本揭示内容涉及用于外延沉积操作的批次处理设备、系统及相关方法和结构。在一个实施方式中，一种用于基板处理的设备包括盒。该盒至少部分地由基座组件支撑。该盒包含多个层级，多个层级在垂直方向上相对于彼此布置，多个层级中的每个层级包含支撑表面，支...

连续实时监控晶片处理结果的方法和系统。在一些实施方式中，一种系统可以包括至少一个非活性腔室，非活性腔室具有至少一个馈通进出端口，馈通进出端口被配置为与计量设备相互作用。馈通进出端口具有暴露于非活性腔室的内部空间的表面并且具有覆盖表面的氟...

描述了在EUV光刻胶上沉积保形含碳膜以降低线边缘粗糙度(LER)的方法。示例性处理方法可包括使第一前驱物在图案化的EUV表面上方流动以在结构上形成初始含碳膜的第一部分。这些方法可包括从图案化的EUV光刻胶移除第一前驱物流出物。可随后使第...

提供了含硅锗(SiGe)/硅的超晶格结构及其形成方法。各种实施方式在SiGe/Si超晶格结构中利用SiGe层，这些SiGe层在整个层中包含不同浓度的锗以实现减少的位错或无位错的超晶格。例如，在一些实施方式中，对于每个SiGe层，有一个具...

提供了一种基板处理系统，所述基板处理系统具有处理腔室。处理腔室包括盖板、一个或多个腔室侧壁和腔室基部，所述盖板、所述一个或多个腔室侧壁和所述腔室基部共同限定处理空间。环形板耦接到盖板，并且边缘歧管通过环形板和盖板流体耦接到处理腔室。基板...

描述了水平环栅器件及其制造方法。这些hGAA器件包含在器件的源极区域与漏极区域之间的半导体材料。该方法包括在第一材料上形成包覆材料，接着进行干式氧化处理，从而导致包覆材料及第一材料的重新排列。

一种数字光刻系统可以调整光源的波长，以补偿微镜的倾斜误差，同时保持反射光的垂直方向。相邻的像素可能会有相移，该相移是由这些像素的相应光束之间的光程差决定的。这个相移可以通过基于光程差在光源处产生对应的波长，来预选为任何值。为了产生与所需...

于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施例中，用于基板支撑件的处理配件包含：上边缘环，所述上边缘环由石英制成且具有上表面及下表面，其中所述上表面实质为平面且所述下表面包含阶梯状下表面以限定所述上边缘环的径向最外部分及径向最内部分。

本文提供用于处理基板的方法和装置。例如，一种方法包括在工艺腔室中在存在电场的情况下处理基板，随后捕获此基板的图像，基于对捕获的图像的分析确定是否发生基板电弧作用，以及以下中的一者：当确定没有电弧作用时继续处理此基板，或者当确定有电弧作用...

形成电子器件和膜堆叠的方法包含在形成于基板上的电容器模具上沉积碳化钌硬掩模。形成硬掩模氧化物和图案化光刻胶，并将该图案化光刻胶的图案转印到碳化钌硬掩模中。还描述了包含在电容器模具上的碳化钌硬掩模的膜堆叠。

提供用于校正离子注入半导体制造工具中的部件故障的方法、系统和非暂时性计算机可读介质。一种方法包括以下步骤：从与离子注入工具相关联的传感器接收与特征相对应的当前传感器数据；执行特征分析，以生成针对当前传感器数据的附加特征；提供附加特征作为...

本文所揭示的实施方式包括半导体处理工具。在一实施方式中，半导体处理工具包括：腔室；腔室内的卡盘，其中卡盘被配置来旋转；围绕卡盘的基座支架；以及耦接到卡盘的公用柱。在一实施方式中，公用柱包括使卡盘和公用柱的部分能够旋转的磁耦合器，以及旋转...

半导体处理的示例性方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。基板可沿基板界定一个或多个特征。方法可包括在基板上沉积含硅材料。含硅材料可在沿着基板的一个或多个特征内延伸。方法可包括提供含氧...

提供了一种抗反射多层膜和一种用于制造抗反射多层膜的方法。所述抗反射多层膜包括：基板；至少一个高反射层，所述至少一个高反射层在所述基板上方；和最上面低折射率纳米多孔层，所述最上面低折射率纳米多孔层在所述至少一个高反射层上方，其中所述至少一...

本发明的实施方式提供了一种用于使用RF偏压脉冲以及远程等离子体源沉积来沉积介电材料的设备和方法，以用于制造半导体装置，特别是用于在半导体应用中填充具有高深宽比的开口。在一个实施方式中，一种沉积介电材料的方法包括：将气体混合物提供到处理腔...

本文提供基板支撑件的实施方式。在一些实施方式中，一种基板支撑件包括：第一板，所述第一板具有多个开口，所述多个开口从所述第一板的上表面延伸到第一板中至所述多个开口中的每个相应开口的底表面；多个舌片（tab），所述多个舌片包含设置在每个相应...

本公开的实施例关于涉及用于处理腔室的泵衬垫。泵衬垫与处理腔室中的特定部件对齐，使得在泵衬垫和特定处理腔室部件(如，边缘环)之间存在上间隙和下间隙。基于泵衬垫与处理腔室中的特定部件(如，边缘环)的对齐以及上间隙和下间隙的尺寸，泵衬垫有利地...

示例性半导体处理方法可包括以下步骤：将含碳前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可被设置在半导体处理腔室的处理区域内。基板可限定沿着基板的一个或多个特征。所述方法可包括以下步骤：在处理区域内形成含碳前驱物的等离子体。所述方法可包括以...

三维NAND闪存结构可包括从硅基板参考(silicon substrate reference)直接生长的外延硅的固体沟道核。交替的氧化物‑氮化物材料层可形成为堆叠，且沟道孔可经蚀刻穿过材料层，沟道孔向下延伸到硅基板。可围绕沟道孔形成隧...

提供一种用于清洁基板的等离子体处理系统。等离子体处理系统包含处理腔室，此处理腔室包含：封闭内部空间的腔室主体；及设置在内部空间中的基板支撑件。等离子体处理系统包含：真空泵；流体地耦合在处理腔室的内部空间与真空泵之间的第一排气线路；及流体...