进行关联的方法包括将处理体积分成多个区域。多个区域具有第一区域号(m)及第二区域号(n)。所述方法包括确定组号。组号的确定包括将第一值乘以...
用于废水处理的智能制造解决方案制造技术
本揭示案大体上关于用于收集废液的方法和系统。揭示了一种系统控制器,用于控制系统的至少一部分的操作。控制器具有CPU。制造设施包括第一处理系统,其中分配有流体,以用于处理零件上的材料。第一排放管被配置成在处理零件之后将处理流体收集为废液。...
用还原等离子体的介电膜表面恢复制造技术
提供形成EUV光刻胶硬掩模的方法。该方法包括用还原等离子体处理基板上的富金属层以在富金属层上形成金属表面,富金属层具有包括金属氧化物层的顶部分。富金属层包含锡(Sn)、铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、碲(Te)、锑(Sb)、镍(Ni...
用于监测灯的辐射输出的方法、系统和装置制造方法及图纸
本公开内容的实施例涉及用于监测处理腔室的灯的辐射输出的方法、系统和装置。在一些实施例中,系统包括耦接到腔室的多个灯,以及一个或多个辐射传感器。每个灯用一个或多个区标识,辐射传感器耦接到腔室,其中每个辐射传感器靠近至少一个灯。控制器包括指...
用于沉积腔室的基板支撑件设计制造技术
本公开内容大体涉及一种基板支撑件,所述基板支撑件包括主体,所述主体具有基板接收表面,所述主体包括介电材料。所述主体还包括第一箔,所述第一箔在所述基板接收表面下方嵌入在所述主体中。所述主体还包括导电网状物,所述导电网状物在所述第一箔下方嵌...
氧化铝碳混合硬掩模以及制造其的方法技术
本公开的实施方式大致上涉及用于增强碳硬掩模以具有改善的蚀刻选择性及轮廓控制的方法。在一些实施方式中,提供一种加工碳硬掩模层的方法,所述方法包括:将工件定位在处理腔室的处理区域内,其中工件具有设置在底层上或上方的碳硬掩模层;以及通过将工件...
用于设备前端模块的过滤器隔离制造技术
本文公开了用于减少设备前端模块(EFEM)的启动时间的系统和方法。EFEM可包括形成在多个壁之间的EFEM室、EFEM室上方的上部气室、与EFEM室流体连通的上部气室、提供返回气体流动路径的多个管道以使得来自EFEM室的气体能够再循环至...
用于磊晶沉积操作中的批处理的匣结构及相关方法技术
在一个实施方式中,公开了一种匣支撑系统,并且所述匣支撑系统包括:底座组件,所述底座组件具有轴;多个臂,耦接到轴并从轴径向延伸,其中包括在多个臂中的至少两个径向相邻的臂以约130度或更大的角度分开;多个匣支撑臂,每个匣支撑臂从包括在多个臂...
具成本效益的射频阻抗匹配网络制造技术
本文提供的实施方式大体而言包括用于射频(RF)电力生成操作所需的RF传感器的快速且不昂贵的修理及替换的等离子体处理系统中的设备及方法,以及用于在其中的半导体处理期间在等离子体腔室中生成等离子体的阻抗匹配装备。在等离子体处理系统的装备之间...
相似结构的自动测量制造技术
一种方法包括使用包括结构的历史图像数据的训练数据集来训练机器学习模型,所述历史图像数据包括结构的多个图像。训练包括标记多个图像的源图像的区域以创建用于所述源图像的源掩码,并且将多个图像的源图像和目标图像作为训练输入提供到机器学习模型。训...
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