本文所提供的实施方式一般包括用于在一个电源的多个频带上进行动态阻抗匹配的装置、等离子体处理系统和方法。一个示例方法包括：放大宽带信号；将所述被放大的宽带信号在与阻抗匹配网络耦合的多个通道路径上进行分离；以及至少部分地基于与所述宽带信号相...

本文所述实例大体涉及用于基板的快速热处理(RTP)的设备及方法。本公开案公开用以测量RTP腔室中自低温到高温的广泛范围的脉冲辐射源，每一脉冲辐射源处于离散波长，所述脉冲辐射源在将处于离散波长的一个激光用于较高温度之前在低温区间使用。在另...

一种方法包括在第一介电层上形成导电材料，将导电材料暴露于苯胺以产生导电材料的钝化表面，以及在将导电材料暴露于苯胺之后，使用沉积工艺在第一介电层上形成第二介电层。该沉积工艺是无水且无等离子体的沉积工艺，并且第二介电层不在导电材料的钝化表面...

本公开内容涉及一种天线阵列。天线阵列包括多个电介质窗、主框架与多个副框架，多个电介质窗耦合到包括多个气体端口的支撑结构、主框架包括连接到电源的主导管，多个副框架由主框架支撑。副框架包括连接到主导管的副导管。多个感应耦合器，多个感应耦合器...

用于在基板上选择性沉积钼层的方法及设备包括使最初包含第一部分及第二部分的基板表面与钼前驱物接触以在基板表面的第二部分上选择性形成钼层，所述第一部分包含非晶硅且所述第二部分包含硅及锗。

示例性半导体处理系统可以包括盖板和气体分离器。气体分离器可以安置在盖板上。气体分离器可以包括顶表面和多个侧表面。气体分离器可以限定：气体入口；气体出口；气体腔，所述气体腔在气体入口与气体出口之间延伸，并将气体入口与气体出口流体耦合；以及...

本文提供了用于PVD腔室的靶材组件。在一些实施例中，一种用于PVD腔室的靶材组件包括：背板；以及靶材，所述靶材耦接到所述背板并且具有与所述背板相对的面向基板的表面，其中所述靶材的周边部分包括成角度的表面，所述成角度的表面径向向外且朝向所...

本文描述了用于冷却半导体腔室的方法和装置。一种半导体腔室部件包括通电区域；接地区域；以及流体导管，所述流体导管设置在所述半导体腔室部件内并穿过所述通电区域和所述接地区域，所述流体导管包含陶瓷材料。

本公开的实施方式大体涉及一种清洁化学气相沉积腔室的方法。方法包括开始使清洁气体流动到处理腔室中的中心远程等离子体源(RPS)反应器。方法包括开始使清洁气体流动到处理腔室中的四个转角RPS反应器。方法亦包括使清洁气体流动到中心RPS反应器...

本公开内容涉及用于外延沉积操作中的批量处理的盒结构和相关方法。在一个实现方式中，一种被配置用于设置在基板处理腔室中的盒包括第一壁、与第一壁间隔开的第二壁以及在第一壁与第二壁之间延伸并耦接到第一壁和第二壁的一个或多个侧壁。盒包括形成在一个...

蚀刻含硅材料的示例方法可包括：将第一含氟前体流入半导体处理腔室的远程等离子体区域内。所述方法可包括：将含硫前体流入半导体处理腔室的远程等离子体区域内。所述方法可包括：在远程等离子体区域内形成等离子体，以产生第一含氟前体及含硫前体的等离子...

在处理腔室部件上的涂层包括金属结合层，所述金属结合层沉积在部件的表面上。热障层沉积在结合层上。实质上无孔陶瓷密封层沉积在热障层上。密封层实质上适形于热障层的表面的不规则处。密封层的化学成分经选择用于抵抗来自含卤素化学物质的侵蚀。

本文所提供的实施例总体上包括用于处理腔室中的基板的等离子体处理的装置(例如，等离子体处理系统)和方法。一些实施例涉及一种用于波形生成的方法，其总体上包括：从能量源输送具有相关联设定点的第一波形；检测第一波形的至少一个特性；估计在第一波形...

本公开内容涉及用于促进沉积工艺可调节性的热源布置、处理腔室和相关方法。在一个实现方式中，一种适用于半导体制造的处理腔室包括下窗口和上窗口。下窗口和上窗口至少部分地限定内部空间。处理腔室包括设置在内部空间中的基板支撑件，并且基板支撑件包括...

本公开内容的实施例总体涉及用于在基板处理期间测量和控制等离子体处理腔室中的基板支撑件处的局部阻抗的方法和设备。基板支撑件包括多个基板支撑销，其中测量多个基板支撑销中的每个基板支撑销的射频电压、电流和相位，并且实时调整支撑销的阻抗。基板支...

本公开内容涉及用于批量冷却或加热的腔室以及相关方法和结构。在一个实施方式中，适用于半导体制造的腔室包括基部、盖和在基部与盖之间的一个或多个侧壁。基部、盖和一个或多个侧壁至少部分地限定内部空间。腔室包括安置在内部空间中的盒。盒包括第一外板...

本公开内容的实施例涉及用于半导体封装的数字平版印刷术的系统、软件应用和方法。所述方法包括比较过孔的定位和过孔位置，基于比较过孔的定位和过孔位置来生成定位数据，将过孔的定位数据提供给数字平版印刷术装置，根据定位数据更新再分布金属层(RDL...

一种产生多层基板的方法，其包括以下步骤：在基板上沉积扩散阻障层；在阻障层上沉积包含6族金属的下层；及在下层上沉积钌层，以产生多层基板。也公开一种多层基板。

一种半导体处理方法可包括提供含氟前驱物至半导体处理腔室的处理区。基板可被安置在处理区内。基板可包括含硅和氧材料的暴露区。基板可包括衬垫材料的暴露区。方法可包括提供含氢前驱物至半导体处理区。方法可包括使基板接触含氟前驱物及含氢前驱物。方法...

本公开涉及一种用于在使用氩气时减少抽空时间的基板支撑组件。在一个实施方式中，基板支撑组件包括在基板支撑组件内的多孔栓塞。所述多孔栓塞包括具有第一体积和轴向长度的第一圆柱形区段、具有第二体积和轴向长度的第二圆柱形区段。所述第一圆柱形区段具...