【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容的示例大体涉及用于处理基板(诸如半导体基板)的方法、系统、和设备。更具体地，公开了检查系统和其使用方法。
技术介绍
1、通常通过在硅晶片上顺序沉积导电、半导电或绝缘层来在基板上形成集成电路。一个制造步骤涉及在非平坦表面上方沉积填料层并且平坦化填料层。对于某些应用，平坦化填料层，直到暴露出图案化层的顶表面。例如，导电填料层可以在图案化的绝缘层上沉积以填充绝缘层中的沟槽或孔洞。在平坦化之后，在绝缘层的凸起图案之间余留的导电层的部分形成在基板上的薄膜电路之间提供导电路径的过孔、插塞和线路。对于其他应用，诸如氧化物抛光，平坦化填料层，直到预定厚度余留在非平坦表面上方。此外，通常需要基板表面的平坦化来用于光刻。
2、化学机械抛光(cmp)是一种公认的平坦化方法。这种平坦化方法通常需要将基板安装在载具或抛光头上。基板的暴露表面通常抵靠旋转抛光盘垫或带垫放置。抛光垫可以是标准垫或固定磨料垫。标准垫具有耐用的粗糙表面，而固定磨料垫具有保留在容纳介质中的磨料颗粒。载具头提供可控的，通常供应到抛光垫的表面。抛光浆料包括至少一种化学反应...
【技术保护点】
1.一种用于处理基板的抛光设备，所述抛光设备包括：
2.如权利要求1所述的设备，其中所述控制器被配置成检测在所述抛光期间所述第一基板测量或所述第二基板测量中的至少一者。
3.如权利要求1所述的设备，其中所述第一基板测量形成第一系列测量值的部分，并且所述第二基板测量形成第二系列测量值的部分。
4.如权利要求3所述的设备，其中所述控制器被配置成确定所述第一或所述第二系列测量值的斜率。
5.如权利要求3所述的设备，其中由所述处理器执行的所述程序指令进一步被配置成导致所述控制器：
6.如权利要求3所述的设备，其中由所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于处理基板的抛光设备，所述抛光设备包括：
2.如权利要求1所述的设备，其中所述控制器被配置成检测在所述抛光期间所述第一基板测量或所述第二基板测量中的至少一者。
3.如权利要求1所述的设备，其中所述第一基板测量形成第一系列测量值的部分，并且所述第二基板测量形成第二系列测量值的部分。
4.如权利要求3所述的设备，其中所述控制器被配置成确定所述第一或所述第二系列测量值的斜率。
5.如权利要求3所述的设备，其中由所述处理器执行的所述程序指令进一步被配置成导致所述控制器：
6.如权利要求3所述的设备，其中由所述处理器执行的所述程序指令进一步被配置成导致所述控制器：
7.如权利要求3所述的设备，其中由所述处理器执行的所述程序指令进一步被配置成导致所述控制器：
8.一种用于处理基板的方法，所述方法包括：
9.如权利要求8所述的方法，所述方法进一步包括基于相对于所述公差阈值的所述确定的差异来更新化学机械抛光操作。
10.如权利要求8所述的方法，所述方法进一步包括：
11.如权利要求10所述的方法，其中所述第三基板测量和...
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