本技术的实施例包括像素结构。像素结构包括发光二极管结构以产生紫外光。像素结构进一步包括含有光致发光材料的光致发光区域。像素结构另外包括位于发光二极管结构和光致发光区域之间的第一带通滤片，其中第一带通滤片可操作以透射大于50%的波长小于或...

本公开的实施例总体上提供用于处理基板的设备和方法。更具体地，本公开的实施例提供一种处理腔室，所述处理腔室对设置在处理腔室中的基板的边缘具有增强的处理效率。在一个实施例中，处理腔室包含：腔室主体，所述腔室主体在处理腔室中界定内部处理区域；...

实施例包含一种在等离子体处理腔室中处理基板的方法，包含：由RF发生器通过RF匹配器向电极组件传输RF信号，同时RF匹配器被设置为第一匹配点；以及由波形发生器将电压波形传输到电极组件，同时将RF信号传输到电极组件。所述方法包含：由RF匹配...

所描述的处理方法包括在基板层上形成LED结构群组以形成图案化的LED基板。所述方法也包括在图案化的LED基板上沉积光吸收材料，其中所述光吸收材料包括至少一种光可固化化合物和至少一种紫外光吸收材料。所述方法进一步包括将光吸收材料的一部分暴...

示例性基板处理系统可包括盖板。系统可包括具有RPS出口和旁通出口的气体馈送管线。系统可包括被支撑在盖板顶上的远程等离子体单元。远程等离子体单元可包括入口和出口。入口可与RPS出口耦接。系统可包括中心歧管，所述中心歧管具有与出口耦接的RP...

一种用于捕获生物组织样本的空间图像的成像系统可包括：成像腔室，所述成像腔室被配置为保持放置在成像系统中的生物组织样本；光源，所述光源被配置为照射生物组织样本以激活生物组织样本中的一个或多个荧光团；时间延迟和积分（TDI）成像器，所述TD...

描述了一种用于在沉积腔室内旋转基板的设备。所述基板使用具有轴件及耦接到所述轴件的顶部的基座的基板支撑组件旋转。所述基座及所述轴件使用啮合特征耦接在一起。所述啮合特征包括在轴件的耦接部分上的多个齿或突起，这些齿或突起与基座的底部上设置的凹...

本公开内容的实施例涉及钼间隙填充的方法。额外的实施例提供了一种形成无实质性空隙的钼间隙填充物的方法。本公开内容的一些实施例与较高深宽比特征相关，这些特征包括DRAM存储器单元。

示例性电镀系统可以包括容器。系统可以包括被配置为保持衬底的头部。头部可以定位在容器的内部。系统可以包括设置在容器内部的喷口阵列。喷口阵列可以包括板，板限定穿过板的厚度的多个孔。系统可以包括至少一个流体泵，至少一个流体泵与多个孔中的每一个...

一种用于处理基板的反射板组件包括具有第一表面的反射板，其中第一表面是裸抛光表面；从第一表面内嵌在反射板内的反射盘；在反射盘上的涂布层；及设置通过反射盘的开口的高温计。

本文中描述的气体分配设备包括邻近喷淋头的后板的混合板。混合板具有限定混合板的厚度的后表面和前表面。混合板具有混合通道以及与混合通道的顶部部分流体连通的至少两个气体入口，混合通道包括限定混合通道长度的顶部部分和底部部分。气体分配设备还包括...

本文提供了用于填充基板的含硅介电层中的特征的方法和相关联的设备的实施方式。在一些实施方式中，填充基板的含硅介电层中的特征的方法包括：在第一处理腔室中经由物理气相沉积（PVD）处理在特征中沉积非连续衬垫层；在第二处理腔室中执行氢等离子体处...

本公开内容涉及用于对基板执行化学机械抛光的抛光模块。基板可以是半导体基板。所述的抛光模块具有设置在单个抛光站内的多个垫，诸如抛光垫。垫被配置为在处理期间(诸如在抛光(polishing)或擦光(buff)期间)保持固定。x‑y高架组件或...

描述了用于具有埋置字线的DRAM器件的方法。此方法包括在基板上的特征中形成包括氮化镧（LaN）的金属氮化物层和钼导体层。此方法包括通过原子层沉积（ALD）在金属氮化物层上沉积钼导体层。

在一些具体实施例中，一种喷头组件，喷头组件包括：加热的喷头，所述加热的喷头具有加热器板和耦接到加热器板的气体分配板；离子过滤器，离子过滤器与加热的喷头间隔开；间隔环，间隔环在加热的喷头与离子过滤器之间接触；远程等离子体区域，远程等离子体...

根据本技术的电镀系统可包括双浴槽电镀腔室，此双浴槽电镀腔室包括分隔器，配置成用以提供第一浴槽及第二浴槽之间的流体分离，此第一浴槽配置成用以在作业期间保持阴极电解液，此第二浴槽配置成用以在作业期间保持阳极电解液。此系统可包括阴极电解液槽，...

用于减小接触电阻的方法包括在中间工序(MOL)接触结构上执行选择性硅化钛(TiSi)沉积工艺，该中间工序(MOL)接触结构包括在介电材料的基板中的空腔。接触结构亦包括在空腔的底部处的硅基连接部分。相对于介电材料，选择性TiSi沉积工艺对...

一种用于形成对准标记的方法利用垫密度和临界尺寸(CD)。在一些实施例中，所述方法包括在第一基板和第二基板上形成第一对准标记和第二对准标记，其中所述对准标记具有在相应基板上的铜垫的相关联CD的5％内的宽度，以及在第一对准标记和第二对准标记...

本文公开了一种用于在处理系统的前级管道中控制压力的系统及方法，所述系统和方法减少了前级管道压力的变化。在一个范例中，提供了一种处理系统，所述处理系统包括第一工艺腔室、第一泵、前级管道及第一前级管道压力控制系统。第一泵具有入口及出口。第一...

此处系统及方法相关于使用硅晶圆、玻璃、或如基板的装置来形成光学装置，所述光学装置包含堆叠的光学元件层。可在暂时或永久基板上制造此处所讨论的光学元件。在一些范例中，制造光学装置以包含透明基板或装置，所述装置包含电荷耦合装置(CCD)、或互...