所公开的系统和技术涉及改正基板的平面外变形(OPD)。所述技术包括：使用光学检验数据获得所述基板的所述平面外变形的轮廓；和使用获得的所述轮廓识别表征所述基板的鞍形应力的一个或多个参数。所述技术进一步包括：使用识别的所述一个或多个参数计算...

所公开的系统和技术涉及改正基板的平面外变形(OPD)。所述技术包括以下操作：使用光学检验数据获得所述基板的OPD轮廓；以及获得对所述OPD轮廓的多项式表示以确定表征所述基板的相应的元素变形形状的多个多项式系数。所述技术进一步包括以下操作...

一种用于经由成像来在工艺腔室中校准基板支撑件上的基板定位和放置的设备、方法和系统。在一个实施例中，提供了校准基板。所述校准基板通常包括具有多个第一标记特征和第二标记特征的顶表面，所述多个第一标记特征和第二标记特征被配置成可由成像设备相对...

本文的实施例大致设计电子装置制造，并且更特定为用于在热处理腔室中加热灯的系统及方法。在一个实施例中，基板处理腔室包括盖、底板、及位于盖与底板之间的处理容积。上窗口设置在盖与处理容积之间，而下窗口设置在底板与处理容积之间。灯头设置在下窗口...

提供制造及整修具有密封件的部件的方法的实施方式。一种制造具有密封件的部件的方法包括：将第一层直接沉积到主体的密封表面上，其中所述第一层包括3D表面图案；以及将第二层沉积到所述第一层上，其中所述第二层包括密封材料。一种整修具有密封件的部件...

本发明的实施例包括基板支撑件，所述基板支撑件包括具有基板面的金属主体、形成在所述主体中的多个举升销孔、以及设置在所述主体的基板面上的电介质涂层。多个举升销孔中的每一者均包括通孔和配置成与举升销套筒配合的倒角面。电介质涂层包括基板支撑表面...

公开了用于3D NAND装置的直接字线触点形成的方法。一种方法可以包括提供包含第一多个交替的第一层和第二层的第一膜堆叠，并且在第一膜堆叠中形成第一多个接触孔，其中每个接触孔形成至不同的蚀刻深度。所述方法可以进一步包括在第一多个接触孔内形...

本文公开的具体实施方式包括一种基板图案化方法。在一个具体实施方式中，方法包括，在基板上设置光刻胶层，并曝光所述光刻胶层以在所述光刻胶层中形成曝光区域和未曝光区域。在一个具体实施方式中，所述方法进一步包括：用循序浸润合成（SIS）工艺处理...

本文提供了在物理气相沉积(PVD)工艺中用于高深宽比特征的多阴极阻障层种晶沉积的设备和方法。在些具体实施例中，PVD腔室包括设置在PVD腔室处理区域内的底座。底座可随其上的工件旋转。PVD腔室包括腔室盖组件，组件包括具有相同靶材材料的第...

本文的实施方式提供了一种用于确定光学元件调制传递函数(MTF)的测量系统。所述测量系统包括可操作为保持光学元件或其上设置有至少一个光学元件的光学元件基板的平台。光引擎在所述平台之上设置。所述光引擎包括可操作为将波长范围的光投影到所述光学...

本公开内容的实施例包括一种用于对基板进行等离子体处理的设备和方法。一些实施例针对等离子体处理腔室。该等离子体处理腔室一般包括：平面线圈区域，该平面线圈区域包括同心线圈区域，该同心线圈区域包括由第一同心线圈和第二同心线圈；以及电源电路，该...

一种适用于在半导体制造中使用的处理基板的方法和设备。所述方法包括旋转具有第一穿孔的第一轴，其中所述第一轴的至少一部分安置在第二轴内。所述方法进一步包括使气体流过管道，其中所述管道耦合到所述第二轴中的第二穿孔。所述方法亦包括使所述气体通过...

本公开案涉及一种适合于在半导体制造中使用的用于处理基板的方法及装置。方法包括加热定位在基板支撑件上的基板。方法进一步包括将隔离板相对于基板移动到非平面定向。方法也包括使一或更多种工艺气体在基板上流动以在基板上沉积材料，使一或更多种工艺气...

所公开的系统和技术涉及通过以下操作改正基板(例如晶片)的平面外变形(OPD)：使用光学检验数据识别所述基板的所述OPD的轮廓；以及执行所述轮廓的多项式分解以确定表征所述基板的元素变形形状的多项式系数。所述技术进一步包括：基于所述多项式系...

一种用于适于在半导体制造中使用的处理基板的方法及设备。所述方法包括加热定位在基板支撑件上的基板。所述方法包括使净化气体在安置于所述基板上方的隔离板上流动，所述使所述净化气体流动包括使所述隔离板下方的一部分净化气体通过所述隔离板中的多个穿...

形成装置的方法包括在基板上形成介电层，所述介电层包括界定间隙的至少一个特征，所述特征包括侧壁和底部。自组装单层(SAM)形成在所述间隙的所述底部，当暴露于环境大气时，所述SAM可抵抗降解。阻障层选择性地沉积在所述间隙的所述侧壁上而不是所...

形成装置的方法包括在基板上形成介电层，所述介电层包括界定间隙的至少一个特征，所述特征包括侧壁和底部。在所述间隙的所述底部形成自组装单层(SAM)之前施行预清洁工艺。阻障层选择性地沉积在所述间隙的所述侧壁上而不是所述底部上。在所述侧壁上选...

本公开案的实施方式涉及用于半导体制造的板组件、处理套件、处理腔室及相关部件及方法。在一个实施方式中，用于安置在处理腔室中的板组件包括包含不透明材料的内部部分。所述内部部分具有外径。所述板组件包括第一外部部分，所述第一外部部分是弓形形状且...

示例性基板支撑组件可包括静电吸盘主体，该静电吸盘主体限定基板支撑表面，该基板支撑表面限定基板座。这些组件可包括支撑杆，该支撑杆与该静电吸盘主体耦接。这些组件可包括第一双极电极，该第一双极电极嵌入该静电吸盘主体内。这些组件可包括第二双极电...

本公开描述用于训练及部署机器学习预测模型以用于半导体制造处理的方法及系统。具体而言，本公开提供使用设计数据、处理参数、来自像素化喷淋头的气体流动配置、静电卡盘上的温度分布曲线、及已处理晶片的所测量的均匀性分布曲线来训练用于制造部件的机器...