具有基板边缘增强处理的处理腔室制造技术

本公开的实施例总体上提供用于处理基板的设备和方法。更具体地，本公开的实施例提供一种处理腔室，所述处理腔室对设置在处理腔室中的基板的边缘具有增强的处理效率。在一个实施例中，处理腔室包含：腔室主体，所述腔室主体在处理腔室中界定内部处理区域；设置在处理腔室中的喷头组件，其中喷头组件具有多个区，其中在喷头组件的边缘区处的孔隙密度比在喷头组件的中心区处的孔隙密度更高；设置在处理腔室的内部处理区域中的基板支撑组件；以及设置在基板支撑组件的边缘上并且围绕基板支撑组件的集中环，其中集中环具有台阶，所述台阶具有基本上类似于底部宽度的侧壁高度。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例总体上涉及用于在半导体基板上制造器件的方法和设备。更具体地，本公开的实施例提供用于增强半导体应用的基板边缘处理性能的方法和设备。相关技术说明在半导体器件的制造期间，通常在处理腔室中处理基板，其中可对基板执行沉积、蚀刻、热处理。随着集成电路部件的尺寸减小(例如，至亚微米尺寸)，减少污染物的存在的重要性已经增加，因为此类污染物可导致在半导体制造工艺期间缺陷的形成。举例而言，在蚀刻工艺中，副产物(例如可在蚀刻工艺期间产生的聚合物)可成为微粒来源，从而污染在基板上形成的集成电路和结构。在一些实践中，通常在诸如基板的边缘处之类的基板的某些位置处发现此类副产物。半导体处理腔室通常包括腔室主体，所述腔室主体界定用于处理基板的内部容积。基板支撑件通常设置在内部容积中，以在处理期间支撑基板。在工艺期间，在工艺期间产生的反应性物质可能并非均匀地分布于基板表面上。举例而言，在工艺期间反应性物质可能未达到或延伸至基板的边缘，因此导致基板边缘处理不足或具有不期望的污染、累积(buildup)或副产物。在基板边缘处处理不足可导致基板边缘处相对于基板中心的低蚀刻速率或沉积速率。此外，在一些示例中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种喷头组件，包含：

2.如权利要求1所述的喷头组件，其中所述至少四个区中的每个区具有比所述至少四个区中定位成更靠近所述中心区域的紧密相邻的区的孔隙密度更大的孔隙密度。

【技术特征摘要】

1.一种喷头组件，包含：

2.如权利要求1所述的喷头组件，其中所述至少四个区中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·李，M·D·威尔沃斯，V·N·托多罗，H·C·李，H·S·金，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：