本技术包括具有改进的接触电阻率的半导体器件和方法。半导体器件包括：基板基底；氧化硅，所述氧化硅设置在所述基底上，从而限定一个或多个特征；双金属硅化物层，所述双金属硅化物层设置在所述一个或多个特征中的所述基板上；以及至少第一金属层。所述双...

一种4F2二维动态随机存取内存阵列可以包括布置成蜂巢状图案的垂直支柱晶体管，以最大化所述内存阵列的顶部上的可用电容器占地面积。位线可以部分地与所述垂直晶体管的两个相邻行的底部源极/漏极区域相交，其中所述行可以基于所述蜂巢状图案偏移。所述...

分子层沉积(MLD)用于为HAR和凹入结构提供保形和均匀的掺杂技术。MLD用于沉积含有掺杂元素的保形碳基膜。随后使用热退火使掺杂元素扩散到半导体材料中。对于HAR结构，保形层与低温掺杂、精确控制一起使用，并且碳基膜可以在掺杂期间或掺杂之...

本公开案一般涉及用于在基板上形成氮化硅膜层的方法。在一实施方式中，所述方法包括：将其上具有至少一个特征的基板放置在处理腔室中，在所述基板的非氧化硅表面上沉积第一硅膜层约1至约4分钟的持续时间，氮化所述第一硅膜层，以在所述基板上形成第一氮...

提供了一种清洁工艺腔室的方法，所述方法包括：在第一时间段期间从远程等离子体源向快速热处理腔室的内部体积供应等离子体，所述快速热处理腔室包括多个灯，所述多个灯被配置为加热所述快速热处理腔室的内部体积；以及当来自所述远程等离子体源的所述等离...

一种用于校准制造系统的方法，包括从多个配方选择包括用于在基板上执行制造工艺的第一工艺参数的校准配方，包括：对于每个配方以及对于两个或更多个基板，接收表示使用所述配方在所述两个或更多个基板上执行的所述制造工艺的表征数据。根据所述基板的第一...

本公开内容的一个或多个实施例涉及形成半导体器件的方法，例如，用在FEOL和/或BEOL工艺中的环绕式栅极(GAA)晶体管。本文描述的工艺可集成在任何合适的群集工具中并在其中执行。本公开内容的一些实施例涉及空腔成形工艺。本公开内容的另外实...

公开了用于源及气体输送喷嘴组件的部件的增材制造的实例结构、方法及系统。一个实例结构包括单体气体分配喷嘴组件，所述单体气体分配喷嘴组件包括由多个接合结构接合的上电极部分及下电极部分，及定位在所述上电极部分与所述下电极部分之间的一或更多个气...

本公开的实施例总体上涉及用于图案化应用的高透明、高密度的碳膜的沉积。在一个实施例中，提供一种在基板上形成碳膜的方法。所述方法包括：使含碳氢化合物的气体混合物流入工艺腔室中，所述工艺腔室具有定位在静电吸盘上的基板，其中将基板保持在约‑10...

一种系统，包括存储器以及至少一个处理装置，所述至少一个处理装置操作性地耦接到所述存储器以执行操作，所述操作包括发起数字平版印刷术工艺以使用数字平版印刷术系统来图案化基板，控制相对于所述数字平版印刷术系统的第一对相邻曝光单元在第一方向上的...

用于检测基板滑移的例示性方法包括当基板经历用可旋转平台进行的研磨时，使原位监测系统的第一传感器及第二传感器扫过此基板。来自此第一传感器的第一信号值序列及来自此第二传感器的第二信号值序列包括相对于层的厚度的信号强度。对于此第一信号值序列及...

本公开内容涉及重叠的基板支撑件和预热环以及相关工艺套件、处理腔室、方法和部件，以促进工艺可调整性。在一个或多个实施例中，一种适用于半导体制造的基板支撑件包括第一侧面和与所述第一侧面相对的第二侧面。所述第一侧面包括支撑表面。所述第二侧面包...

一种形成半导体结构的方法包括：执行第一沉积工艺以在基板的表面上沉积第一高κ介电层；执行界面形成工艺以在所述基板的所述表面上形成界面层；执行第二沉积工艺以在所述界面层上沉积第二高κ介电层；执行等离子体氮化工艺以在所述第一高κ介电层和所述第...

本文提供了用于处理腔室的灯具外壳的实施方式。在一些实施方式中，用于处理腔室的灯具外壳包括：第一板，所述第一板具有多个第一开口；铜板，所述铜板具有多个第二开口；多个管，通过焊接合金在所述多个管的第一端处将所述多个管焊接至所述第一板，且通过...

描述了用于将再生加热提供到前级部件的半导体处理系统及系统部件。系统包括基于等离子体的处理腔室。所述处理腔室包括经配置为循环传热流体的一或多个流体路径。所述系统亦包括经配置为从所述处理腔室排放处理气体的一或多个真空系统，所述一或多个真空系...

根据一个实施方式，提供了一种用于支撑基板的基板支撑组件。根据另一个实施方式，提供一种包括用于支撑基板的这种基板支撑组件的基板处理装置。所述基板支撑组件包括：台主体，所述台主体具有被配置为面向所述基板的表面；台框架，所述台框架耦接到所述台...

描述了一种用于在基板处理系统中的载体的热处理的设备。所述设备包括加热布置，所述加热布置被配置为向所述载体提供热能，所述加热布置包括一个或多个线圈。

本技术包括在通道区域具有改善应力的半导体装置。所述半导体装置包括基板、源极区域、漏极区域、通道区域，所述通道区域包括位于所述源极和所述漏极之间的至少一个通道。装置包括在n‑MOS区域中具有第一自对准单扩散断口的第一栅极区域，以及包括在p...

描述了诸如环绕式栅极(GAA)元件的半导体元件及形成半导体元件的方法。亦描述了在前端工艺(FEOL)及后端工艺(BEOL)应用及工艺中很有用的选择性氧化工艺。在FEOL工艺中，例如，当不存在电介质内部间隔物时，在蚀刻硅(Si)通道凹槽期...

示例性半导体处理系统可以包括第一处理腔室和第二处理腔室。每个处理腔室可以限定处理区域和具有狭缝阀的传送区域。每个处理腔室可以包括可在处理区域和传送区域之间垂直平移的基板支撑件。每个处理腔室可包括设置在基板支撑件上方并与基板支撑件对准的气...