本文公开的实施例包括一种诊断基板。在一个实施例中，所述诊断基板包括：基板；以及传感器，所述传感器在所述基板上。在一个实施例中，所述诊断基板进一步包括：通信模块，所述通信模块在所述基板上，所述通信模块通信耦合至所述传感器。在一个实施例中，...

本发明技术的实施方式涉及半导体处理方法，所述半导体处理方法包括提供结构化半导体基板，所述基板包括具有底表面及顶表面的沟槽。所述方法进一步包括在沟槽的底表面上沉积含硅材料的一部分至少一个沉积周期，其中每一沉积周期包括：在沟槽的底表面和顶表...

本公开内容包括经由图像分析进行边缘缺陷检测。一种方法包括：识别由基板处理系统的基座形成的基座凹穴的边缘的图像。所述方法进一步包括：基于图像来预测基座的边缘的属性值是否满足阈值。所述方法进一步包括响应于边缘的属性值满足阈值，致使与基座相关...

本案涉及用于处理腔室的热源（例如，灯）及窗，以及相关方法。在一或多个实施例中，适用于半导体制造的灯包括沿着弓形轮廓的至少一分段延伸的灯泡管。灯泡管界定弓形中央开口。灯包括位于弓形中央开口中的灯丝。灯丝沿着弓形轮廓的至少所述分段延伸。灯包...

本公开案涉及基板支撑组件及用于测量设置于支撑组件上的基板的温度的设备。在一个实施方式中，基板温度测量设备包括：基板支撑组件、探测器组件、及探测器目标。所述基板支撑组件包括静电吸盘及一个或更多个板。在所述基板支撑组件内的所述探测器组件延伸...

提供了一种在3D NAND结构内形成高纵横比结构的方法。所述方法包括将前驱物递送到设置在具有两个或更多个交替层的多层堆叠内的高纵横比开口。所述前驱物选自由以下项组成的组：二氨基硅烷、氨基硅烷以及以上项的组合。所述方法包括将含氧化合物递送...

用于降低金属间隙填充物的电阻率的方法包含以下步骤：在特征的开口中且在基板的区域上沉积共形层，其中共形层的第一厚度为大约10微米或更小，使用各向异性沉积工艺直接地在共形层上且在开口的底部并且直接地在所述区域上沉积非共形金属层。在所述区域上...

描述了制造与处理半导体装置(即，电子装置)的方法。本公开内容的实施方式有利地提供了电子装置，其包括偶极区且满足缩减厚度与较低热预算要求。本文所描述的电子装置包括源极区、漏极区、及分开源极区与漏极区的沟道、在沟道的顶表面上的界面层、在界面...

提供了一种适于在半导体处理中使用的在处理系统中移动基座的方法。该方法包括：在第一时间周期期间，将第一基座从第一壳体的内部容积移动到处理腔室的内部容积；及在第二时间周期期间，当该第一基座在该处理腔室中时，将第一基板定位在该第一基座上，其中...

本公开案的实施例关于用于减少基板中的面外畸变(OPD)的技术和装置，以及控制OPD的效应和对基板进行修改以校正OPD对在基板上执行的后续基板处理操作的影响。本案实施例采用新颖技术来降低基板中的OPD，而无需添加或改质将在后续基板制造工艺...

公开了一种处理腔室且所述处理腔室包括腔室主体。该腔室主体具有：第一侧；第二侧，该第二侧与该第一侧相对；窗部组件；及基底。该第一侧及第二侧、该窗部组件、及该基底界定热处理区域。流动组件设置为与该第一侧相邻且配置为引导处理气体进入该热处理区...

在本文中提供的本公开内容的实施方式包括用于形成改良三维(3D)存储器结构/单元的设备及形成改良三维(3D)存储器结构/单元的方法，所述改良三维(3D)存储器结构/单元包括通道，所述通道包括多晶硅通道，所述多晶硅通道已被处理以钝化及移除在...

一种三维(3D)NAND存储器结构可包括以垂直堆叠布置的材料层，所述垂直堆叠包括交替的水平绝缘层及字线层。材料层可经蚀刻以形成着陆垫。垂直字线可穿过着陆垫下面的一或多个水平字线层延伸。垂直字线可导电连接到顶部水平字线，并且垂直字线可与垂...

在此描述的实施方式一般涉及一种用于制造用于等离子体处理腔室的腔室部件的方法和设备。在一个实施方式中，提供在等离子体处理腔室内使用的腔室部件，腔室部件包括：金属基底材料，金属基底材料包含粗糙的非平面第一表面，其中粗糙的非平面表面具有在4微...

示例性半导体处理腔室喷头可包括介电板，其特征在于第一表面和与第一表面相对的第二表面。介电板可界定穿过介电板的多个孔。介电板可在介电板的第一表面中界定第一环形通道，且第一环形通道可围绕多个孔延伸。介电板可在介电板的第一表面中界定第二环形通...

一种晶片加工装置，可包括：晶片交换器，所述晶片交换器包括两个或更多个叶片，所述两个或更多个叶片中的每个叶片可以配置成接收晶片，所述两个或更多个叶片可以在单个水平平面上绕轴旋转，并且所述两个或更多个叶片可以在至少装载罩和机器人访问位置之间...

一种方法包括由处理装置接收基板的第一小角度散射图像。基板包括相对于基板的基底以第一角度定向的多个结构。基板的第一小角度散射图像是以相对于基板的基底的不同于第一角度的第二辐射入射角来收集的。该方法还包括通过对第一小角度散射图像执行角度傅里...

提供了一种用于药物制剂的封闭件、一种用于制造用于药物制剂的封闭件的方法以及一种用于制造用于药物制剂的封闭件的旋转沉积设备。所述用于药物制剂的封闭件包括聚合物封闭件主体和至少一个阻挡层，所述至少一个阻挡层在聚合物封闭件主体上方。此外，至少...

一种用于捕获生物组织样本的空间组学图像的成像系统，可包括：被配置为固定放置于成像系统中的生物组织样本的成像腔室；包含至少一个扫描线的时延及积分（TDI）成像器；被配置为照射生物组织样本上的正被该TDI成像器捕获的区域的光源；及被配置为使...

本公开内容涉及用于半导体制造的包括碳加热器的预热环以及相关加热系统、方法和处理腔室。在一个或多个实施方式中，适用于半导体制造的预热环包括环结构和耦接到环结构的碳加热器。以原子百分比计碳加热器具有至少99％的碳含量。