用于夹持基板的方法及设备包含：i.将基板放置于具有包括第一电极及第二电极的互相间隔开的多个电极的基板支撑件的夹持表面上；ii.测量基板的基板弓部；iii.基于所测量的基板弓部确定待施加于第一电极的第一电压及待施加于第二电极的第二电压，其...

本文公开的实施方式包括一种半导体处理工具。在实施方式中，半导体处理工具包括腔室，以及盖，所述盖被配置为密封所述腔室。在实施方式中，穿过所述盖提供模块化微波等离子体施加器，并且穿过所述盖并邻近所述模块化微波等离子体源提供光学端口。在实施方...

一种方法包括在处理腔室的部件上形成多孔陶瓷涂层。所述方法进一步包括将胶体悬浮液施加于所述多孔陶瓷涂层，以填充所述多孔陶瓷涂层的孔隙。所述方法进一步包括干燥所述部件。

一种用于清洁基板的清洁装置，其中所述基板与臭氧水接触并在清洁腔室内用来自UV灯的UV电磁辐射照射所述基板和臭氧水；其中UV电磁辐射的大于或等于约50％具有大于或等于约280nm的波长。也提出了清洁基板的方法。

一种用于处理基板的设备，所述设备包含抛光组件和控制器。抛光组件被配置成(a)抛光基板表面。控制器被配置成(b)检测对应于基板的第一区域的第一基板测量，(c)检测对应于基板的第二区域的第二基板测量；(d)确定在第一区域处的第一基板测量与第...

示例半导体处理方法可包括将一种或多种沉积前驱物提供到半导体处理腔室。基板可安置在半导体处理腔室的处理区域内。该方法可包括在基板上并在半导体处理腔室的一个或多个部件上沉积含硅材料。该方法可包括将含氟前驱提供到处理区域。含氟前驱物在被提供到...

本公开内容涉及用于监测在基板处理腔室内的多个位点处的温度的方法、系统和装置。一种用于处理基板的系统包括：处理腔室，所述处理腔室包括处理空间；第一窗口，所述第一窗口在所述处理空间的第一周边处；基板支撑件，所述基板支撑件在所述处理空间内；以...

本文提供的实施方式通常包括用于在等离子体处理腔室中产生等离子体的、由柔性调谐算法控制的装置及方法。等离子体处理系统的设备之间的柔性通信允许共享工艺信息及设备设定，以便评估且改进所使用的调谐算法。如此增强了在制造工艺期间的多个半导体晶片的...

一种方法包括接收包括原始表面的金属部件，此原始表面包括金属基底、设置在此金属基底上的第一本征氧化物和设置在此金属基底上的烃。此方法进一步包括对此金属部件的此原始表面进行加工，以自此金属基底移除此第一本征氧化物和移除此烃的第一部分。此加工...

本公开涉及半导体器件制造工艺中使用的系统。更特定，实施例通常包括同步和控制RF偏压信号和脉冲电压波形到等离子体处理腔室内一个或多个电极的传送的设备和方法。设备和方法可至少最小化或消除在处理跨基板各个区域具有不同密度的小尺寸特征时产生的微...

本文所述的实施方式大体而言涉及用于制造半导体元件的工艺，在所述工艺中使用分子阻隔层来实现选择性外延沉积。在一个实施方式中，提供了处理包含暴露的电介质材料和暴露的基于硅的材料的混合表面基板的方法。所述方法包括在暴露的电介质材料上沉积阻隔层...

本文提供的公开内容的实施方式包括一种用于在等离子体处理系统中处理基板的方法。所述方法包括从控制器接收第一同步波形信号；在接收到所述第一同步波形信号的第一部分之后，将第一电压脉冲的第一脉冲串输送到电极组件，其中基于所述第一同步波形信号的所...

一种用于经由成像和图像处理识别和获得与工艺腔室中的基板支撑件和/或预热环有关的信息的装置、方法和系统。在一个实施例中，提供了一种基板支撑件。所述基板支撑件大体包括顶表面和标记特征，所述顶表面被配置为在工艺腔室中接收基板，所述标记特征设置...

本案的实施方式大体而言涉及LED像素及制造LED像素的方法。元件包括：背板；至少三个LED，设置于背板上；子像素隔离(SI)结构，设置成界定至少三个子像素的井，反射材料设置于SI结构的侧壁及顶表面上，子像素中的至少三者具有设置于井中的颜...

本文所描述的实施方式包括一种模块化高频发射源，所述模块化高频发射源包括多个高频发射模块以及相位控制器。在一个实施方式中，每个高频发射模块包括振荡器模块、放大模块，以及施加器。在一个实施方式中，每个振荡器模块包括电压控制电路和电压控制振荡...

本文描述的实施例涉及用于实质减低通过卡紧电极的射频(RF)耦合的发生的设备和方法。卡紧电极设置在定位于基板支撑件上的静电卡盘中。基板支撑件耦合至工艺腔室主体。RF源用于在与基板支撑件相邻的工艺容积中产生等离子体。阻抗匹配电路设置在RF源...

提供了一种用于形成具有均匀且精确的层的光学堆叠的方法和设备。用于形成光学堆叠的处理工具在封闭环境中包括第一移送腔室、机载计量单元和第二移送腔室。第一多个处理腔室耦接至第一移送腔室或第二移送腔室。机载计量单元设置在第一移送腔室和第二移送腔...

本公开的实施方式大体而言涉及扩增实境波导组合件。所述波导包括：波导基板，所述波导基板具有基板折射率(RI)n<subgt;sub</subgt;；板状波导层，所述板状波导层设置在所述波导基板上方，所述板状波导层具有板状RI ...

用于控制在处理腔室内处理基板的方法和设备，包括：对在处理腔室中处理的至少一个先前处理的基板的沉积轮廓的测量执行统计分析，其中沉积轮廓是至少部分基于调制影响处理腔室中的磁控管的至少一个电源的功率参数；基于统计分析来确定作为至少功率参数的函...

本公开案的实施方式涉及透过将基板表面曝露于包含氢气(H<subgt;2</subgt;)及氧气(O<subgt;2</subgt;)的混合物的未经偏压的清洁等离子体，来从基板表面移除金属氧化物的方法。在一些实施方...