在一些实施方式中，提供了一种方法，所述方法基于获得更均匀的热膨胀系数或热导率控制来选择用于键合晶片的虚设晶粒的热机械三维特性以改变热提取。在一些实施方式中，提供了一种方法，所述方法还基于将晶粒键合到键合晶片之后发生的后续处理来选择虚设晶...

本技术包括整体式电镀密封件，诸如利用增材制造形成的电镀密封件。密封件包括外部密封构件和内部密封构件。所述外部密封构件包括内环状半径、外环状半径以及限定在外部表面与同所述外部表面相对的内部表面之间的外部密封构件主体。所述外部表面由孔隙率小...

提供了用于形成氮化硅硼层的方法。所述方法包括：将基板定位在工艺腔室内的工艺区域中的基座上；加热保持基板的基座；以及将第一工艺气体的第一气流和第二工艺气体的第二气流引入工艺区域。第一工艺气体的第一气流含有硅烷、氨、氦、氮、氩和氢。第二工艺...

本技术包括用于漂洗电镀设备、其部件和/或基板的方法。所述方法包括从电镀浴移除具有第一pH的浴溶液的至少一部分。所述方法包括通过纳滤膜过滤经移除的浴溶液，从而形成含有经回收的漂洗剂的渗透液以及渗余物。所述方法包括将所述经回收的漂洗剂转移到...

本公开内容描述了用于在通过数字孪生体模型对制造过程进行并行实时模拟的情况下操作制造过程的方法和系统。表明正在进行的制造过程的参数的传感器数据被输入数字孪生体模型，并用于预测所述制造过程的输出。将所述经预测的输出与目标输出进行比较。一个或...

本技术的实施例可包括半导体处理方法及系统。方法及系统可包括：将基板提供至半导体处理腔室的处理区域，其中基板包括一或多对交替的半导体材料层及牺牲材料层。方法包括：穿过一或多对交替的半导体材料层及牺牲材料层形成一或多个垂直延伸特征，从而形成...

本文描述的是基座、具有所述基座的处理腔室以及使用所述基座处理基板的方法。在一个示例中，提供了一种用于在处理期间支撑基板的基座。所述基座具有盘形主体，所述盘形主体包括围绕内部区域的边。所述内部区域凹陷以形成凹陷凹穴，所述凹陷凹穴配置为接收...

本公开内容提供当存在包括子像素交叉扫描振动的交叉扫描振动时，用于校正从空间光调制器(SLM)到基板的图像的投射的方法和系统。这些方法和系统包括：偏移相对于基板上的横向扫描行进方向旋转的SLM上的掩模图案，沿着SLM的轴偏移以对交叉扫描振...

本公开案大致涉及一种用于热处理基板的灯加热的设备。具体而言，本公开案的实施方式涉及使用基板及屏蔽部件而将在迅速热处理（RTP）腔室中的加热区域分离。在一个实施方式中，一种处理基板的方法包括将基板放置于处理腔室中在多个升降杆上，以多个升降...

本公开案涉及用于监测半导体制造的板温度的系统、设备和方法。在一或多个实施方式中，一种用于处理基板并适用于半导体制造的系统包括腔室主体，所述腔室主体包括一或多个侧壁。所述系统包括盖子及窗，所述一或多个侧壁、所述窗及所述盖子至少部分地界定内...

一种用于训练用于晶片上缺陷的自动检测及分类的学习模型的方法及设备，包括接收具有多个缺陷分类的晶片缺陷的标记影像，创建包括晶片缺陷的经接收标记影像的第一训练集，使用第一训练集训练机器学习模型以在第一阶段自动检测及分类晶片缺陷，掺合具有不同...

一种用于形成互连结构的群集工具包括预清洁腔室；选择性化学气相沉积(CVD)腔室；等离子体增强CVD (PECVD)腔室；一或多个传送腔室，所述一或多个传送腔室耦接至所述预清洁腔室、所述选择性CVD腔室和所述PECVD腔室，并且被配置为在...

本技术包括具有改进的孔分布的垂直单元动态随机存取内存(DRAM)阵列存取晶体管。所述阵列包括在第一水平方向上布置的多个位线及在第二水平方向上布置的多个字线。所述阵列包括在正交于所述第一方向及所述第二水平方向的垂直方向上延伸的多个通道，使...

本文描述了内存元件及制造内存元件的方法。所述内存元件包括在表面上的位线金属叠层，所述表面包括导电位线触点(例如多晶硅)及绝缘介电岛状物(例如氮化硅(SiN))的矩阵。所述位线金属叠层包括钛(Ti)、钨(W)、氮化钨(WN)、硅化钨(WS...

公开了用于形成含金属前体及沉积纯金属膜的处理腔室。也公开了沉积方法，所述方法包括在单个处理腔室中形成含金属前体及在基板上沉积含金属前体以形成金属膜。

提供了一种用于处理基板的基座，所述基座包括底座以及形成在所述底座之上的涂层。所述基座包括外边沿，所述外边沿具有内边缘、外边缘以及将所述内边缘连接到所述外边缘的顶部；以及内盘状物，所述内盘状物安置在所述外边沿内部并耦接到所述外边沿，所述内...

一种填充具有颈缩点的通孔的方法包括：执行预清洁工艺，以从通孔底部处的金属层的暴露表面去除残留物并恢复通孔的内表面，其中通孔在介电层内形成，并且具有在通孔内突出的颈缩点；执行选择性沉积工艺，以从颈缩点下方的金属层的暴露表面用金属填充材料部...

示例性半导体处理方法可包括将基板提供到半导体处理腔室的处理区域。所述基板可包括材料的交替叠层。特征可延伸穿过材料的所述交替叠层。材料的所述交替叠层中的一种材料可包括含硅材料。自然氧化物材料可设置在所述含硅材料的暴露表面的至少一部分上。所...

所公开的是用于形成3D NAND设备的字线触点的方法。方法可以包括：提供交替的第一层和第二层的薄膜叠层；在所述薄膜叠层上形成第一平板印刷掩模；以及执行交替的平板印刷和蚀刻过程的第一系列，以在所述薄膜叠层中形成触点开口对阵列，其中在每个蚀...

组件包括背板和扩散器板，所述扩散器板配置在所述背板下方。所述扩散器板在扩散器板上表面和扩散器板下表面之间的所述扩散器板第一区域形成净化孔。所述扩散器板在所述扩散器板上表面和所述扩散器板下表面之间的所述扩散器板第二区域形成穿孔区域孔。每个...