【技术实现步骤摘要】
本公开总的来说涉及沉积薄膜的方法。具体地，本公开文本涉及用于利用可流动含硅膜来填充窄沟槽的工艺。
技术介绍
1、在微电子器件制造中，对于许多应用而言，需要填充具有大于10:1的深宽比(ar)的窄沟槽而无空隙。一种应用用于浅沟槽隔离(sti)。对于这种应用，膜需要在整个沟槽上是高质量的(具有例如小于2的湿法蚀刻速率比率)而很少泄漏。随着结构尺寸的减小和深宽比的增加，经沉积的可流动膜的后固化方法变得困难。导致在整个被填充的沟槽上具有不同组分的膜。
2、介电膜的常规等离子体增强化学气相沉积(pecvd)在窄沟槽的顶部形成“蘑菇形”的膜。这是因为等离子体不能渗透到深沟槽中。这就导致从顶部夹住窄沟槽；在沟槽的底部形成空隙。
3、另外，诸如sico、sicon、sicn之类的含硅膜被广泛用于半导体器件的制造。例如，这些含碳间隙填充膜可以用于图案化应用。由于存在高碳水平，与氧化物膜和氮化物膜相比，这些膜通常显示出高蚀刻选择性。蚀刻选择性对于要用于图案化应用的间隙填充膜是重要的。因此，需要用于沉积含硅膜的前驱物和方法。
<...【技术保护点】
1.一种处理方法，包括：
2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述共反应物包括包含等离子体气体的等离子体。
3.如权利要求1所述的处理方法，其中R1-R6中的至少一个选自由以下组成的群组：CR'CR”2或CCR'。
4.如权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述含硅前驱物的R1-R6中的一个或多个是CR'CR”2。
5.如权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述含硅前驱物的R1-R6全都包括CR'CR”2。
6.如权利要求5所述的处理方法，其特征在于，每个R'是相同的，并且每个R”是相同的取代基。
7.如...
【技术特征摘要】
1.一种处理方法，包括：
2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述共反应物包括包含等离子体气体的等离子体。
3.如权利要求1所述的处理方法，其中r1-r6中的至少一个选自由以下组成的群组：cr'cr”2或ccr'。
4.如权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述含硅前驱物的r1-r6中的一个或多个是cr'cr”2。
5.如权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述含硅前驱物的r1-r6全都包括cr'cr”2。
6.如权利要求5所述的处理方法，其特征在于，每个r'是相同的，并且每个r”是相同的取代基。
7.如权利要求3所述的处理方法，其特征在于，所述含硅前驱物的r1-r6中的一个或多个是ccr'。
8.如权利要求7所述的处理方法，其特征在于，所述含硅前驱物的r1-r6全都包括ccr'。
9.如权利要求8所述的处理方法，其特征在于，每个r'是相...
【专利技术属性】
技术研发人员：L·卡鲁塔拉格，M·萨利，D·汤普森，A·B·玛里克，T·阿肖克，P·曼纳，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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