【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、领域
2、本公开内容的实施例总体上涉及在电子器件制造中使用的方法，并且更具体地，涉及用于在半导体器件中形成钨特征的方法。
3、相关技术描述
4、钨(w)广泛地用于集成电路(ic)器件制造，以形成其中期望相对低的电阻和相对高的抗电迁移性的导电特征。例如，钨可用作金属填充材料，以形成源极触点、漏极触点、金属栅极填充部、栅极触点、互连件(例如，在介电材料层的表面中形成的水平特征)和过孔(例如，穿过介电材料层形成以连接安置在其上方和其下方的其他互连特征的竖直特征)。
5、由于钨的相对低的电阻率，钨也常用于形成用于对三维nand(3d nand)器件的存储器单元阵列中的单独存储器单元进行寻址的位线和字线。3d nand结构包括水平阵列的层级，这些层级可通过按顺序沉积层来堆叠。通道可穿过膜的堆叠形成并且被填充有钨。在一些情况下，通道侧壁宽度可在层级之间变化。在填充通道期间，由于变化通道侧壁宽度以及用于沉积钨填充层的前驱物气体的较高浓度，钨填充层在通道的上部分可比在下部分更快速地沉积。这...
【技术保护点】
1.一种在基板上形成结构的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述净化气体是所述第二气体。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述处置自由基是经活化的含氮物种。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述处置自由基是氮气。
5.如权利要求1所述的方法，其中形成所述钝化层包括将所述自由基处置从附接到所述处理腔室的盖组件的自由基发生器引入处理区域中。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一气体是六氟化钨，所述第二气体是氢气与氩的混合物，并且所述净化气体是氢气与氩的混合物。
7.如权利要求1...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种在基板上形成结构的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述净化气体是所述第二气体。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述处置自由基是经活化的含氮物种。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述处置自由基是氮气。
5.如权利要求1所述的方法，其中形成所述钝化层包括将所述自由基处置从附接到所述处理腔室的盖组件的自由基发生器引入处理区域中。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一气体是六氟化钨，所述第二气体是氢气与氩的混合物，并且所述净化气体是氢气与氩的混合物。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一气体是氢气，所述第二气体是六氟化钨与氩的第一混合物，并且所述净化气体是六氟化钨与氩的第二混合物。
8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一气体是六氟化钨与氩的混合物，所述第二气体是氩，并且所述净化气体是氩。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述脉冲时间持续时间在约0.3秒与约2秒之间，并且所述净化时间持续时间在约0.5秒与约5秒之间。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述钨填充层具有在0mpa与200mpa之间的应力。
11.一种在基板上形成结构的方法，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：岑羲，李阳，吴凯，梅兰·贝德亚特，贾勒帕里·拉维，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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