本案提供了用于处理腔室中的线圈的实施方式。在一些实施方式中，用于处理腔室中的线圈包括：线圈主体，该线圈主体具有第一端部和相对的第二端部，该第二端部经由中部部分耦接到该第一端部，该线圈主体具有环形形状，其中该第一端部和该第二端部彼此相邻设...

叙述了在基板上沉积金属触点堆叠物的方法。此方法堆叠物包括金属覆盖层与钼导体层。此方法包括借由物理气相沉积(PVD)在基板上沉积金属覆盖层和借由原子层沉积(ALD)在金属覆盖层上沉积钼导体层。

本公开内容的实施方式大体而言涉及一种用于清洁基板表面并随后在该基板表面上执行外延沉积处理的整合基板处理系统。一种处理系统包括膜形成腔室、耦接至膜形成腔室的传送腔室、以及耦接至传送腔室的氧化物移除腔室，该氧化物移除腔室具有基板支撑件。该处...

兹描述用以将共形SiOC膜形成于表面上的方法及设备。SiCN膜形成在基板表面上并暴露于蒸气退火工艺，以减低氮含量、升高氧含量并使碳含量维持大约相同。经退火的膜具有膜的湿式蚀刻速率或介电常数中的一或多者。

本公开内容的实施方式一般地涉及航空航天部件上的保护涂层和用于沉积保护涂层的方法。在一或多个实施方式中，一种在航空航天部件上沉积保护涂层的方法包括：顺序地将航空航天部件暴露于铬前驱物和反应物以通过原子层沉积工艺在航空航天部件的表面上形成含...

描述了一种用于处理柔性基板（10）的处理装置（100）。该处理装置（100）包括真空处理腔室（110），该真空处理腔室包括至少一个用于在柔性基板（10）上沉积材料层的沉积源（111）。进一步，该处理装置（100）包括后处理腔室（120）...

提供一种阴极组件(10)和一种沉积装置(100)。所述阴极组件包括：可旋转管(622)，所述可旋转管具有旋转轴线、第一端和第二端，所述第一端沿所述旋转轴线的方向与所述第二端相对；冷却剂接纳罩壳(20)，所述冷却剂接纳罩壳在所述可旋转管(...

封装基板的示例性方法可以包括将基板旋转地对准至预定角度位置。方法可以包括将基板传送到计量站。方法可以包括在计量站处测量基板的拓扑结构。方法可以包括向基板施加第一吸附力以使基板变平。方法可以包括生成基板的暴露表面上的裸片图案的映射。方法可...

方法包括执行蚀刻工艺，所述蚀刻工艺包括供应第一处理气体及第二处理气体至位于处理腔室的处理空间之内的基板支撑件上的基板之表面上达第一持续时间，其中第一处理气体包含含氟气体，并且第二处理气体包含含氮气体；以及执行退火工艺以升华在蚀刻工艺期间...

获得与第一先前基板及/或第二先前基板相关联的光谱数据。基于针对第一先前基板的第二部分或第二先前基板的第三部分中的至少一者所测量的一个或多个计量测量值来决定与第一先前基板的第一部分相关联的计量测量值。产生用于训练机器学习模型以预测当前基板...

本文说明用于选择性沉积的方法。此方法包括在基板表面的第一部分上沉积氧化物，基板表面选自由金属表面、金属氮化物表面与金属硅化物表面组成的群组。此方法进一步包括在基板表面的第二部分上选择性沉积钼膜，所述第二部分不具有沉积在所述第二部分上的氧...

本文提供了用于处理基板的方法和设备。例如，一种用于处理基板的方法包括在盖加热器与处理腔室的喷头之间或喷头与基板之间的区域中形成四氯化钛(TiCl<subgt;4</subgt;)、氢(H<subgt;2</sub...

执行用于从基板表面清洁氧化物的方法，而不影响基板上的低k介电材料或碳材料。在一些实施方式中，此方法可包含在生产线后段(BEOL)工艺中使用基于氯的浸泡来执行预清洁工艺以从基板的表面去除氧化物，并且使用远程等离子体由氢气及至少一种惰性气体...

用于接合半导体表面的方法利用混合接合工艺来实现异质集成架构。在一些实施例中，所述方法可以包括在硅基基板上形成半导体结构，所述半导体结构具有在半导体结构的顶表面上的第一组暴露的导电连接。第一组暴露的导电连接具有小于约10微米的节距。形成具...

一种化学机械抛光装置，包括：用于支撑抛光垫的平台；致动器；承载头，承载头用于将基板表面固定抵靠抛光垫；电机，电机用于在平台与承载头之间产生相对运动，从而抛光基板上的覆盖层。平台具有中心部分和环形挠曲件，中心部分具有上表面，环形挠曲件围绕...

一种方法包括通过提供第一输入流而在基板上沉积可流动膜，第一输入流包括第一前体的等离子体流出物；通过提供第二输入流而从限定在基板内的特征的侧壁移除可流动膜的一部分以获得可流动膜的剩余部分，第二输入流包括第二前体的等离子体流出物；通过提供第...

一种化学机械抛光系统包括：支撑件，被配置为面朝上固持基板；抛光制品，具有与基板的暴露表面相比较小的抛光表面；端口，用于分配抛光液体；一个或多个致动器，用于使抛光表面与基板的暴露表面的第一部分接触并且产生基板与抛光垫以及光学透射聚合物窗之...

本文公开的实施例包括用于通过化学气相沉积(CVD)涂覆腔室部件的部件支撑件。部件支撑件包括被配置为在位于所述腔室部件的背侧上的固定点处接触腔室部件的接触杆。部件支撑件被配置为支撑处理容积中的腔室部件，同时腔室部件的接触最小化。当安装腔室...

本公开内容涉及用于沉积高品质PVD膜的方法。本文所述的实施方式包括用于在控制基板的弓形弯曲和材料层的表面粗糙度的同时在基板上沉积材料层的方法。调整当沉积材料层时施加至基板的偏压以控制基板的弓形弯曲。在材料层上执行轰击工艺以改善材料层的表...

一种用于清洁晶片的清洁模块包含晶片夹持装置，所述晶片夹持装置被配置为在垂直定向上支撑晶片并且包含接取杯和夹持器组件。接取杯包含具有环形内表面的壁，该环形内表面限定处理区域并且具有成角度部分，所述成角度部分关于晶片夹持装置的中心轴对称。夹...