【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、可靠地形成高深宽比特征是下一代半导体器件的关键技术挑战中的一者。一种形成高深宽比特征的方法使用等离子体辅助蚀刻工艺，例如反应离子蚀刻(rie)等离子体工艺，以在基板的材料层(诸如介电层)中形成高深宽比开口。在典型的rie等离子体工艺中，等离子体在处理腔室中形成并且来自等离子体的离子被朝向基板的表面加速，以在设置在形成于基板表面上的掩模层下方的材料层中形成开口。
2、典型的反应离子蚀刻(rie)等离子体处理腔室包括射频(rf)偏压发生器，所述rf偏压发生器向功率电极提供rf电压。在电容耦合气体放电中，等离子体是通过使用射频(rf)发生器产生的，所述rf发生器耦合到设置在静电吸盘(esc)组件内或处理腔室的另一部分内的功率电极。通常，rf匹配网络(“rf匹配器”)调谐从rf发生器提供的rf波形以将rf功率传输至50ω视在负载，以最小化反射功率并最大化功率传输效率。如果负载的阻抗与源(例如rf发生器)的阻抗不适当匹配，则正向传输的rf波形的一部分可能会沿同一传输线以相反方向反射回来。
3、许多等离子体工...
【技术保护点】
1.一种在等离子体处理系统中处理基板的方法，所述方法包含以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一时间段和所述第二时间段具有相等的持续时间。
3.如权利要求1所述的方法，其中计算所述组合阻抗参数包括以下步骤：计算所述第一组阻抗相关数据和所述第二组阻抗相关数据之间的加权平均值。
4.如权利要求1所述的方法，其中来自所述RF发生器的所述同步信号和来自所述波形发生器的所述同步信号是晶体管-晶体管逻辑(TTL)同步信号。
5.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：
6.如权利要求1所述的方法，其中所述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种在等离子体处理系统中处理基板的方法，所述方法包含以下步骤：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一时间段和所述第二时间段具有相等的持续时间。
3.如权利要求1所述的方法，其中计算所述组合阻抗参数包括以下步骤：计算所述第一组阻抗相关数据和所述第二组阻抗相关数据之间的加权平均值。
4.如权利要求1所述的方法，其中来自所述rf发生器的所述同步信号和来自所述波形发生器的所述同步信号是晶体管-晶体管逻辑(ttl)同步信号。
5.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：
6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一组阻抗相关数据是通过对在所述第一时间段期间测得的所述第一组阻抗相关数据进行平均来确定的，并且所述第二组阻抗相关数据是通过对测得的所述第二组阻抗相关数据进行平均来确定的。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一时间段在所述等离子体处理系统处于处理的壳层坍塌阶段的同时发生，并且所述第二时间段在所述等离子体处理系统处于处理的离子电流阶段的同时发生。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一时间段和所述第二时间段发生在所述电压波形的同一周期期间。
9.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：
10.如权利要求9所述的方法，其中所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭岳，K·拉马斯瓦米，N·J·布莱特，杨扬，A·N·M·W·阿扎德，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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