本文所述的实施方式提供了一种具有孔径过滤部件的测量系统及利用该测量系统的方法。本文所述的测量系统包括测量臂及平台。该测量臂将光束投影到光学器件结构的顶表面。从非不透明的基板的其他表面反射及衍射得到的多反射束导致干涉。该测量臂包括孔径(例...

一种密封构件包括整体式主体，该整体式主体包括第一部分，该第一部分邻接第二部分。第一部分形成圆的一部分。第二部分包括第一瓣和第二瓣。每个瓣通过凹表面邻接第一部分。在一个示例中，每个瓣包括圆角尖端，并且凸表面从一个圆角尖端延伸到另一圆角尖端。

此处所述的实施例关于提供较短且对称的路径的接地路径系统，用于将射频(RF)能量传播至接地以减少寄生等离子体的产生。接地路径系统将腔室的处理容积分叉以形成内部容积，内部容积隔绝处理容积的外部容积。

本公开内容涉及用于测量到铁磁元件的距离的距离传感器、用于磁性悬浮铁磁元件的磁性悬浮系统、和用于补偿距离传感器中的杂散磁场的方法。根据第一方面，提出测量到铁磁元件的距离的距离传感器。根据第二方面，提出磁性悬浮铁磁元件的磁性悬浮系统，包括至...

一种用于基板处理腔室的加热模块包括加热灯，所述加热灯耦接至反射器板和热交换器。所述热交换器冷却所述加热模块内的气体。所述加热模块内的风扇使气体循环穿过所述反射器板中的孔隙以冷却加热灯泡。所述气体由所述热交换器冷却，并再循环。一个或多个罩...

描述了一种用于用至少一个电子束柱测试封装基板的方法，其中所述封装基板是面板级封装基板或高级封装基板。所述方法包括以下步骤：将所述封装基板放置在真空腔室中的平台上；将所述至少一个电子束柱的至少一个电子束引导到所述封装基板的至少第一部分上；...

识别了与针对基板的第一层执行的第一工艺相关联的第一数据。将根据第二工艺进一步处理第一层。将第一数据作为输入提供到机器学习模型，该机器学习模型经训练为预测在制造系统处针对基板的层的计量测量值。决定了在完成第一工艺及/或第二工艺之后针对第一...

示例性模块化气体区块可包括具有入口端和出口端的主体。主体可限定沿着主体的长度的第一气体路径的部分，并且可限定沿着主体的宽度的第二气体路径。第一气体路径可包括被限定在主体内的通道段。入口端可限定与第一气体路径耦合的气体入口。主体可限定与第...

一种系统可在制造工艺期间对多个靶中的至少一些同时地提供原位分析。所述系统可包括半导体处理工具，所述半导体处理工具具有腔室。所述系统还可包括样品，所述样品布置在所述腔室内，所述样品具有多个靶，所述多个靶具有不同特征取向和/或特征几何形状。...

叙述了半导体处理的范例方法。此方法经发展以增加诸如金属基板的基板的腐蚀抵抗。此方法包括在基板上形成第一含氧材料。此第一含氧材料可为或包括氧化硅、氧化钇、或氧化铝。此方法可包括在第一含氧材料上形成阻挡层。此方法可包括在阻挡层上形成第二含氧...

电镀方法可包括将电解质原料提供到电化学单元的第一隔室，电解质原料包括铜。这些方法可包括将酸性溶液提供到电化学单元的第二隔室。第一隔室及第二隔室可由隔膜分隔。这些方法可包括施加电流至电化学单元的阳极。电化学单元的阳极可设置于第一隔室附近且...

提供了一种用于半导体器件中的间隙填充的方法及设备。该方法包括在基板的暴露表面上形成金属种晶层，其中基板具有在基板的顶表面中形成的沟槽或通孔形式的特征，所述特征具有侧壁及在侧壁之间延伸的底表面。执行梯度氧化工艺以氧化金属种晶层的暴露部分，...

描述了制造高品质量子计算部件的示例性方法。方法包括在处理系统的清洁腔室中从硅基板的沉积表面移除自然氧化物，并且在真空下将硅基板传送到处理系统的沉积腔室。方法进一步包括在沉积腔室中在硅基板的沉积表面上沉积铝层，其中在铝层与硅基板的沉积表面...

一种减少压电薄膜层的表面缺陷的方法，包括在基板上沉积第一种晶层，在大约350摄氏度至大约700摄氏度的第一温度下在第一种晶层上沉积中间薄膜层，在该中间薄膜层上沉积第二种晶层，以及在小于200摄氏度的第二温度下沉积压电薄膜层。该压电薄膜层...

本公开内容的实施例总体上涉及光刻系统。在一个实施例中，公开了一种方法。该方法包括测量放置在基板上的芯片的芯片焊盘的位置，并确定芯片焊盘的预期位置与芯片焊盘的测量位置之间的芯片焊盘移位。该方法还包括使用所确定的芯片焊盘移位和预期过孔位置来...

提供了一种用于半导体器件中的间隙填充的方法和装置。该方法包括在基板的暴露的顶表面上形成金属种晶层，其中基板具有形成在基板的顶表面中的沟槽或通孔形式的特征，该特征具有侧壁和在侧壁之间延伸的底表面。执行梯度氧化处理以氧化金属种晶层的暴露部分...

本公开内容的实施方式总体涉及具有用于减少的硬模扩散和/或硬模残余的阻挡层的光学装置，和形成所述光学装置的相关方法。在一或多个实施方式中，多个光学装置结构各自在移除硬模层之前包括设置在装置功能层与硬模层之间的阻挡层。

示例性装置结构可以包括发光二极管结构。发光二极管结构可操作以产生光。结构可以包括光致发光区域，光致发光区域含有光致发光材料。光致发光区域可以位于发光二极管结构上。结构可以包括位于光致发光区域上方的紫外光(UV)滤光器。紫外光滤光器可操作...

本文所公开的实施方式包括为基于模型的控制器开发降阶模型(ROM)的方法。在一实施方式中，所述方法包括获得设备的设计，并且根据设备的设计构建设备的热网络的详细模型。在一实施方式中，所述方法还包括获得训练输入配方，和使用训练输入配方运行详细...

本文描述的实施方式总体上涉及一种设备。该设备包括基板和多个子像素。每个子像素包括设置在基板上方的相邻的悬伸部。每个悬伸部包括两个或更多个悬伸结构、有机发光二极管(OLED)材料和阴极。该悬伸结构包括由侧向延伸经过第一结构的第二结构的第一...