本文描述的实施例关于子像素电路，且用于诸如有机发光二极管(OLED)显示器的显示器。在一个实施例中，提供了一种器件。所述器件包括：基板；安置在基板上方的两个外部像素限定层(PDL)结构；由安置在主体结构上方并横向延伸越过主体结构的顶部结...

本文公开的具体实施例包括处理工具。在一个具体实施例中，处理工具包括电源、耦合到电源的阻抗匹配网络、阴极以及处理模块，其中电源被配置为通过阻抗匹配网络向阴极供电，其中处理模块通信耦合到电源和阻抗匹配网络。

一种在场效应晶体管(FET)装置中调整阈值电压的方法，包括执行沉积工艺以在半导体结构的第一区域、第二区域和第三区域中的栅介质层之上沉积扩散阻挡层，执行第一图案化工艺以移除第一区域中的所沉积扩散阻挡层的一部分，执行第二图案化工艺以部分移除...

于此公开的实施方式包括一种用于半导体处理腔室的灯模块。在一实施方式中，灯模块板包含背板、从背板延伸的第一环、从背板延伸的第二环和从背板延伸的第三环。在一实施方式中，灯模块进一步包含在第一环和第二环之间的多个第一灯、在第二环和第三环之间的...

提供了一种在基板上形成图案化特征的方法。该方法包括：将第一掩模定位在基板的第一部分之上；引导辐射穿过基板的第一部分处的第一掩模的图案化区域以在基板上形成第一图案化区域；将第二掩模放置在基板的第二部分之上，第二掩模包括第一图案化区域和第二...

一种方法，可包括生成基板的残余曲率图，该残余曲率图基于对基板的测量。所述方法可包括基于残余曲率图来生成剂量图，该剂量图用于使用图案化能量源来处理基板。所述方法可包括应用剂量图以使用图案化能量源处理基板，其中剂量图是通过执行以多个不同扭转...

提供了一种用于为基板制造系统训练代理器的方法。所述方法包括：初始化基板制造系统的预测子系统的代理器，以选择一个动作在与所述基板制造系统相关联的仿真环境中执行；以及在所述仿真环境中启动对所选的所述动作的仿真。响应于暂停所述仿真，所述方法进...

一种方法，包含：识别包含多个数据点的跟踪数据，跟踪数据与经由基板处理系统生产具有满足阈值的属性值的基板相关联。方法进一步包含：基于跟踪数据与变化的多个可允许类型生成保护带，保护带包含用于故障检测的上限与下限。方法进一步包含：基于保护带促...

一种方法，包含：识别包含多个数据点的跟踪数据，该跟踪数据与经由基板处理系统生产具有满足阈值的属性值的基板相关联。方法进一步包含：基于跟踪数据确定保护带限值之外的动态可接受区域。方法进一步包含：基于保护带限值之外的动态可接受区域促使执行与...

一种方法包括：接收与基板处理过程相关联的时间轨迹传感器数据。基板处理过程包括两组或更多组处理条件。至少第一组处理条件和第二组处理条件各自包括重复执行的一个或更多个操作。方法进一步包括：将对应于第一组处理条件和第二组处理条件的时间轨迹传感...

本文描述一种蚀刻样品的方法。所述方法包括执行等离子体蚀刻脉冲。所述等离子体蚀刻脉冲是通过朝向所述样品引导包括四氯化硅(SiCl<subgt;4</subgt;)和稀释剂的气流来执行的。引导所述气流的同时，施加偏压功率以实现偏...

一种方法可包括生成基板的残余曲率图，残余曲率图是基于对基板的表面的测量。所述方法可包括：基于残余曲率图来生成剂量图，剂量图是用于使用图案化能量源来处理基板；以及应用剂量图以使用图案化能量源来处理基板。

提供了一种用于将基板(10)保持在弯曲状态的载体(100)。载体(100)包括：载体主体(110)，载体主体(110)具有弯曲基板支撑表面(111)；密封件(120)，用于在基板(10)的边缘和载体主体(110)之间提供密封；以及用于将...

本文中所公开的实施例包括一种校准处理腔室的方法。在实施例中，该方法包括以下步骤：将传感器晶片放置到处理腔室中的支撑表面上，其中在Z方向上能移位的工艺套件定位在支撑表面周围。在实施例中，该方法进一步包括以下步骤：用该传感器晶片的边缘表面上...

本公开内容的某些实施例涉及一种传感器组件，该传感器组件包括壳体，该壳体具有第一通道和第二通道，该第一通道被配置为使气体在第一方向上流动，该第二通道被配置为使该气体在第二方向上流动。该壳体被配置为与气流组件耦接。壳体内设置了基板。该基板具...

一种半导体结构包括堆叠在第一方向上的多个存储器层级，该多个存储器层级中的每一者包括半导体层、字线金属层及在半导体层的横截面上的界面；在第一方向上在多个存储器层级中的相邻存储器层级之间的间隔物；及与多个存储器层级中的每一者的界面接触的位线...

用于从基板支撑件提升基板的设备及方法包括：i.将基板支撑件及基板从第一方向上的第一位置朝向升降杆移动，基板支撑件具有通孔，所述通孔中的每一者经配置为接收对应升降杆；ii.当移动基板支撑件及基板时，使基板与升降杆接触；iii.在接触升降杆...

本公开案一般关于用于处理半导体基板的基板支撑件和处理腔室。在一个实例中，基板支撑件具有主体。主体具有经配置支撑在顶表面上基板的顶表面。主体具有与顶表面相对的底表面。主体具有设置在顶表面处的上部和设置在底表面处的下部。IR阻挡材料由所述上...

一种方法包括接收与处理腔室的第一制造工艺相关联的踪迹传感器数据。此方法还包括使用一或多个训练的机器学习模型来处理此踪迹传感器数据，所述一或多个训练的机器学习模型产生此踪迹传感器数据的表示，且随后基于此踪迹传感器数据的此表示来产生重建的传...

电镀方法可包括将初始阳极电解质提供到电化学单元的第一隔室。这些方法可包括将初始阴极电解质提供到电化学单元的第二隔室。初始阴极电解质可以初始阴极电解质金属离子浓度小于初始阳极电解质中的初始阳极电解质金属离子浓度为特征。这些方法可包括将酸性...