提供一种具有可变终端受动器跨距的机器人设备，所述机器人设备适于适应变化跨距，例如，在两个相邻的处理腔室之间或在两个相邻的装载锁定腔室之间的变化跨距。机器人设备可在双基板搬运模式、单基板搬运模式或上述项目的组合下操作。机器人设备也可以是离...

本案提供了用于处理基板的方法和装置。例如，所述方法包括：在处理基板之前，获得沿所述基板的表面的第一点处的第一测量值，在处理腔室中在存在电场的情况下处理所述基板；在处理所述基板之后，获得沿所述基板的所述表面的所述第一点处的第二测量值，以及...

本文公开的实施例包括半导体处理工具。在实施例中，半导体处理工具包括等离子体源和耦接至等离子体源的腔室。在实施例中，泵耦接至腔室。在实施例中，半导体处理工具进一步包括采样线。在实施例中，采样线包括反应腔室和吸收腔室。

一种finFET器件包括掺杂的源极及/或漏极延伸部，所述源极及/或漏极延伸部设置在finFET的栅极间隔物与其上设置n掺杂或p掺杂的源极或漏极延伸部的半导体基板的主体半导体部分之间。掺杂的源极或漏极延伸部通过选择性外延生长(SEG)工艺...

本文所描述的实现方式总体涉及金属电极，更具体地涉及含锂阳极、包括前述含锂电极的诸如二次电池的高性能电化学装置，及其制造方法。在一个实现方式中，提供了一种阳极电极结构。所述阳极电极结构包括包含铜的集流体。所述阳极电极结构进一步包括形成在所...

一种基板操作系统，包括固定沉积环；移动沉积环，其设置在该固定沉积环上方并被构造为垂直移动；以及多个周向间隔的导电接地板，垂直地设置在固定沉积环和移动沉积环之间，每个接地板从径向内端延伸到径向外端，每个接地板被构造用于相对于固定沉积环垂直...

三维（3D）NAND存储器结构可以包括在硅基板上以竖直堆叠进行布置的材料的交替层（例如，交替的氧化物及氮化物层）。随后可以移除交替的氮化物层，并且可以利用导电材料填充凹部，以形成用于存储器阵列的字线。为了避免传统湿式蚀刻产生的硅副产物夹...

标识与基板表面的一或更多个区域相关联的光谱数据。已根据对于制造系统的系统控制器而言未知的工艺配方的一或更多个第一操作处理了基板。光谱数据作为输入被提供至机器学习模型，所述机器学习模型经训练以基于给定光谱数据来预测与基板相关联的相应工艺配...

本公开案的实施例提供具有减少的电阻率的以保形方式沉积的钼膜及其形成方法。方法包含：通过使基板表面暴露于含钼前驱物及成核反应物而直接在基板表面上的介电层上形成成核层，以及在成核层上以保形方式沉积钼膜。本公开案的另一种方面涉及一种作为间隙填...

描述了用于调节处理套件以增加处理套件寿命的方法及装置。形成于处理套件上的氮化物膜被暴露至包含氮及氢自由基调节处理，以调节所述氮化物膜，从而减少来自所述处理套件的颗粒污染。

本文提供了射频(RF)功率连接杆的实施例。在一些实施例中，RF功率连接杆包括：第一连接杆，具有第一连接端、与第一连接端相对的第一插座端、以及从第一连接端延伸到第一插座端的第一中空部分；第二连接杆，具有第二连接端、与第二连接端相对的第二插...

构建了一种空间模型以预测处理腔室的性能。所述空间模型用于在工艺开发阶段期间更快地收敛至期望的工艺。一种用于在制造期间控制器件性能变化性的系统包括工艺平台、板上计量(OBM)工具、以及基于机器学习的工艺控制模型。所述系统接收SEM计量数据...

一种方法包括：接收与装备参数相关联的第一数据。第一数据指示第一制造系统处的多个处理工具中的处理工具的装备设定。该方法进一步包括：将第一数据作为输入提供至经训练的机器学习模型。使用与第一制造系统处的多个处理工具的装备参数有关的历史数据来训...

本公开涉及一种与调节模块一起使用以调节抛光垫的抛光表面的垫表面清洁系统。垫表面清洁系统可用于利用高压流体喷雾来喷涂抛光表面，以从抛光表面松开碎屑。垫表面清洁系统也可用于去除松开的碎屑。进一步地，垫表面清洁系统可以将调节盘与抛光流体隔离，...

本公开内容的某些实施例涉及一种传感器组件，该传感器组件包括基板、壳体和传感器裸片。在某些实施例中，该基板包括外部区域、内部区域和介于该外部区域与该内部区域之间的中间区域。在某些实施例中，该基板包括至少位于该内部区域上的电接触垫。在某些实...

描述了一种用于在半导体处理腔室之内加热透明部件的方法及设备。透明部件使用耦接至透明部件的透明加热器来加热。透明加热器包括支撑座、电极层，及覆盖层。电极层为加热元件。透明加热器具有在由处理腔室内的一或多个辐射源发射的波长下的大于约80％的...

公开了一种选择性地和共形地掺杂半导体材料的方法。一些实施方式利用通过热分解选择性地沉积在半导体材料上的共形掺杂剂膜。一些实施方式涉及掺杂非视线性(non‑line of sight)的表面。一些实施方式涉及用于形成高掺杂的晶体半导体层的...

用于蚀刻含锗材料的示例性方法可以包括在半导体处理腔室的远程等离子体区域中形成含氟前驱物的等离子体。方法可以包括：使含氟前驱物的流出物流过腔室部件中限定的孔。孔可以被涂覆有催化材料。方法可以包括用催化材料来降低等离子体流出物中的氟自由基的...

一种形成半导体装置结构的方法包括在至少一个特征内形成成核层。所述方法包括将成核层暴露于氮等离子体处理。氮等离子体处理优先处理顶场和侧壁，同时留下实质上未处理的底表面以促进自下而上的金属生长。

描述了一种用于缺陷分类的方法。所述方法包括：在多维特征空间中按照多个分类规则储存多个缺陷类别，其中所述多个分类规则为所述多个缺陷类别中的每个缺陷类别在所述多维特征空间中定义与所述缺陷类别相关联的区域的边界；接收与在受检验的大面积基板上的...