【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容的实施方式一般涉及基板的处理。
技术介绍
1、集成电路是通过在基板表面上产生复杂图案化材料层的处理来形成的。钨在半导体工业中用作电阻率较低的导体，具有最小的电迁移。钨可用于填充特征以作为用于晶体管的触点及用于在集成装置的层之间形成通孔。由于钨的稳定性和低电阻率，钨还可用于逻辑和存储器装置中的互连。然而，传统的钨金属间隙填充处理在间隙填充期间可能由于悬垂处的早期夹断而容易出现空隙。
2、据此，专利技术人提供了促进无空隙钨间隙填充的改进处理的实施方式。
技术实现思路
1、本文提供了用于填充基板的含硅介电层中的特征的方法和相关联的设备的实施方式。在一些实施方式中，填充基板的含硅介电层中的特征的方法包括：在第一处理腔室中经由物理气相沉积（pvd）处理在特征中沉积非连续衬垫层；在第二处理腔室中执行氢等离子体处理，以在特征的未被非连续衬垫层覆盖的表面上形成硅-氢键；以及在第三处理腔室中在非连续衬垫层上且在硅-氢键上方沉积块状钨（bulk tungsten）层，以使用钨填充特征。<...
【技术保护点】
1.一种填充基板的含硅介电层中的特征的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中在多腔室处理工具中执行所述方法，其中所述第一处理腔室、所述第二处理腔室、和所述第三处理腔室之间没有真空破坏。
3.根据权利要求1所述的方法，其中在电容耦合等离子体（CCP）腔室中执行所述氢等离子体处理。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述非连续衬垫层包括氮化钛（TiN）或钨。
5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述氢等离子体处理期间的腔室压力大于约100mTorr。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征具有约20...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种填充基板的含硅介电层中的特征的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中在多腔室处理工具中执行所述方法，其中所述第一处理腔室、所述第二处理腔室、和所述第三处理腔室之间没有真空破坏。
3.根据权利要求1所述的方法，其中在电容耦合等离子体（ccp）腔室中执行所述氢等离子体处理。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述非连续衬垫层包括氮化钛（tin）或钨。
5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述氢等离子体处理期间的腔室压力大于约100mtorr。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征具有约20纳米或更小的临界尺寸。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的方法，其中执行所述氢等离子体处理约90至约250秒。
8.根据权利要求1至6中的任一项所述的方法，其中在所述氢等离子体处理期间的腔室压力为约0.3至约1.8 torr。
9.根据权利要求1至6中的任一项所述的方法，其中使用包括氢离子和氩离子的等离子体来执行所述氢等离子体处理。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述氢离子与所述氩离子之间的比率为约4：1至约45：1。
11.根据权利要求1至6中的任一项所述的方法，其中在化学气相沉积（cvd）腔室中执行沉积所述块状钨层。
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