在本文中描述的实施方式涉及基座配件。基座配件包含：基座支撑板，所述基座支撑板包含：多个基座升降杆孔和多个基座支撑孔、凹陷在所述多个基座支撑孔内且耦接至所述基座支撑板的多个基座支撑件，及升降杆组件。多个基座支撑件容纳多个基座支撑销。支撑主...

用于将IPA蒸气输送至基板处理腔室的设备和方法。在一个方面中，本发明包括：控制器；液体质量流量控制器(LMFC)，所述LMFC与汽化器相关联，以将第一液体转换成蒸气；质量流量控制器(MFC)，所述MFC与载气相关联；混合单元，所述混合单...

一种方法包括识别形成多个孔的基板处理设备零件的图像。所述方法还包括由处理装置基于所述图像来确定所述多个孔中的每一者的对应相邻角距和所述多个孔中的每一者的对应面积。所述方法还包括由所述处理装置基于所述多个孔中的每一者的所述对应相邻角距或所...

示例性半导体处理系统可以包括盖板。气体分流器可以安置在盖板上。气体分流器可包括顶表面和多个侧表面。气体分流器可限定气体入口、一个或多个气体出口、以及一个或多个气体管腔。一个或多个气体管腔可以在气体入口与一个或多个气体出口中的每一者之间延...

本文中本公开内容的实施方式包括用于处理基板的设备和方法。更具体地，本公开内容的实施方式提供包括夹持致动器和基板固定组件的基板翻转装置。所述基板固定组件包括：上部结构，所述上部结构耦接至所述夹持致动器；下部结构，所述下部结构耦接至所述夹持...

本文公开的实施方式包括阻抗匹配网络。在一实施方式中，阻抗匹配网络包括：输入；以及第一矩阵调谐元件，所述第一矩阵调谐元件在来自输入的第一分支上，其中第一矩阵调谐元件包括可变电容。在一实施方式中，阻抗匹配网络进一步包括：变压器，所述变压器在...

示例性基板支撑组件可以包括静电吸盘主体。主体可以包括限定基板支撑表面的支撑板。主体可包括与支撑板耦合的基底板。基底板的底表面可以限定环形凹槽。主体可包括与基底板耦合的冷却板。组件可以包括与主体耦合的支撑柄。组件可以包括嵌入主体内的加热器...

本文中描述一种用于执行曝光后烘烤操作的方法及设备。在基板上的光致抗蚀剂曝光之后，在烘烤工艺期间加热基板以促进对抗蚀剂的保护。在真空环境中在次大气压的压力下执行烘烤工艺。在以减少的压力进行烘烤之后，使基板冷却。在次大气压的压力下执行冷却工...

一种处理系统包括一个或多个处理腔室，及系统控制器，该系统控制器经配置以使处理系统执行(a)在半导体结构的已暴露表面上的预清洁工艺，半导体结构包括第一半导体区域、由沟槽与第一半导体区域分离的第二半导体区域，及在第一半导体区域及第二半导体区...

本文提供了用于清洁基板处理工具中的工具零件的方法和装置。在一些实施例中，一种清洁基板处理工具中的工具零件的方法包括：将一个或多个脏工具放置在多腔室处理工具的接合腔室中的保持件上；将保持件从接合腔室转移至多腔室处理工具的清洁腔室；在清洁腔...

示例性半导体处理方法可包括：将一种或多种沉积前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。所述方法可包括：使容纳在处理区域中的基板与一种或多种沉积前驱物接触。所述方法可包括：在基板上形成含硅材料。所述方法可包括：将含氟前驱物提供至半导体处理腔室...

提供了一种用于在半导体元件中形成钨特征的方法及设备。方法包括将在基板中形成的特征的顶部开口暴露于物理气相沉积(PVD)工艺以在特征内沉积钨衬垫层。PVD工艺在第一处理腔室的第一处理区域中执行并且钨衬垫层形成部分阻碍特征的顶部开口的悬垂部...

公开了通过物理气相沉积工艺沉积非晶硅膜的方法。在一些实施方式中，在物理气相沉积(PVD)处理腔室中沉积非晶硅的方法包括：(a)通过物理气相沉积工艺在设置于基板支撑件上的基板的表面的顶上沉积非晶硅层，与此同时非晶硅亦沉积在PVD处理腔室内...

在一个实施方式中，公开了一种液态金属泵。所述液态金属泵包括：金属侧台板，所述金属侧台板包括液态金属腔；空气侧台板，所述空气侧台板包括空气腔；隔膜；液态金属入口端口；金属出口端口；多个加热线圈；以及滑块。隔膜设置在金属侧台板与空气侧台板之...

一种存储器单元阵列包括沿第一方向堆叠的多个存储器级，多个存储器级中的每一个包括有源区、在第一方向上在有源区上方具有单栅极的单元晶体管、以及具有电连接到有源区的底部电极层的单元电容器。

用于在处理腔室中形成等离子体的方法和设备使用环形激发器，环形激发器由第一导电材料形成，环形激发器具有电连接到提供RF电流的RF功率源的第一端和连接到接地的第二端；和环形施加器，环形施加器与环形激发器物理分离，环形施加器由第二导电材料形成...

描述用于形成半导体结构的方法以及半导体结构。该方法的一些实施方式包括：图案化基板以形成第一开口和第二开口，该基板包括n型晶体管和p型晶体管，该第一开口位于该n型晶体管上方，而该第二开口位于该p型晶体管上方。基板经预清洁。在该p型晶体管上...

本公开案的实施例大体是关于用于形成具有单晶结构的层的方法、系统和设备。在一个实施中，一种处理基板的方法包括将基板定位在腔室的处理空间中，以及将基板加热至为800摄氏度或更低的基板温度。方法包括将处理空间维持在1.0托至8.0托的范围内的...

披露了方法，这些方法利用预混气体混合物来使用在线二次离子质谱(SIMS)工艺在基板上执行计量过程。将两种或更多种气体的预混气体混合物注入等离子体腔室中，所述等离子体腔室被配置为产生用于所述在线SIMS工艺的溅射离子。所述两种或更多种气体...

提供了用于形成可在包含超晶格结构的半导体器件中使用的应变松弛缓冲层的方法及设备。方法包括在基板上方外延地沉积第一锗硅层。第一锗硅层具有接触基板的前侧表面的第一表面及与第一表面相对的第二表面。第一锗硅层具有第一厚度及从第一表面到第二表面增...