描述了制造具有低氢含量的含硅层的示例性方法。该方法包括使沉积气体流入处理腔室的基板处理区域，其中沉积气体包括含硅气体和氢气。由基板处理区域中的沉积气体产生沉积等离子体。该方法进一步包括由沉积等离子体在基板上沉积含硅层，其中该含硅层的特征...

描述了一种用于运输载体(10)的磁悬浮系统(100)。所述磁悬浮系统包括：限定运输轨道的基座(20)；沿所述运输轨道相对于所述基座(20)可移动的载体(10)；和设置在所述基座(20)处并且被构造为面向所述载体的导向结构(12)的多个主...

描述了用于在基板表面中形成的特征中形成金属碳化物衬垫的方法。特征中的每个特征从基板表面延伸到基板中一定距离并且具有底部和至少一个侧壁。所述方法包括用多个高频射频(HFRF)脉冲在基板表面的特征中沉积金属碳化物衬垫。还描述了具有金属碳化物...

本文公开的实施方式包括用于等离子体处理工具的工艺功率控制器。在一实施方式中，工艺功率控制器包括工艺功率源优化器、源预测器和工艺均匀性控制器。在一实施方式中，源预测器通信耦合到工艺功率源优化器和工艺均匀性控制器。

本公开内容的实施方式涉及包括可再成形绝缘体的加热夹套。所述绝缘体可以被成形为符合一气相沉积前驱物输送系统或其部分的形状，并且后来可对于不同的气相沉积前驱物输送系统或其部分被再成形。本公开内容的一些实施方式组合多个加热模块以形成加热夹套。...

示例性半导体处理方法可包括将含硅前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。交替的材料层可在基板上形成。一个或多个凹槽可在交替的材料层中形成。方法可包括形成第一含硅材料。第一含硅材料可延伸到在交替的材料...

本文描述的实施例涉及一种包括基板、多个悬置结构、和多个子像素的装置。多个悬置结构包括第一结构、在第一结构的上表面上方设置的第二结构、相邻的第一悬置、在第二结构上方设置的第三结构、和相邻的第二悬置。每个第一悬置由第二结构的侧向延伸超过第一...

一种传感器装置包括石英晶体微量天平(QCM)和在QCM表面的至少一部分上的涂层，其中涂层选择性地与目标气体的自由基反应，而不与目标气体的稳定分子反应。QCM是经配置成使得QCM的共振频率响应于目标气体的自由基与涂层的反应而改变，其中QC...

描述了一种用于在真空处理系统中在主运输方向(T)上沿第一运输路径(T1)和沿靠近第一运输路径(T1)延伸的第二运输路径(T2)运输载体和用于在路径切换方向(S)上在第一运输路径(T1)与第二运输路径(T2)之间传递载体的载体运输系统(1...

本文公开的实施方式包括处理工具。在一实施方式中，处理工具包括传输线传感器及模拟数字(A/D)转换器。在一实施方式中，处理工具可进一步包括数字降频转换器(DDC)及频率数字锁相回路(dPLL)。在一实施方式中，处理工具可进一步包括传输线缩...

本文公开的实施方式包括传感器。在一实施方式中，传感器包括：板，其中穿过板形成孔；电流环路，电流环路围绕孔弯折地穿过板；和电压环，电压环围绕孔并且在电流环路的内周边内，其中电压环包括：内环；绝缘环，绝缘环围绕内环；和外环，外环围绕绝缘环。

一种用于校准带电粒子束设备的偏转器的方法，偏转器基于该带电粒子束设备的设备坐标偏转该带电粒子束设备的带电粒子束，该方法包括以下步骤：将试样放置在真空腔室中的平台上，该试样提供周期性图案，该周期性图案包括该试样的试样坐标中的单元胞(uni...

本文公开了一种基板分类器、一种具有所述基板分类器的检查和分类系统以及一种用于所述检查和分类系统的方法。基板分类器包括：环形夹持器，包含旋转器和围绕轴共圆地设置的多个真空施加器；载具，可操作以将基板朝向旋转器移动并且进入旋转器下方的装载区...

用于基板脱气的系统在脱气腔室中提供降低的红外源。在一些实施例中，所述系统包括：脱气腔室，所述脱气腔室具有微波源和定位在脱气腔室的底部中的红外温度传感器；具有环形形状的至少一个箍，所述至少一个箍被配置为支撑或升高基板且由至少一个第一材料形...

一种基板支撑组件包括板结构和绝缘体结构。板结构包括上板和下板。下板包括下板结构面。绝缘体结构设置在板结构下方。绝缘体结构包括下绝缘体结构表面和上绝缘体结构表面。上绝缘体结构表面的第一部分相对于上绝缘体结构表面的第二部分凹陷。上绝缘体结构...

本文所描述的实现方式总体涉及金属电极，更具体地涉及含锂阳极、包括前述含锂电极的诸如二次电池的高性能电化学装置，及其制造方法。在一个实现方式中，提供了一种阳极电极结构。所述阳极电极结构包括包含铜的集流体。所述阳极电极结构进一步包括形成在所...

描述了用于无缝间隙填充的方法，包括通过将基板表面暴露于含硅前驱物和共反应物来形成可流动膜。所述含硅前驱物具有至少一个烯基或炔基。可通过任何合适的固化工艺固化所述可流动膜，以形成无缝间隙填充。

本公开的实施例涉及用于从特征的顶表面及侧壁选择性移除金属材料的方法。借由流动性聚合物材料覆盖的金属材料保持不受影响。在一些实施例中，金属材料借由物理气相沉积形成，从而导致相对薄的侧壁厚度。在从顶表面移除金属材料之后余留在侧壁上的任何金属...

示例的半导体基板承载框架可包括界定中央开口的框架主体。框架可包括与框架主体耦接的多个指状物。多个指状物的每个指状物可延伸至中央开口中。多个指状物的每个指状物可包含基板承接界面。多个指状物的至少一个指状物可包含致动器，该致动器于基板保持位...

描述过渡金属二硫族化物膜及用于在基板上沉积过渡金属二硫族化物膜的方法。亦描述用于将过渡金属氧化物膜转化成过渡金属二硫族化物膜的方法。将基板暴露于金属前驱物及氧化剂以形成过渡金属氧化物膜；将过渡金属氧化物膜暴露于硫族化物前驱物以形成过渡金...