描述了存储器器件及形成存储器器件的方法。描述了形成电子器件的方法，其中碳用作形成DRAM电容器的可移除模具材料。致密的高温（500℃或更高）PECVD碳材料替代氧化物用作可移除模具材料（例如，芯材料）。碳材料可以在暴露于氧（O<s...

提供用于在半导体装置中进行钨间隙填充的方法与设备。方法包含：执行梯度氧化工艺以氧化衬垫层的暴露部分，其中梯度氧化工艺优先氧化衬垫层的悬突部分，悬突部分阻碍或阻挡形成在基板的场区域内的一个或多个特征的顶部开口。方法进一步包含：执行回蚀工艺...

提供了一种用于控制基板支撑组件的温度的方法。向嵌入在该基板支撑组件的分区中的加热元件供应第一直流(DC)功率，该基板支撑组件被包括在处理腔室中。测量跨该加热元件的电压。类似地，测量流过该加热元件的电流。基于跨该加热元件的该电压和流过该加...

本文描述了一种用于处理半导体基板的方法和设备。设备包括经设置在沉积腔室的排气系统内的一个或多个生长监测器。生长监测器是参数共振监测器，且生长监测器经配置为在沉积腔室内正处理基板时测量在生长监测器上生长的膜厚度。生长监视器连接到控制器，控...

本文描述了用于热处理的处理腔室的方法和设备。处理腔室是双处理腔室，并且共用腔室主体。腔室主体包括第一组气体注入通道和第二组气体注入通道。腔室主体还可包括第一组排气口和第二组排气口。处理腔室可具有共用的气体面板和/或共用的排气导管。本文描...

本公开内容的实施方式一般涉及电池技术，并且更具体地，用于制备锂阳极的方法和系统。在一个或多个实施方式中，一种用于产生锂插层阳极的方法包括将包含锂膜的牺牲基板和包含石墨的阳极基板引入腔室内的处理区域中。该方法还包括将牺牲基板和阳极基板结合...

半导体处理的示例性方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物和含碳前驱物。含碳前驱物可由碳‑碳双键或碳‑碳三键表征。基板可以设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含氧前驱物。所述方法可包...

本公开关于用于沉积均匀性及处理可调性的导流结构及热屏蔽结构及相关方法。在一个实施方式中，一种用于基板处理的设备包括腔室主体，腔室主体包括处理容积。设备包括一或多个热源。设备包括导流结构，导流结构定位在处理容积中。导流结构包括一或多个第一...

一种控制化学机械抛光系统的方法，包括：对于多个测试基板中的每个相应测试基板，从终点检测系统接收相应时变测试信号；同时在显示器上可视化地显示多个时变测试信号，其中多个时变测试信号在曲线图中相互重叠；接收选择具有经定义时间范围和经定义信号值...

描述了一种用于使用至少一个电子束柱测试封装基板的方法。所述封装基板是面板级封装基板或先进封装基板。所述方法包括以下步骤：将所述封装基板放置在真空腔室中的平台上；用正离子和/或负电荷充满（flood）所述真空腔室的至少一部分；在一个或多个...

描述了包括多个站开口的多站处理腔室盖。站分离净化通道围绕站开口。多个成角度的净化通道将站开口与相邻的站开口分离。盖支撑梁可以补偿腔室盖主体的挠曲。

描述了一种被配置为耦接到基板载体的掩模模块。所述掩模模块包括：主体；掩模，所述掩模耦接到主体，所述掩模具有一个或多个第一开口；可移动闸板，所述可移动闸板具有一个或多个第二开口；和致动器，所述致动器耦接到可移动闸板。致动器被配置为移动一个...

描述一种用于处理多个基板的基板处理系统。所述基板处理系统包括：一个或多个真空腔室；至少第一沉积源和第二沉积源，所述第一沉积源和所述第二沉积源被提供在一个或多个真空腔室中，所述第一沉积源在第一角方向上提供第一沉积区域，并且所述第二沉积源提...

本文公开的实施例包括一种动态负载仿真器。在实施例中，该动态负载仿真器包括：阻抗负载；反向匹配网络；及智慧RF控制器。在实施例中，该智慧RF控制器包括：动态负载产生器；及反向匹配控制器。

一种在基板之上形成含钨层的方法，包括a)将基板定位在处理腔室的处理容积中的基板支撑件上；b)向处理腔室的处理容积提供前驱物气体达第一持续时间；和c)通过打开含钨气体递送管线上的脉冲阀来向处理腔室的处理容积提供含钨气体达第二持续时间以在基...

提供了一种用于将蒸镀材料沉积在基板上的蒸汽源(50)。蒸汽源包括具有多个喷嘴的蒸汽分配管(60)，其中多个喷嘴中的至少一个喷嘴(100)包括：喷嘴主体，该喷嘴主体具有沿喷嘴轴线(A)延伸以用于通过喷嘴孔口释放蒸镀材料的喷嘴通道；和屏蔽部...

本文提供了用于最小化藉由光刻法所形成的线中的线缘/线宽粗糙度的方法和设备。在一个实例中，一种处理基板的方法包括以下步骤：将包括光酸产生剂的光刻胶层施加到设置在基板上的多层上，其中所述多层包括由有机材料、无机材料、或有机材料与无机材料的混...

一种用于化学机械抛光的承载头，包含：基座组件连接至所述基座组件的膜组件。所述膜组件包含：膜支撑件、固定至所述膜支撑件的内膜、和固定至所述膜支撑件并且在所述内膜下方延伸的外膜，其中所述内膜在膜的上表面与所述膜支撑件之间形成多个可单独加压的...

本公开内容的实施方式提供了具有减小的电阻率的共形沉积的钼膜及其形成方法。方法包括：在存在选自由钼化合物及钨化合物组成的群组的金属化合物的情况下藉由热浸泡包含硅原子的非晶硅层，直到在非晶硅层中的硅原子的至少一部分被选自由钼原子及钨原子组成...

本文所公开的实施方式包括优化光刻胶层的沉积后烘烤的方法。在一个实施方式中，该方法包括在基板上沉积光刻胶层，烘烤光刻胶层，以及用光学工具测量光刻胶层的特性。